CN204289471U - 一种晶体硅太阳能电池结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池结构，包括硅衬底片、减反射膜、石墨烯导电膜、正电极、铝背场和背电极，所述正电极和背电极分别直接烧结在硅衬底片的正面及反面，所述减反射膜和石墨烯导电膜依次覆盖在硅衬底片的正面，所述铝背场覆盖在硅衬底片的反面；本实用新型的石墨烯导电膜收集正面电流，在很宽的波长范围内具有很高的透过率、超高的载流子迁移率，不遮光、导电性好，可有效提高电池片效率，同时具有优异的力学性能和稳定性。

Description

一种晶体硅太阳能电池结构

技术领域

本实用新型涉及光伏领域，具体涉及一种太阳能电池片。

背景技术

随着光伏产业的发展，在晶体硅太阳能电池片生产中，光电转换效率的提升和电池制造成本的降低已成为整个光伏产业发展的根本，而随着工艺技术的不断进步，晶体硅太阳能电池的转换效率逐渐遇到了瓶颈。

在目前太阳能电池工艺中，电池正面电极的制备方法是采用丝网印刷技术，在镀了减反射膜的硅片上印刷银浆，然后通过高温烧结，银可与硅片形成良好的欧姆接触。采用银作为电极的优点是银具有优良的导电性，通过浆料工艺中的添加剂后烧结可与硅形成良好的欧姆接触。其缺点是银会对入射光造成遮挡，导致电池片受光面积减小。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种有效提高受光效果、导电性能好的晶体硅太阳能电池结构。

技术方案：一种晶体硅太阳能电池结构，包括硅衬底片、减反射膜、石墨烯导电膜、正电极、铝背场和背电极，所述正电极和背电极分别直接烧结在硅衬底片的正面及反面，所述减反射膜和石墨烯导电膜依次覆盖在硅衬底片的正面，所述铝背场覆盖在硅衬底片的反面。

进一步，所述减反射膜上均匀的设有线形或点状的激光开槽，使载流子可导出。

优选的，所述石墨烯膜的厚度为2~500nm，在此范围内能保证石墨烯膜的强度、导电性及导热性。

优选的，所述正电极的宽度为1~2mm，数量为2~10根，可有效收集电池片表面的载流子。

进一步，所述正电极上设有镂空，可减少正电极的遮光面积。

有益效果：1、本实用新型的石墨烯导电膜收集正面电流，在很宽的波长范围内具有很高的透过率、超高的载流子迁移率，不遮光、导电性好，可有效提高电池片效率，同时具有优异的力学性能和稳定性；2、本实用新型只印刷正电极主栅，节省正电极银浆的消耗量。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面对本实用新型技术方案进行详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。

实施例：一种晶体硅太阳能电池结构，包括硅衬底片1、减反射膜2、石墨烯导电膜3、正电极4、铝背场5和背电极6，正电极4和背电极6分别设置在硅衬底片1的正面及反面，通过烧结直接与硅衬底片1形成欧姆接触，减反射膜2和石墨烯导电膜3依次覆盖在硅衬底片1的正面，铝背场5覆盖在硅衬底片1的反面。减反射膜2上均匀的设有线形的激光开槽，以便于电荷的导出，激光开槽深度为130nm。石墨烯导电膜3沉积于减反射膜2上，厚度为25nm。正电极4设有4根，宽度为1.2mm，其上均匀的开设有长条形镂空。

如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型，但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。

Claims (5)

1.一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：包括硅衬底片、减反射膜、石墨烯导电膜、正电极、铝背场和背电极，所述正电极和背电极分别直接烧结在硅衬底片的正面及反面，所述减反射膜和石墨烯导电膜依次覆盖在硅衬底片的正面，所述铝背场覆盖在硅衬底片的反面。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：所述减反射膜上均匀的设有线形或点状的激光开槽。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：所述石墨烯膜的厚度为2~500nm。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：所述正电极的宽度为1~2mm，数量为2~10根。

5.根据权利要求1或4所述的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：所述正电极上设有镂空。