CN105871180A - 一种大电流cmos推挽驱动电路及其控制方法 - Google Patents

一种大电流cmos推挽驱动电路及其控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了本发明公开了一种能在5‑10V电源电压下工作的大电流CMOS推挽驱动电路及其控制方法，主要应用于大功率MOS的栅极驱动。该电路包括一直流电源、一个线性稳压电路(LDO)、一控制电路、一个NMOS、一个PMOS和输出负载。线性稳压电路和控制电路都直接由直流电源供电，LDO输出与控制电路相连，PWM输入信号接控制电路，控制电路输出两路信号，分别与NMOS和PMOS的栅极相连。该方法通过自适应控制，根据输入PWM信号，在不同的直流电源电压下，控制NMOS/PMOS的打开与关闭，实现对负载驱动。本发明的积极效果是：电路结构简单，扩展了Vgs耐压只有5V的CMOS工艺的应用，拓宽了输入电压范围，提高了输出电压，增强了电路的驱动能力。

Description

一种大电流CMOS推挽驱动电路及其控制方法
技术领域
本发明属于CMOS集成电路技术领域，具体涉及大电流CMOS推挽驱动电路及其控制方法。
背景技术
目前由于受到MOS工艺VGS、VDS耐压5V的限制，功率MOS的驱动电路的电源电压和输出电压都不能超过5V。而大部分功率MOS的VGS耐压都在10V以上，开启电压大于1.5V，甚至3.5V。提高驱动电路的输出电压，能极大的降低对功率MOS选型的要求，有效的提高功率MOS的驱动效率，减小功率管上的热损耗，提高开关电源系统效率。
图1是当前的一种驱动电路，被广泛地应用于驱动开关电路中功率MOS打开或者关闭。102控制电路为逻辑控制电路，将输入PWM信号转化为非重叠时相的两路信号；103、104以及105和106为信号缓冲器，通过逐级放大，增强驱动能力，根据需要驱动的MOS的大小，可串联多级；107是驱动输出级的PMOS，PMOS打开时，驱动电路可输出电流，从而拉高负载电压；108为驱动输出级的NMOS，其打开时，驱动电路从负载拉电流，而将负载电压拉低。该电路可输入输出较大的电流，缺点是工作电压受限于器件的VGS(栅源)耐压，普通CMOS工艺下只能输出5V的电压，对外置功率MOS的选型要求较高。
发明内容
针对上述现有技术的缺陷和不足，本发明要解决的技术问题是：在VGS耐 压不超过5V的普通CMOS工艺下，提供一种驱动能力强、电路简单，工作在5ˉ10V电压范围，且输出能达到10V大功率CMOS的推挽驱动电路。
为了解决上述的技术问题，本发明提供了一种大电流CMOS推挽驱动电路，该电路包括直流电源(201)、线性稳压电路(202)、控制电路(203)、NMOS管(205)、PMOS(204)和输出负载；所述线性稳压电路(202)和控制电路(203)由直流电源(201)供电，线性稳压电路(202)输出与控制电路(203)相连，PWM输入信号接控制电路(203)，控制电路(203)输出两路信号，分别与NMOS管(205)和PMOS管(204)的栅极相连；所述NMOS管(205)和PMOS管(204)的漏极相连并与所述输出负载连接；所述控制电路(203)将PWM信号的电压增高；
当PWM信号为高电平时，控制电路(203)输出低电平，关闭NMOS管(205)，打开PMOS管(204)，从而将负载电压拉高；反之，当PWM信号为低电平时，控制电路(203)输出高电平，打开NMOS管(205)，同时关闭PMOS管(204)，将负载电压拉低。
在一较佳实施例中：所述线性稳压电路包括基准电压(302)、运算放大器(303)、两个多晶硅电阻(304)、(305)以及NMOS管(306)；所述NMOS管(306)的栅极与运算放大器(303)的输出端连接，源极与所述多晶硅电阻(304)、(305)串联后接入所述直流电源(201)的负极，漏极与所述直流电源(201)的正极连接；
基准电压(302)由带隙基准电路给出；运算放大器(303)、多晶硅电阻(304)、(305)以及NMOS管(306)组成了一个闭环系统，其输出VCC电压满足：其中，Vref即为基准电压的电压值；
所述NMOS管(306)为高压NMOS管，其栅源耐压为5V，漏源耐压大于10V。
在一较佳实施例中：所述控制电路包括悬浮地偏置电路(402)、箝位保护电路(403)、电平转换和非重叠时相电路(404)、电流缓冲器(416)、(417)；其中：
所述悬浮地偏置电路包含NMOS管(405)、(406)组成的NMOS电流镜，高压PMOS管(410)、(411)组成的PMOS电流镜；产生偏置电压的电阻(407)，将高压PMOS管(410)、(411)的栅极偏置为比直流电源电压低；以及低压NMOS管(408)和高压NMOS管(409)，所述高压NMOS管(409)的栅极与线性稳压电路的输出连接，源极与低压NMOS管(408)的漏极连接，低压NMOS管(408)的源极与直流电源(201)的负极连接；
所述箝位保护电路包含3个串联的PMOS管(413)、(414)、(415)，它们的栅极和漏极短接，对悬浮地偏置电路的电压箝位，使其不至于太低而超过PMOS管(412)的耐压极限，所述PMOS管(412)的漏极与直流电源的负极连接，栅极经过所述电阻(407)与直流电源(201)的正极连接；
所述电流缓冲器(416)、(417)由串联的反相器组成，分别接电平转换和非重叠时相电路(404)的输出信号OUT_H和信号OUT_L；其中电流缓冲器(416)的地线与悬浮地相连，当OUT_H为高时，电流缓冲器(416)从负载拉电流，电流将流经电流缓冲器(416)到悬浮地，再经PMOS管(412)到直流电源(201)的负极。
在一较佳实施例中：电平转换和非重叠时相电路(404)包含电平转换电路(502)和非重叠时相电路(503)；
所述电平转换电路(502)包括四个低压NMOS管(504)、(505)、(506)、(507)以及四个低压PMOS管(508)、(509)、(510)和(511)，PMOS管(510)、(511)的源极均接直流电源(201)的正极，并采用交叉耦合方式连接，组成正反馈回路；NMOS管(504)、(505)的源极接地，且其栅极分别接反相器的输入和输出；PMOS管(508)、(509)以及NMOS管(506)、(507)的栅极统一接所述箝位保护电路的输出；
当NMOS管(504)的栅极信号为高时，NMOS管(505)的栅极信号为低，PMOS管 (511)的栅极被拉低，PMOS管(511)导通，将输出信号OUT_H拉高，PMOS管(510)被关断，让PMOS(511)的栅极更容易被拉低，从而形成正反馈，加速了OUT_H的升高；反之，当NMOS管(504)的栅极信号为低时，NMOS管(505)被打开，将OUT_H信号拉低，将PWM信号转化为较高电压的PWM信号；
在一较佳实施例中：所述非重叠时相电路(503)是逻辑时序电路，全部由逻辑与非门和非门组成；将PWM信号转化为2个不会同时为高的PWM信号。
在一较佳实施例中：所述直流电源(201)的电压为5-10V。
在一较佳实施例中：所述线性稳压电路(202)对直流电源(201)进行降压，从而输出稳定的5V电压，给控制电路(203)做低压偏置。
本发明还提供了一种上述大电流CMOS推挽驱动电路的控制方法：当输入PWM信号为高时，控制电路输出低电平，关闭NMOS管(205)，打开PMOS管(204)，从而将负载电压拉高；反之，当PWM信号为低电平时，控制电路输出高电平，打开NMOS管(205)，同时关闭PMOS(204)，降负载电压拉低；保证NMOS(205)和PMOS(204)不会同时打开。
在一较佳实施例中：所述NMOS(205)和PMOS(204)的栅极驱动信号是非重叠时相的方波信号。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案具备以下有益效果：
本发明提供的一种大电流CMOS推挽驱动电路，在VGS耐压不超过5V的普通CMOS工艺下，驱动能力强、电路简单，工作在5ˉ10V电压范围，且输出能达到10V大功率。
附图说明
图1是现有技术中推挽驱动电路的简易原理图；
图2是本发明优选实施例中大电流CMOS推挽驱动电路原理图；
图3是本发明优选实施例中线性稳压电路的原理图；
图4是本发明优选实施例中控制电路的原理图；
图5是本发明优选实施例中电平转换和非重叠时相电路的原理图；
图6是本发明中PWM输入信号和非重叠时相电路输出信号的波形图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
图2是本发明的大电流CMOS推挽驱动电路原理图，包括直流电源201、线性稳压电路202、控制电路203、PMOS场效应管204、NMOS场效应管205和负载，其中：
直流电源201与线性稳压电路202、控制电路203以及PMOS场效应管204相连，线性稳压电路203的输出与控制电路203相连，为控制电路提供稳定的5V电压源；控制电路203输入信号为PWM信号，其输出两路信号分别与PMOS场效应管204、NMOS场效应管205的栅极相连，用于驱动NMOS/PMOS的打开/关闭；
PMOS场效应管204、NMOS场效应管205是Vgs(栅源)耐压5V、Vds(漏源)耐压>10V的器件。当PWM信号为高电平时，控制电路203输出信号PWM_A为低(电源电压-5V)，PWM_B信号也为低(0V)，PMOS 204打开，NMOS 205关断，电流从直流电源201通过PMOS流到负载，从而将负载电压拉高；当PWM信号为低电平时，控制电路203输出信号PWM_A为高(电源电压)，PWM_B信号也为高(5V)，PMOS204打开，NMOS 205关断，电流从负载经NMOS流到电源201的负极，从而将负载电压拉低；
线性稳压电路202的原理图如图3，包括直流电源301(同201)、基准电压 302、运算放大器303、多晶硅电阻304和305以及NMOS 306。其中：
基准电压302可由带隙基准电路给出。运算放大器303、多晶硅电阻304和305以及NMOS 306组成了一个闭环系统，其输出VCC电压可由下式计算：其中，Vref即为基准电压302的电压值。
电路中，只有NMOS 306是Vgs(栅源)耐压为5V，Vds(漏源)耐压>10V的高压MOS。
图4是控制电路203的原理图。包括直流电源401(同201)、悬浮地偏置电路402、嵌位保护电路403、电平转换和非重叠时相电路404、电流缓冲器416和417。其中：
悬浮地偏置电路402包含NMOS 405和406组成的NMOS电流镜，以及高压PMOS 410和411组成PMOS电流镜，产生偏置电压的电阻407，将PMOS的栅极偏置为比电源电压低，该电压可由偏置电流乘以电阻407的阻值而求得，即通过设计电阻407的阻值和偏置电流的大小，可以设定偏置电压的大小；以及低压NMOS管408和高压NMOS管409，所述高压NMOS管409的栅极与线性稳压电路的输出连接，源极与低压NMOS管408的漏极连接，低压NMOS管408的源极与直流电源201的负极连接；高压NMOS管409的作用是隔离高压，以保护低压MOS 408。
嵌位保护电路403包含3个串联的PMOS 413、414和415，它们的栅极和漏极短接，即相当于二极管，其作用是嵌位悬浮地的电压，使其不至于太低而超过PMOS 412的耐压极限。所述PMOS管412的漏极与直流电源的负极连接，栅极经过所述电阻407与直流电源201的正极连接。
电流缓冲器416和417由串联的反相器组成，分别接电平转换电路和非重叠时相电路404的输出信号OUT_H和信号OUT_L，其所用的NMOS/PMOS的尺寸逐 级增大，从而逐级提高电流驱动能力。需要留意的是，缓冲器416的地线接悬浮地，当OUT_H为高时候，缓冲器416会从负载(此处为PWM_A)拉电流，电流将流经缓冲器到悬浮地，再经PMOS 412到电源负极。
如图5是电平转换电路和非重叠时相电路404的原理图。包含电平转换电路502和非重叠时相电路503，其中：
电平转换电路502包含4个低压(耐压5V，后同)NMOS以及4个低压PMOS，PMOS 510和511的源端均接电源正极，并采用交叉耦合方式连接，组成正反馈回路；NMOS 504和505源极接地，且其栅极用相反的逻辑信号驱动，即分别接反相器的输入和输出；PMOS 508和509以及NMOS 506和507的栅极统一接钳位电路的输出，作为隔离高压；当NMOS 504的栅极信号为高(5V)时，NMOS 505的栅极信号为低，504导通，505则关断，PMOS 511的栅极被拉低，511导通，将输出信号OUT_H拉高，OUT_H被拉高，PMOS 510被关断，让511的栅极更容易被拉低，从而形成正反馈，加速了OUT_H的升高；反之，当NMOS 504栅极信号为低(0V)时，NMOS 505被打开，将OUT_H信号拉低(电源电压减去5V)。实现了电路将PWM信号(低电平0V，高电平5V)转化为较高电压的PWM信号——低电平为电源电压减去5V，高电平为电源电压。
非重叠时相电路503是逻辑时序电路，全部由逻辑与非门和非门(反向器)组成。其作用是将一个PWM信号转化为2个不会同时为高的PWM信号。其输入和输出波形如图6所示。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种大电流CMOS推挽驱动电路，其特征在于：该电路包括直流电源(201)、线性稳压电路(202)、控制电路(203)、NMOS管(205)、PMOS(204)和输出负载；所述线性稳压电路(202)和控制电路(203)由直流电源(201)供电，线性稳压电路(202)输出与控制电路(203)相连，PWM输入信号接控制电路(203)，控制电路(203)输出两路信号，分别与NMOS管(205)和PMOS管(204)的栅极相连；所述NMOS管(205)和PMOS管(204)的漏极相连并与所述输出负载连接；所述控制电路(203)将PWM信号的电压增高；
当PWM信号为高电平时，控制电路(203)输出低电平，关闭NMOS管(205)，打开PMOS管(204)，从而将负载电压拉高；反之，当PWM信号为低电平时，控制电路(203)输出高电平，打开NMOS管(205)，同时关闭PMOS管(204)，将负载电压拉低。
2.根据权利要求1所述的大电流CMOS推挽驱动电路，其特征在于：所述线性稳压电路包括基准电压(302)、运算放大器(303)、两个多晶硅电阻(304)、(305)以及NMOS管(306)；所述NMOS管(306)的栅极与运算放大器(303)的输出端连接，源极与所述多晶硅电阻(304)、(305)串联后接入所述直流电源(201)的负极，漏极与所述直流电源(201)的正极连接；
基准电压(302)由带隙基准电路给出；运算放大器(303)、多晶硅电阻(304)、(305)以及NMOS管(306)组成了一个闭环系统，其输出VCC电压满足：其中，Vref即为基准电压的电压值；
所述NMOS管(306)为高压NMOS管，其栅源耐压为5V，漏源耐压大于10V。
3.根据权利要求2所述的大电流CMOS推挽驱动电路，其特征在于：所述控制电路包括悬浮地偏置电路(402)、箝位保护电路(403)、电平转换和非重叠时相电路(404)、电流缓冲器(416)、(417)；其中：
所述悬浮地偏置电路包含NMOS管(405)、(406)组成的NMOS电流镜，高压PMOS管(410)、(411)组成的PMOS电流镜；产生偏置电压的电阻(407)，将高压PMOS管(410)、(411)的栅极偏置为比直流电源电压低；以及低压NMOS管(408)和高压NMOS管(409)，所述高压NMOS管(409)的栅极与线性稳压电路的输出连接，源极与低压NMOS管(408)的漏极连接，低压NMOS管(408)的源极与直流电源(201)的负极连接；
所述箝位保护电路包含3个串联的PMOS管(413)、(414)、(415)，它们的栅极和漏极短接，对悬浮地偏置电路的电压箝位，使其不至于太低而超过PMOS管(412)的耐压极限，所述PMOS管(412)的漏极与直流电源的负极连接，栅极经过所述电阻(407)与直流电源(201)的正极连接；
所述电流缓冲器(416)、(417)由串联的反相器组成，分别接电平转换和非重叠时相电路(404)的输出信号OUT_H和信号OUT_L；其中电流缓冲器(416)的地线与悬浮地相连，当OUT_H为高时，电流缓冲器(416)从负载拉电流，电流将流经电流缓冲器(416)到悬浮地，再经PMOS管(412)到直流电源(201)的负极。
4.根据权利要求3所述的大电流CMOS推挽驱动电路，其特征在于：电平转换和非重叠时相电路(404)包含电平转换电路(502)和非重叠时相电路(503)；
所述电平转换电路(502)包括四个低压NMOS管(504)、(505)、(506)、(507)以及四个低压PMOS管(508)、(509)、(510)和(511)，PMOS管(510)、(511)的源极均接直流电源(201)的正极，并采用交叉耦合方式连接，组成正反馈回路；NMOS管(504)、(505)的源极接地，且其栅极分别接反相器的输入和输出；PMOS管(508)、(509)以及NMOS管(506)、(507)的栅极统一接所述箝位保护电路的输出；
当NMOS管(504)的栅极信号为高时，NMOS管(505)的栅极信号为低，PMOS管 (511)的栅极被拉低，PMOS管(511)导通，将输出信号OUT_H拉高，PMOS管(510)被关断，让PMOS(511)的栅极更容易被拉低，从而形成正反馈，加速了OUT_H的升高；反之，当NMOS管(504)的栅极信号为低时，NMOS管(505)被打开，将OUT_H信号拉低，将PWM信号转化为较高电压的PWM信号。
5.根据权利要求4所述的大电流CMOS推挽驱动电路，其特征在于：所述非重叠时相电路(503)是逻辑时序电路，全部由逻辑与非门和非门组成；将PWM信号转化为2个不会同时为高的PWM信号。
6.根据权利要求5所述的大电流CMOS推挽驱动电路，其特征在于：所述直流电源(201)的电压为5-10V。
7.根据权利要求6所述的大电流CMOS推挽驱动电路，其特征在于：所述线性稳压电路(202)对直流电源(201)进行降压，从而输出稳定的5V电压，给控制电路(203)做低压偏置。
8.一种权利要求1-7中任一项所述的大电流CMOS推挽驱动电路的控制方法，其特征在于：当输入PWM信号为高时，控制电路输出低电平，关闭NMOS管(205)，打开PMOS管(204)，从而将负载电压拉高；反之，当PWM信号为低电平时，控制电路输出高电平，打开NMOS管(205)，同时关闭PMOS(204)，降负载电压拉低；保证NMOS(205)和PMOS(204)不会同时打开。
9.根据权利要求8所述的大电流CMOS推挽驱动电路的控制方法，其特征在于：所述NMOS(205)和PMOS(204)的栅极驱动信号是非重叠时相的方波信号。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106533410A (zh) * 2016-10-21 2017-03-22 上海灿瑞科技股份有限公司 一种栅极驱动电路
CN106817016A (zh) * 2016-12-29 2017-06-09 华为技术有限公司 一种功率管偏置电路
CN106878585A (zh) * 2017-01-19 2017-06-20 杭州瑞盟科技有限公司 高清hd/全高清fhd可选择视频滤波驱动器
CN107562109A (zh) * 2017-08-22 2018-01-09 电子科技大学 一种增强型可控稳压源装置
CN107769560A (zh) * 2017-11-29 2018-03-06 苏州工业职业技术学院 一种基于buck电路的可调开关电源
CN108649805A (zh) * 2018-06-14 2018-10-12 成都信息工程大学 基于隔离和延迟技术的大功率dc-dc电源转换电路
CN108661815A (zh) * 2018-04-16 2018-10-16 江苏大学 一种电控燃油计量单元电磁阀控制系统及控制方法
CN108696103A (zh) * 2017-04-11 2018-10-23 英飞凌科技奥地利有限公司 电子装置和用于对电平转换器电路进行偏置的方法
CN109787613A (zh) * 2019-01-30 2019-05-21 上海艾为电子技术股份有限公司 一种输出级的驱动电路和电子设备
CN110798199A (zh) * 2018-08-01 2020-02-14 联合汽车电子有限公司 Mos管驱动电路
CN111289882A (zh) * 2020-03-30 2020-06-16 重庆长安新能源汽车科技有限公司 推挽输出pwm的开路检测电路、方法及车辆
CN112491408A (zh) * 2019-09-11 2021-03-12 成都锐成芯微科技股份有限公司 一种电平转换电路
CN112562574A (zh) * 2020-12-01 2021-03-26 Tcl华星光电技术有限公司 一种开关模块及显示装置
CN113676025A (zh) * 2021-10-22 2021-11-19 深圳英集芯科技股份有限公司 驱动电路、控制芯片电路、电源适配器及电子设备
TWI799145B (zh) * 2022-02-18 2023-04-11 瑞昱半導體股份有限公司 D類放大器驅動電路
US11888384B2 (en) 2020-11-24 2024-01-30 Stmicroelectronics S.R.L. DC-DC switching converter with adjustable driving voltages
CN110798199B (zh) * 2018-08-01 2024-04-26 联合汽车电子有限公司 Mos管驱动电路

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6229289B1 (en) * 2000-02-25 2001-05-08 Cadence Design Systems, Inc. Power converter mode transitioning method and apparatus
US20060038547A1 (en) * 2004-08-23 2006-02-23 International Rectifier Corporation Adaptive gate drive voltage circuit
CN101540542A (zh) * 2009-03-18 2009-09-23 浙江大学 一种单电感开关直流电压变换器及四模式控制方法
CN102394555A (zh) * 2011-11-09 2012-03-28 无锡中星微电子有限公司 一种电源转换器、控制电路、及控制电路的制造方法
CN102624209A (zh) * 2012-03-23 2012-08-01 电子科技大学 一种降压式变换器控制装置
CN103199689A (zh) * 2013-04-18 2013-07-10 电子科技大学 一种具有输入电压欠压锁定功能的开关电源

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6229289B1 (en) * 2000-02-25 2001-05-08 Cadence Design Systems, Inc. Power converter mode transitioning method and apparatus
US20060038547A1 (en) * 2004-08-23 2006-02-23 International Rectifier Corporation Adaptive gate drive voltage circuit
CN101540542A (zh) * 2009-03-18 2009-09-23 浙江大学 一种单电感开关直流电压变换器及四模式控制方法
CN102394555A (zh) * 2011-11-09 2012-03-28 无锡中星微电子有限公司 一种电源转换器、控制电路、及控制电路的制造方法
CN102624209A (zh) * 2012-03-23 2012-08-01 电子科技大学 一种降压式变换器控制装置
CN103199689A (zh) * 2013-04-18 2013-07-10 电子科技大学 一种具有输入电压欠压锁定功能的开关电源

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106533410A (zh) * 2016-10-21 2017-03-22 上海灿瑞科技股份有限公司 一种栅极驱动电路
CN106533410B (zh) * 2016-10-21 2023-09-01 上海灿瑞微电子有限公司 一种栅极驱动电路
CN106817016B (zh) * 2016-12-29 2019-08-13 华为技术有限公司 一种功率管偏置电路
CN106817016A (zh) * 2016-12-29 2017-06-09 华为技术有限公司 一种功率管偏置电路
WO2018120878A1 (zh) * 2016-12-29 2018-07-05 华为技术有限公司 一种功率管偏置电路
US10523104B2 (en) 2016-12-29 2019-12-31 Huawei Technologies Co., Ltd. Power transistor bias circuit
CN106878585A (zh) * 2017-01-19 2017-06-20 杭州瑞盟科技有限公司 高清hd/全高清fhd可选择视频滤波驱动器
CN106878585B (zh) * 2017-01-19 2024-02-06 杭州瑞盟科技股份有限公司 高清hd/全高清fhd可选择视频滤波驱动器
CN108696103A (zh) * 2017-04-11 2018-10-23 英飞凌科技奥地利有限公司 电子装置和用于对电平转换器电路进行偏置的方法
CN107562109A (zh) * 2017-08-22 2018-01-09 电子科技大学 一种增强型可控稳压源装置
CN107769560A (zh) * 2017-11-29 2018-03-06 苏州工业职业技术学院 一种基于buck电路的可调开关电源
CN107769560B (zh) * 2017-11-29 2023-10-31 苏州工业职业技术学院 一种基于buck电路的可调开关电源
CN108661815B (zh) * 2018-04-16 2020-03-31 江苏大学 一种电控燃油计量单元电磁阀控制系统及控制方法
CN108661815A (zh) * 2018-04-16 2018-10-16 江苏大学 一种电控燃油计量单元电磁阀控制系统及控制方法
CN108649805B (zh) * 2018-06-14 2023-11-10 成都信息工程大学 基于隔离和延迟技术的大功率dc-dc电源转换电路
CN108649805A (zh) * 2018-06-14 2018-10-12 成都信息工程大学 基于隔离和延迟技术的大功率dc-dc电源转换电路
CN110798199B (zh) * 2018-08-01 2024-04-26 联合汽车电子有限公司 Mos管驱动电路
CN110798199A (zh) * 2018-08-01 2020-02-14 联合汽车电子有限公司 Mos管驱动电路
CN109787613B (zh) * 2019-01-30 2023-05-16 上海艾为电子技术股份有限公司 一种输出级的驱动电路和电子设备
CN109787613A (zh) * 2019-01-30 2019-05-21 上海艾为电子技术股份有限公司 一种输出级的驱动电路和电子设备
CN112491408B (zh) * 2019-09-11 2022-07-29 成都锐成芯微科技股份有限公司 一种电平转换电路
CN112491408A (zh) * 2019-09-11 2021-03-12 成都锐成芯微科技股份有限公司 一种电平转换电路
CN111289882A (zh) * 2020-03-30 2020-06-16 重庆长安新能源汽车科技有限公司 推挽输出pwm的开路检测电路、方法及车辆
US11888384B2 (en) 2020-11-24 2024-01-30 Stmicroelectronics S.R.L. DC-DC switching converter with adjustable driving voltages
CN112562574A (zh) * 2020-12-01 2021-03-26 Tcl华星光电技术有限公司 一种开关模块及显示装置
WO2023065829A1 (zh) * 2021-10-22 2023-04-27 深圳英集芯科技股份有限公司 驱动电路、控制芯片电路、电源适配器及电子设备
CN113676025A (zh) * 2021-10-22 2021-11-19 深圳英集芯科技股份有限公司 驱动电路、控制芯片电路、电源适配器及电子设备
TWI799145B (zh) * 2022-02-18 2023-04-11 瑞昱半導體股份有限公司 D類放大器驅動電路

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