CN204244185U - 用于步进电机控制器的功率放大电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于步进电机控制器的功率放大电路，涉及电机控制器技术领域，包括输入电路、电流反馈电路和H桥电路，所述输入电路的输出端与H桥电路的输入端连接，所述H桥电路的输出端与电流反馈电路连接。本实用新型的有益效果在于：采用常用的电容、电阻、晶体管构成功率放大电路，支持更宽的电压范围，驱动控制器的供电范围为6V～50V，能适应更多类型的步进电机控制器以及驱动更多类型的步进电机。无需采用专用电机驱动芯片或H桥芯片，消除了对进口芯片的依赖，成本低，体积小，采用此功率放大电路的步进电机控制器可直接安装在步进电机后盖上，一体化程度高，接线数量少，更加整齐美观。

Description

用于步进电机控制器的功率放大电路

技术领域

本实用新型涉及一种电机控制器技术领域，特别涉及一种用于步进电机控制器的功率放大电路。

背景技术

步进电机是将电脉冲信号转换为角位移或线位移的开环控制元件，在工业生产中，步进电机被广泛用于各种精密运动机构中，完成系统的位置控制功能。步进电机运行过程中面临的主要问题有振动、过热和失步等，需要通过控制器采用细分、电流衰减、闭环控制等技术手段来解决。对步进电机的控制和驱动，目前大多采用单片机结合专用驱动芯片的方式，或者采用DSP芯片结合专用驱动芯片方式，或者采用FPGA结合专用驱动芯片的方式。专用驱动芯片大多数都是国外进口的，存在成本高，选型和采购受到限制，并且由于采用了驱动芯片导致控制器和步进电机的供电电压受限制。

综上所述，有必要设计一种低成本、体积小、易实现，供电范围宽的步进电机功率放大电路，取代进口的专用驱动芯片，以解决上述问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题在于提供一种用于步进电机控制器的功率放大电路，其成本低廉、体积小、易实现，不依赖专用芯片，供电范围宽。

本实用新型通过以下技术手段解决上述技术问题：

本实用新型的用于步进电机控制器的功率放大电路，包括输入电路、电流反馈电路和H桥电路，所述输入电路的输出端与H桥电路的输入端连接，所述H桥电路的输出端与电流反馈电路连接。

进一步，所述H桥电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三 极管、第一快速二极管、第二快速二极管、第三快速二极管、第四快速二极管，所述第一三极管和第二三极管为NPN型晶体管，所述第三三极管和第四三极管为PNP型晶体管，所述第一三极管的集电极分别与第三快速二极管的阴极、第二快速二极管的阴极和第二三极管的集电极连接并与电源正极连接，所述第一三极管的发射极分别与第三快速二极管的阳极、第三三极管的发射极和第四快速二极管的阴极连接，所述第二三极管的发射极分别与第二快速二极管的阳极、第四三极管的发射极和第一快速二极管的阴极连接，所述第三三极管的集电极与第四三极管的集电极之间连接步进电机的一相绕组。

进一步，所述输入电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第八电阻、第五三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管、第九三极管和第十三极管，所述第五三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管、第九三极管和第十三极管为NPN型晶体管，所述第一电阻的一端与第五三极管的集电极连接并接电源正极，所述第一电阻的另一端分别与所述第五三极管的基极、第七三极管的集电极和第三三极管的基极连接，所述第七三极管的发射极与第十三极管的集电极连接，所述第七三极管的基极与第三电阻的一端连接，所述第十三极管的发射极接地，所述第十三极管的基极与第八电阻的一端连接，所述第六三极管的集电极与第二电阻的一端连接并与电源正极连接，第六三极管的基极分别与第二电阻的另一端、第四三极管的基极和第八三极管的集电极连接，所述第八三极管的基极分别与第四电阻的一端和第九三极管的集电极连接，所述第八三极管的发射极与第九三极管的发射极连接并接地，所述第九三极管的基极与第五电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与第八电阻的另一端连接并与PWM控制信号输入端连接，所述第三电阻的另一端与第五电阻的另一端连接并与方向信号输入端连接。

进一步，还包括H桥驱动电路，所述H桥驱动电路的输入端与所述输入电路的输出端连接，所述H桥驱动电路的输出端与H桥电路的输入端连接。

进一步，所述H桥电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一快速二极管、第二快速二极管、第三快速二极管和第四快速二 极管，所述第一NMOS管的漏极连接电源正极，第一NMOS管栅极连接H桥驱动电路的输出端，第一NMOS管源极连接第三快速二极管的阳极，所述第二NMOS管的漏极连接电源正极，第二NMOS管的栅极连接H桥驱动电路的输出端，第二NMOS管源极连接第二快速二极管的阳极，第三NMOS管的漏极分别与第一NMOS管的源极和第四快速二极管的阴极连接，第三NMOS管栅极连接H桥驱动电路输出端，第四NMOS管漏极分别与第二NMOS管的源极和第一快速二极管的阴极连接，第四NMOS管栅极连接H桥驱动电路输出端，第四NMOS管的源极与第一NMOS管的源极之间连接步进电机的一相绕组。

进一步，所述H桥驱动电路包括第五快速二极管、第六稳压管、第七快速二极管、第一电阻、第九电阻、第十五电阻、第一电容、第二电容、第五三极管和第十一三极管，第五三极管为NPN型晶体管，第十一三极管为PNP型晶体管，所述第五快速二极管的阳极接电源正极，第五快速二极管的阴极与第九电阻的一端连接，所述第九电阻的另一端分别与第六稳压管的阴极、第七快速二极管的阳极、第二电容的一端连接，所述第六稳压管的阳极和第二电容的另一端连接为H桥驱动电路的输入端，所述第七快速二极管的阴极与第五三极管的集电极连接，所述第五三极管的基极分别与第十五电阻的一端和第十一三极管的基极连接为H桥驱动电路的另一输入端，所述第十五电阻的另一端接地，所述第五三极管的发射极分别与第十一三极管的发射极、第一电阻的一端和第一电容的一端连接，所述第十一三极管的集电极接地，所述第一电阻的另一端和第一电容的另一端连接为H桥驱动电路的输出端。

进一步，所述输入电路包括第三电阻、第四电阻、第五电阻、第八电阻、第八三极管、第九三极管、第十三极管、第十六三极管，其中第十六三极管的集电极连接电源，第十六三极管的发射极与第十三极管的集电极连接，第十六三极管的基极与第三电阻的一端连接，第十三极管的基极与第八电阻的一端连接，第十三极管发射极分别与第二H桥驱动电路和第四H桥的驱动电路的输入端连接，第八三极管的集电极连接电源正极，第八三极管的发射极分别与第一H桥驱动电路和第三H桥驱动电路的输入端连接，第八三极管的基极分别与第四电阻的一端和 第九三极管的集电极连接，第九三极管的发射极接地，第九三极管的基极与第五电阻的一端连接，第五电阻的另一端与第三电阻的另一端连接并与输入方向信号端连接，第四电阻的另一端与第八电阻的另一端连接并与输入信号端连接。

本实用新型的有益效果：本实用新型的用于步进电机控制器的功率放大电路，包括脉冲调制信号输入电路、电流反馈电路和两个相同的H桥电路，所述脉冲调制信号输入电路的输出端与H桥电路的输入端连接，所述H桥电路的输出端与电流反馈电路连接。采用常用的电容、电阻、晶体管构成功率放大电路，支持更宽的电压范围，驱动控制器的供电范围为6V～50V，可用于更多类型的步进电机控制器以驱动更多类型的步进电机。其成本低廉、体积小、易实现，不依赖专用芯片，采用此功率放大电路的步进电机控制器可直接安装在步进电机后盖上，一体化程度高，接线数量少，更加整齐美观。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步描述。

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型的实施例1的具体电路图；

图3为本实用新型的实施例2的具体电路图；

图4为本实用新型的实施例2中H桥驱动电路电路图。

具体实施方式

以下将结合附图对本实用新型进行详细说明：

实施例1

步进电机控制器包括电源、电源隔离电路、通讯电路、数字控制器、信号隔离电路和功率放大电路，所述电源分别与电源隔离电路和功率放大电路连接，所述电源隔离电路分别与通讯电路、数字控制器和信号隔离电路连接，所述通讯电路、数字控制器、信号隔离器和功率放大电路顺次连接。如图1所示，功率放大电路包括输入电路、电流反馈电路和H桥电路，所述输入电路的输出端与H桥电 路的输入端连接，所述H桥电路的输出端与电流反馈电路连接。

如图2所示，其中，所述脉冲调制信号输入电路接收来自控制器的方向输入信号DIR_IN和PWM输入信号，用来控制上述H桥电路的导通行为，并确保H桥中的高位晶体管和低位晶体管不会同时导通，第一三极管Q1和第三三极管Q3不会同时导通，第二三极管Q2和第四三极管Q4不会同时导通。所述输入电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第八电阻R8、第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9和第十三极管Q10，其中，所述第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9和第十三极管Q10为NPN型晶体管，所述第一电阻R1的一端与第五三极管Q5的集电极连接并接电源正极，所述第一电阻R1的另一端分别与所述第五三极管Q5的基极、第七三极管Q7的集电极和第三三极管Q3的基极连接，所述第七三极管Q7的发射极与第十三极管Q10的集电极连接，所述第七三极管Q7的基极与第三电阻R3的一端连接，所述第十三极管Q10的发射极接地，所述第十三极管Q10的基极与第八电阻R8的一端连接，所述第六三极管Q6的集电极与第二电阻R2的一端连接并与电源正极连接，第六三极管Q6的基极分别与第二电阻R2的另一端、第四三极管Q4的基极和第八三极管Q8的集电极连接，所述第八三极管Q8的基极分别与第四电阻R4的一端和第九三极管Q9的集电极连接，所述第八三极管Q8的发射极与第九三极管Q9的发射极连接并接地，所述第九三极管Q9的基极与第五电阻R5的一端连接，所述第四电阻R4的另一端与第八电阻R8的另一端连接并与PWM控制信号输入端连接，所述第三电阻R3的另一端与第五电阻R5的另一端连接并与方向信号输入端DIR_IN端连接。当输入信号DIR_IN为高电平时，第九三极管Q9和第七三极管Q7具备导通条件，当输入信号PWM跳变为高电平时，第九三极管Q9导通，将第八三极管Q8的基极钳位在低电平，使得第四三极管Q4截止，同时第七三极管Q7和第十三极管Q10导通，将第七三极管Q7的集电极拉到低电平，使得第三三极管Q3导通，电流从第二三极管Q2流经绕组到第三三极管Q3，然后接地。当输入信号DIR_IN为低电平时，第九三极管Q9和第七三极管Q7不具备导通条件， Q7的集电极为高电平，使得第三三极管Q3截止，当输入信号PWM跳变为高电平时，第八三极管Q8导通，将第八三极管Q8的集电极拉到低电平，使得第四三极管Q4导通，电流从第一三极管流经绕组到第四三极管Q4，然后接地。

所述H桥电路主要由四个功率三极管和四个快速二极管组成，包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一快速二极管D1、第二快速二极管D2、第三快速二极管D3、第四快速二极管D4，所述第一三极管和第二三极管Q2为NPN型晶体管，所述第三三极管Q3和第四三极管Q4为PNP型晶体管，所述第一三极管的集电极分别与第三快速二极管D3的阴极、第二快速二极管D2的阴极和第二三极管Q2的集电极连接并与电源正极连接，所述第一三极管的发射极分别与第三快速二极管D3的阳极、第三三极管Q3的发射极和第四快速二极管D4的阴极连接，所述第二三极管Q2的发射极分别与第二快速二极管D2的阳极、第四三极管Q4的发射极和第一快速二极管D1的阴极连接。所述第三三极管Q3的发射极与第四三极管Q4的发射极之间连接步进电机的一相绕组，绕组的电流方向由输入电路中的方向信号DIR_IN控制，当DIR_IN为高电平时，第二三极管Q2和第三三极管Q3组成一个导通回路，输入电路中的PWM信号控制器这一回路的导通频率，当PWM为高电平时电流从电源流经第二三极管Q2到绕组，再经过第三三极管Q3到采样电阻第六电阻R6，然后接地。同理，当DIR_IN为低电平时，第一三极管Q1和第四三极管Q4组成一个导通回路，输入电路中的PWM信号控制器这一回路的导通频率，当PWM为高电平时电流从电源流经第一三极管Q1到绕组，再经过第四三极管Q4到采样电阻第七电阻R7，然后接地。因此，控制器MCU就可以通过改变输入信号DIR_IN的方向和PWM信号的频率来改变电机绕组的电流方向和大小。第一快速二极管D1、第二快速二极管D2、第三快速二极管D3和第四快速二极管D4提供了电机绕组产生反向电动势时的泄放通路。

所述电流反馈电路由采样电阻第六电阻R6和第七电阻R7组成，当输入方向信号DIR_IN端为高电平时，PWM信号跳变为高电平使得电流流经采样电阻第六电阻R6到地，可以从其上端获取一个电压反馈信号通过SENSE0端获取。当输入 方向信号DIR_IN端为低电平时，PWM信号跳变为高电平使得电流流经采样电阻第七电阻R7接地，可以从其上端获取一个电压反馈信号通过SENSE1端获取。将这两个反馈信号送给控制器的A/D转换电路，作为电流控制的依据。

实施例2

控制器功率放大电路包括脉冲调制信号输入电路、H桥驱动电路、H桥电路和电流反馈电路，脉冲调制信号输入电路的输出端与H桥驱动电路的输入端连接，H桥驱动电路的输出端与H桥电路输入端连接，H桥电路输出端与电流反馈电路连接。与实施例1相比，H桥电路采用NMOS管代替功率三极管，可以满足大电流的应用需求。由于在同样规格的情况下，PMOS管的价格更高，因此在本实施例中未采用PMOS管。另外NMOS管H桥需要专门的驱动电路，以确保NMOS管被可靠的快速导通和截止，同时输入电路也和实施例1有所不同，电流反馈电路与实施例1相同。

如图3，所述H桥电路包括第一NMOS管Q1、第二NMOS管Q2、第三NMOS管Q3、第四NMOS管Q4、第一快速二极管D1、第二快速二极管D2、第三快速二极管D3和第四快速二极管D4，所述第一NMOS管Q1的漏极连接电源正极，第一NMOS管Q1栅极连接H桥驱动电路的输出端，第一NMOS管Q1源极连接第三快速二极管D3的阳极，所述第二NMOS管Q2的漏极连接电源正极，第二NMOS管Q2的栅极连接H桥驱动电路的输出端，第二NMOS管Q2源极连接第二快速二极管D2的阳极，第三NMOS管Q3的漏极分别与第一NMOS管Q1的源极和第四快速二极管D4的阴极连接，第三NMOS管Q3栅极连接H桥驱动电路输出端，第四NMOS管Q4漏极分别与第二NMOS管Q2的源极和第一快速二极管D1的阴极连接，第四NMOS管Q4栅极连接H桥驱动电路输出端，第四NMOS管Q4的源极与第一NMOS管Q1的源极之间连接步进电机的一相绕组，绕组的电流方向由输入电路中的方向信号DIR_IN端控制，当DIR_IN端为高电平时，第二NMOS管Q2和第三NMOS管Q3组成一个导通回路，输入电路中的PWM信号控制器这一回路的导通频率，当PWM为高电平时电流从电源流经第二NMOS管Q2到绕组，再经过第三NMOS管Q3到采样电阻R6，然后接地。同理，当DIR_IN端为低电平时，第一NMOS管Q1和第四NMOS 管Q4组成一个导通回路，输入电路中的PWM信号控制器这一回路的导通频率，当PWM为高电平时电流从电源流经第一NMOS管Q1到绕组，再经过第四NMOS管Q4到采样电阻第七电阻R7，然后接地。因此，控制器MCU就可以通过改变输入信号DIR_IN端的方向和PWM信号的频率来改变电机绕组的电流方向和大小。第一快速二极管D1、第二快速二极管D2、第三快速二极管D3和第四快速二极管D4提供了电机绕组产生反向电动势时的泄放通路。

如图4所示，所述H桥驱动电路包括第五快速二极管D2、第六稳压管D6、第七快速二极管D7、第一电阻R1、第九电阻R9、第十五电阻R15、第一电容C1、第二电容C2、第五三极管Q5和第十一三极管Q11，第五三极管Q5为NPN型晶体管，第十一三极管Q11为PNP型晶体管，所述第五快速二极管D5的阳极接电源正极，第五快速二极管D5的阴极与第九电阻R9的一端连接，所述第九电阻R9的另一端分别与第六稳压管D6的阴极、第七电阻R7的阳极、第二电容C2的一端连接，所述第六稳压管D6的阳极和第二电容C2的另一端连接为H桥驱动电路的输入端S_point端，所述第七快速二极管D7的阴极与第五三极管Q5的集电极连接，所述第五三极管Q5的基分别与第十五电阻R15的一端和第十一三极管Q11的集电极连接为H桥驱动电路的另一输入端G_ctrl端，所述第十五电阻R15的另一端接地，所述第五三极管Q5的发射极分别与第十一三极管Q11的发射极、第一电阻R1的一端和第一电容C1的一端连接，所述第十一三极管Q11的集电极接地，所述第一电阻R1的另一端和第一电容C1的另一端连接为H桥驱动电路的输出端G_point端。其中，第五快速二极管D5、第七快速二极管D7、第六稳压二极管D6、第九电阻R9、第二电容C2组成电荷泵，所述电荷泵从NMOS管的源极获取当前电平，并将该电平抬高一个固定的电平值，送给栅极驱动电路，以确保NMOS管的栅极开启电压Vgs始终维持一个固定的电平值，该电平值的大小由第六稳压二极管D6决定。其中第五三极管Q5、第十一三极管Q11、第十五电阻R15、第一电阻R1、第一电容C1组成栅极驱动电路，该电路接收栅极控制信号G_ctrl端，确保NMOS被快速的开启或截止。当G_ctrl端为高电平时，第五三极管Q5导通，第十一三极管Q11截止，来自电荷泵的栅极驱动电压通过第一电 容C1加到NMOS管的栅极，开启NMOS管，当G_ctrl端为低电平时，第十一三极管Q11导通，第五三极管Q5截止，NMOS管栅极电容上的电荷通过第一电阻R1，第十一三极管Q11释放到地，使得NMOS管快速可靠截止。

上述脉冲调制信号输入电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第八电阻R8、第八三极管Q8、第九三极管Q9、第十三极管Q10、第十六三极管Q16，其中第十六三极管Q16的集电极连接电源，第十六三极管Q16的发射极与第十三极管Q10的集电极连接，第十六三极管Q16的基极与第三电阻R3的一端连接，第十三极管Q10的基极与第八电阻R8的一端连接，第十三极管Q10发射极分别与第二H桥驱动电路SC2和第四H桥的驱动电路SC4的G_ctrl端连接，第八三极管Q8的集电极连接电源，第八三极管Q8的发射极分别与第一H桥驱动电路SC1和第三H桥驱动电路SC3的G_ctrl端连接，第八三极管Q8的基极分别与第四电阻R4的一端和第九三极管Q9的集电极连接，第九三极管Q9的发射极接地，第九三极管Q9的基极与第五电阻R5的一端连接，第五电阻R5的另一端与第三电阻R3的另一端连接并与输入方向信号DIR_IN端连接，第四电阻R4的另一端与第八电阻R8的另一端连接并与输入信号PWM_IN端连接。当输入方向信号DIR_IN端为高电平时，第九三极管Q9导通，将第八三极管Q8的基极钳位到低电平，使得第一H桥驱动电路SC1和第三H桥驱动电路SC3的栅极控制信号G_ctrl端也为低电平，从而使得第二NMOS管Q2和第三NMOS管Q3截止，此时当输入信号PWM跳变为高电平时，第十三极管Q10和第十六三极管Q16导通，第二H桥驱动电路SC2和第四H桥驱动电路SC4的栅极控制信号G_ctrl端为高电平，使得第一NMOS管Q1和第四NMOS管Q4导通，电流从电源流经第一NMOS管Q1、电机绕组、第四NMOS管Q4，再经过采样电阻第七电阻R7接地。当输入方向信号DIR_IN端为低电平时，第九三极管Q9和第十六三极管Q16不具备导通条件，第十三极管Q10截止，第一H桥驱动电路SC2和第四H桥驱动电路SC4的栅极控制信号G_ctrl端为低电平，第一NMOS管和第四NMOS管Q4截止，此时当输入信号PWM跳变为高电平时，第八三极管Q8导通，第一H桥驱动电路SC1和第三H桥驱动电路SC3的栅极控制信号G_ctrl端为高电平，使得第二NMOS管Q2 和第三NMOS管Q3导通，电流从电源流经第二NMOS管Q2、电机绕组、第三NMOS管Q3，再经过采样电阻第六电阻R6接地。如此，控制器MCU就可以通过改变输入信号DIR_IN端的方向和PWM信号的频率来改变电机绕组的电流方向和大小。

最后说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。

Claims (7)

1.用于步进电机控制器的功率放大电路，其特征在于：包括输入电路、电流反馈电路和H桥电路，所述输入电路的输出端与H桥电路的输入端连接，所述H桥电路的输出端与电流反馈电路连接。

2.如权利要求1所述的用于步进电机控制器的功率放大电路，其特征在于：所述H桥电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一快速二极管、第二快速二极管、第三快速二极管、第四快速二极管，所述第一三极管和第二三极管为NPN型晶体管，所述第三三极管和第四三极管为PNP型晶体管，所述第一三极管的集电极分别与第三快速二极管的阴极、第二快速二极管的阴极和第二三极管的集电极连接并与电源正极连接，所述第一三极管的发射极分别与第三快速二极管的阳极、第三三极管的发射极和第四快速二极管的阴极连接，所述第二三极管的发射极分别与第二快速二极管的阳极、第四三极管的发射极和第一快速二极管的阴极连接，所述第三三极管的集电极与第四三极管的集电极之间连接步进电机的一相绕组。

3.如权利要求1所述的用于步进电机控制器的功率放大电路，其特征在于：所述输入电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第八电阻、第五三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管、第九三极管和第十三极管，所述第五三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管、第九三极管和第十三极管为NPN型晶体管，所述第一电阻的一端与第五三极管的集电极连接并接电源正极，所述第一电阻的另一端分别与所述第五三极管的基极、第七三极管的集电极和第三三极管的基极连接，所述第七三极管的发射极与第十三极管的集电极连接，所述第七三极管的基极与第三电阻的一端连接，所述第十三极管的发射极接地，所述第十三极管的基极与第八电阻的一端连接，所述第六三极管的集电极与第二电阻的一端连接并与电源正极连接，第六三极管的基极分别与第二电阻的另一端、第四三极管的基极和第八三极管的集电极连接，所述第八三极管的基极分别与第四电阻的一端和第九三极管的集电极连接，所述第八三极管的发 射极与第九三极管的发射极连接并接地，所述第九三极管的基极与第五电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与第八电阻的另一端连接并与PWM控制信号输入端连接，所述第三电阻的另一端与第五电阻的另一端连接并与方向信号输入端连接。

4.如权利要求1所述的用于步进电机控制器的功率放大电路，其特征在于：还包括H桥驱动电路，所述H桥驱动电路的输入端与所述输入电路的输出端连接，所述H桥驱动电路的输出端与H桥电路的输入端连接。

5.如权利要求4所述的用于步进电机控制器的功率放大电路，其特征在于：所述H桥电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一快速二极管、第二快速二极管、第三快速二极管和第四快速二极管，所述第一NMOS管的漏极连接电源正极，所述第一NMOS管栅极连接H桥驱动电路的输出端，所述第一NMOS管源极连接第三快速二极管的阳极，所述第二NMOS管的漏极连接电源正极，所述第二NMOS管的栅极连接H桥驱动电路的输出端，所述第二NMOS管源极连接第二快速二极管的阳极，所述第三NMOS管的漏极分别与第一NMOS管的源极和第四快速二极管的阴极连接，所述第三NMOS管栅极连接H桥驱动电路输出端，所述第四NMOS管漏极分别与第二NMOS管的源极和第一快速二极管的阴极连接，所述第四NMOS管栅极连接H桥驱动电路输出端，所述第四NMOS管的源极与第一NMOS管的源极之间连接步进电机的一相绕组。

6.如权利要求4所述的用于步进电机控制器的功率放大电路，其特征在于：所述H桥驱动电路包括第五快速二极管、第六稳压管、第七快速二极管、第一电阻、第九电阻、第十五电阻、第一电容、第二电容、第五三极管和第十一三极管，第五三极管为NPN型晶体管，第十一三极管为PNP型晶体管，所述第五快速二极管的阳极接电源正极，第五快速二极管的阴极与第九电阻的一端连接，所述第九电阻的另一端分别与第六稳压管的阴极、第七快速二极管的阳极、第二电容的一端连接，所述第六稳压管的阳极和第二电容的另一端连接为H桥驱动电路的输入端，所述第七快速二极管的阴极与第五三极管的集电极连接，所述第五三极管的基极分别与第十五电阻的一端和第十一三极管的基极连接为H桥驱动电路的另 一输入端，所述第十五电阻的另一端接地，所述第五三极管的发射极分别与第十一三极管的发射极、第一电阻的一端和第一电容的一端连接，所述第十一三极管的集电极接地，所述第一电阻的另一端和第一电容的另一端连接为H桥驱动电路的输出端。

7.如权利要求4所述的用于步进电机控制器的功率放大电路，其特征在于：所述输入电路包括第三电阻、第四电阻、第五电阻、第八电阻、第八三极管、第九三极管、第十三极管、第十六三极管，其中第十六三极管的集电极连接电源，所述第十六三极管的发射极与第十三极管的集电极连接，所述第十六三极管的基极与第三电阻的一端连接，所述第十三极管的基极与第八电阻的一端连接，所述第十三极管发射极分别与第二H桥驱动电路和第四H桥的驱动电路的输入端连接，所述第八三极管的集电极连接电源正极，所述第八三极管的发射极分别与第一H桥驱动电路和第三H桥驱动电路的输入端连接，所述第八三极管的基极分别与第四电阻的一端和第九三极管的集电极连接，所述第九三极管的发射极接地，所述第九三极管的基极与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与第三电阻的另一端连接并与输入方向信号端连接，所述第四电阻的另一端与第八电阻的另一端连接并与输入信号端连接。