CN204497242U - 一种n型双面太阳电池的电极结构 - Google Patents
一种n型双面太阳电池的电极结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204497242U CN204497242U CN201520169950.7U CN201520169950U CN204497242U CN 204497242 U CN204497242 U CN 204497242U CN 201520169950 U CN201520169950 U CN 201520169950U CN 204497242 U CN204497242 U CN 204497242U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- main
- gate line
- grid
- main gate
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 238000003854 Surface Print Methods 0.000 abstract description 15
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 abstract description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种N型双面太阳电池的电极结构，在正面减反射膜表面印刷有若干条相互平行的主栅线，若干条平行于主栅的副主栅以及若干条与主栅线相垂直的副栅线；在背面减反射膜表面也印刷有若干条相互平行的主栅线,若干条平行于主栅的副主栅以及若干条与主栅线相垂直的副栅线，其中背面减反射膜表面印刷的主栅线数量与正面减反射膜表面印刷的主栅数量相同，且背面减反射膜表面印刷的主栅中心线分别与正面减反射膜表面印刷的主栅中心线对齐。本实用新型缩短了主栅线与细栅线之间的传输距离，减少了传输中的损耗，可显著提高电池效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池印刷技术领域，尤其是一种N型双面太阳电池的电极结构。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳能电池中，晶体硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池，有着优异的电学性能和机械性能。因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。
另一方面，相比传统的P型硅片，N型硅片由于其材料本身的特点，材料体寿命高，且没有光衰减，因此被逐渐应用于高效太阳电池的研发。N型电池通常正面采用硼扩散形成PN结，背面采用磷扩散形成背面场，两面均镀有减反膜，属于双面电池结构，即正、背面均可经光照产生载流子，因此载流子的收集及运输至关重要。太阳能电池的受光面电极是与PN结两端形成紧密欧姆接触的导电材料，承担着收集硅片中的载流子并将其输送至外部电路的责任。
在制备太阳能电池受光面的电极及选择材料时，一般要满足下列要求：
①能与硅形成牢固的接触；
②接触电阻比较小，应是一种欧姆接触；
③电极本身的体电阻要小，有优良的导电性；
④电极对硅基片的遮光率要尽可能小，一般小于7-8％；
⑤光生载流子的收集效率高；
⑥可焊性强；
现阶段业内太阳能晶体硅电池片受光面电极图形采用的设计由三条主栅和多条与之垂直的副栅线，主栅之间互相平行，副栅线之间也两两平行。随着PN结向低表面浓度浅结化方向的发展，硅片的方阻越来越高，若继续采用上述的三主栅设计，电池片的串联电阻和功率损失会增加，从而影响电池片转换效率的提升，需要采用如六主栅、七主栅等多主栅图形来优化设计电极构造来保持良好的欧姆接触。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：提供一种在不增加受光面遮光面积的基础上，将主栅数量由原来的3条增至到6-10条的电极结构。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种N型双面太阳电池的电极结构，包括正面和背面，所述的正面包括若干条相互平行的主栅线、若干条平行于主栅的副主栅以及若干条与主栅线相垂直的副栅线；所述的背面也包括若干条相互平行的主栅线、若干条平行于主栅的副主栅以及若干条与主栅线相垂直的副栅线；
所述的正面印刷的主栅线与背面印刷的主栅线的中心线一一对齐，且所述的正面与背面印刷的主栅线数量相同，均为6-10条；主栅线为实心直线结构且两端设置为尖头电极；
所述的正面与背面各自的相邻主栅线的中间位置和最边缘的两根主栅线的两侧位置，设有与主栅线平行，与副栅线垂直相交的副主栅，副主栅为连续直线设计或分段设计；
所述正面和背面的副栅线均设有70-150条，相互平行设置并均与各自所述的主栅线相垂直。
进一步的说，本实用新型所述的正面与背面上的主栅线之间的间距均为12-24mm；所述的实心直线结构的主栅线的宽度为0.4-1.3mm；所述的正面与背面上的副主栅的宽度均为30-80μm；所述的正面与背面上的副栅线的宽度均为30-80μm。
本实用新型的有益效果是：
一、因为“副主栅”的存在，可以有效避免因降低副栅线的线宽而产生的EL下断线的问题，且副栅线降低线宽所增加的受光面积大于增加“副主栅”所遮挡的面积，有效提升了短路电流。也在一定程度上降低了对浆料的耗用。
二、将主栅的数量增加至6-10根，缩短了主栅线与副栅线之间的传输距离，减少了传输过程中载流子的复合，有效降低了串联电阻。
三、相比传统的电池结构，主栅数量更多，通过每条主栅的电流有所降低，由主栅导致的功率损失也在一定程度上有所下降。而且电池片用焊条串并联做成组件后，电流主要通过焊带来导通，主栅的串联电阻不是影响电池片电性能的主要因素，所以本实用新型中的主栅线宽度可以进一步减小，显著降低浆料耗用。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是一种N型双面太阳电池结构；
图2是一种该实用新型电极结构完整结构图；
图3是一种该实用新型电极结构完整结构图；
图中，1-正面电极，2-正面减反射膜，3-正面发射极，4-N型硅片衬底，5-背面发射极，6-背面减反射膜，7-背面电极，8、11-副栅线，9、12-主栅线，10、13-副主栅。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
一种N型双面太阳电池结构如图1所示，包括：正面电极1，正面减反射膜2，正面发射极3，N型硅片衬底4，背面发射极5，背面减反射膜6，背面电极7。
实施例1
如图2所示，本实施例提供的一种N型双面太阳电池的电极结构，包括在正面减反射膜2表面印刷有6条相互平行的主栅线9,5条平行于主栅线9的副主栅10以及90根与主栅线9相垂直的副栅线8。在背面减反射膜6表面也印刷有6条相互平行的主栅线9；5条平行于主栅线9的副主栅10以及90根与主栅线9相垂直的副栅线8，其中背面减反射膜6表面印刷的6条主栅线9的中心线分别与正面减反射膜2表面印刷的6条主栅线9的中心线对齐。所述的背面减反射膜6表面印刷的副栅线8，与所述的正面减反射膜2表面印刷的副栅线8在数目和尺寸上可以有差异。
本实施例中所述的相邻两根主栅线9之间的距离为24mm，主栅线9的长度为154mm，主栅线9的宽度为0.8-1mm。
本实施例中所述的副栅线8的数目为90根，副栅线8的宽度为60um。
本实施例中所述的副主栅10的数目为5根，居中分布在相邻2根主栅线9之间，且采用分段式设计，副主栅10的宽度为60um。
实施例2
如图3所示，本实施例提供的一种N型双面太阳电池的电极结构，包括在正面减反射膜2表面印刷有10条相互平行的主栅线12，2条平行于主栅线12的副主栅13以及90根与主栅线12相垂直的副栅线11。在背面减反射膜6表面也印刷有10条相互平行的主栅线12，2条平行于主栅线12的副主栅11以及90根与主栅线12相垂直的副栅线11，其中背面减反射膜6表面印刷的10条主栅线12的中心线分别与正面减反射膜2表面印刷的10条主栅线12的中心线对齐。所述的背面减反射膜6表面印刷的副栅线11，与所述的正面减反射膜2表面印刷的副栅线11在数目和尺寸上可以有差异。
本实施例中所述的相邻两根主栅线12之间的距离为13mm，主栅线12的长度为154mm，主栅线12的宽度为0.4-0.6mm。
本实施例中所述的副栅线11的数目为90根，副栅线11的宽度为60um。
本实施例中所述的副主栅13的数目为2根，分布在最边缘的两根主栅线的两侧位置，且采用分段式设计，副主栅13的宽度为60um。
以上说明书中描述的只是本实用新型的具体实施方式，各种举例说明不对本实用新型的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式做修改或变形，而不背离实用新型的实质和范围。
Claims (5)
1.一种N型双面太阳电池的电极结构，包括正面和背面，其特征在于：所述的正面包括若干条相互平行的主栅线、若干条平行于主栅的副主栅以及若干条与主栅线相垂直的副栅线；所述的背面也包括若干条相互平行的主栅线、若干条平行于主栅的副主栅以及若干条与主栅线相垂直的副栅线；
所述的正面印刷的主栅线与背面印刷的主栅线的中心线一一对齐，且所述的正面与背面印刷的主栅线数量相同，均为6-10条；主栅线为实心直线结构且两端设置为尖头电极；
所述的正面与背面各自的相邻主栅线的中间位置和最边缘的两根主栅线的两侧位置，设有与主栅线平行，与副栅线垂直相交的副主栅，副主栅为连续直线设计或分段设计；
所述正面和背面的副栅线均设有70-150条，相互平行设置并均与各自所述的主栅线相垂直。
2.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳电池的电极结构，其特征在于：所述的正面与背面上的主栅线之间的间距均为12-24mm。
3.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳电池的电极结构，其特征在于：所述的实心直线结构的主栅线的宽度为0.4-1.3mm。
4.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳电池的电极结构，其特征在于：所述的正面与背面上的副主栅的宽度均为30-80μm。
5.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳电池的电极结构，其特征在于：所述的正面与背面上的副栅线的宽度均为30-80μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520169950.7U CN204497242U (zh) | 2015-03-25 | 2015-03-25 | 一种n型双面太阳电池的电极结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520169950.7U CN204497242U (zh) | 2015-03-25 | 2015-03-25 | 一种n型双面太阳电池的电极结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204497242U true CN204497242U (zh) | 2015-07-22 |
Family
ID=53576536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201520169950.7U Expired - Fee Related CN204497242U (zh) | 2015-03-25 | 2015-03-25 | 一种n型双面太阳电池的电极结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204497242U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110137289A (zh) * | 2018-02-08 | 2019-08-16 | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 | 硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池 |
| CN111933727A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-11-13 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种晶硅太阳电池背电极结构 |
-
2015
- 2015-03-25 CN CN201520169950.7U patent/CN204497242U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110137289A (zh) * | 2018-02-08 | 2019-08-16 | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 | 硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池 |
| CN110137289B (zh) * | 2018-02-08 | 2024-05-10 | 国家电投集团新能源科技有限公司 | 硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池 |
| CN111933727A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-11-13 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种晶硅太阳电池背电极结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN205657066U (zh) | 一种背面钝化接触电池电极结构 | |
| CN203752663U (zh) | 一种太阳能电池正面电极印刷网版 | |
| CN102931245A (zh) | 太阳电池正面栅线及印刷该正面栅线的太阳能电池片 | |
| CN204596801U (zh) | 一种多主栅的n型双面太阳能电池片 | |
| CN107068798A (zh) | 背接触异质结太阳能电池及其制作方法 | |
| CN102544128B (zh) | 一种太阳能电池 | |
| CN204497242U (zh) | 一种n型双面太阳电池的电极结构 | |
| CN204558503U (zh) | 一种具有非晶硅/微晶硅复合层的hit太阳能电池 | |
| CN201796897U (zh) | 晶体硅太阳电池的正面电极结构 | |
| CN203055923U (zh) | 太阳电池正面栅线及印刷该正面栅线的太阳能电池片 | |
| CN202712196U (zh) | 一种n型背接触双面太阳能电池的背面电极结构 | |
| CN203085565U (zh) | 一种新型太阳能电池正电极 | |
| CN203250753U (zh) | 一种太阳能电池片正面正电极 | |
| CN103178130A (zh) | 晶体硅太阳能电池的电极 | |
| CN104282772A (zh) | 一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池 | |
| CN203434166U (zh) | 一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池结构 | |
| CN104124287A (zh) | 一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构及单晶硅太阳电池 | |
| CN211629122U (zh) | 一种双面太阳能电池片 | |
| CN202957258U (zh) | 一种晶体硅太阳能电池及其正面电极 | |
| CN203150564U (zh) | 一种太阳能电池正面栅线分段电池片 | |
| CN206878022U (zh) | 一种多晶硅薄膜太阳能电池 | |
| CN221239620U (zh) | 一种背接触异质结太阳能电池电极结构 | |
| CN103117314B (zh) | 太阳能电池片 | |
| CN204289471U (zh) | 一种晶体硅太阳能电池结构 | |
| CN207542256U (zh) | 一种mwt电池正面电极 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: 213000 No. 99 Yang Hu Road, Wujin hi tech Industrial Development Zone, Jiangsu, Changzhou Patentee after: JIANGSU SHUNFENG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 213169, Jiangsu province Changzhou city Wujin District snow town industrial concentration area Patentee before: JIANGSU SHUNFENG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150722 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |