CN203872148U - 一种冰箱电磁门驱动电感 - Google Patents

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许岚
石皋莲
罗平尔
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Abstract

本实用新型公开了一种冰箱电磁门驱动电感,包括四个开关,四个开关的两端分别对应跨接有一个二极管,第一、第二开关的一端接电源,另一端接负载端,第三、第四开关的一端接入负载端,另一端接地;第一、第二开关中均包括三极管和P型MOS管,P型MOS管的漏极接负载端,其源极和衬底接电源,其栅极与三极管的集电极连接,P型MOS管的源极和漏极间跨接有二极管,三极管的集电极通过一电阻接电源,其发射极接地,其基极连另一电阻;第三、第四开关中含一N型MOS管,其漏极接负载端,其源极和衬底接地,其栅极接一电阻,其源极和漏极间跨接有二极管。本实用新型安全可靠,有较大的输出功率,效率很高,在不增加额外成本的情况下可以用来控制较大冰箱门。

Description

一种冰箱电磁门驱动电感
技术领域
本实用新型涉及一种驱动电感,具体涉及一种冰箱电磁门驱动电感。
背景技术
在日常生活中,人们通常会遇到这样的情况,当打开冰箱门后再关上,等到下一次再想打开冰箱门,却发现十分吃力,这是因为上一次冰箱打开时,热空气的进入导致了冰箱内压力的变化,冰箱内外形成了压力差,从而使得用户不易重新开门。
目前Fisher & Paykel (F&P)公司提出了一个解决方案,就是通过电磁系统来辅助用户开门。电磁系统中的核心是门控制器,门控制器的的要求是必须使用一个驱动电感来打开和关上冰箱门。但是目前F&P公司方案中设计的驱动电感非但成本很贵,而且输出功率不高,现需要一种不但具有较大输出功率,且总成本又不会过高的驱动电感。
实用新型内容
为了解决上述的问题,本实用新型旨在提供一种冰箱电磁门驱动电感,通过改变DC电流的方向和幅值,使电磁铁产生一个力能够排斥或者吸引这个永久磁铁,来实现开闭冰箱电磁门。
为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本实用新型通过以下技术方案实现:
一种冰箱电磁门驱动电感,主要包括一个H电桥,所述的H电桥包括第一、第二、第三、第四开关,所述的第一、第二、第三、第四开关的两端分别对应跨接有第一、第二、第三、第四反激式二极管,所述第一、第二开关的一端分别接入电源,另一端分别接入负载端,所述第三、第四开关的一端分别接入负载端,另一端分别接地;
打开第一开关和第四开关来驱动正向电流开门,打开第二开关和第三开关来驱动反向电流关门。所述的四个开关由脉宽调制(PWM)信号来驱动控制电感平均电流。可以通过调高频宽比来增加电感的平均电流,相反的,也可以通过调低频宽比来减小平均电流。PWM的频率设置在250Hz,这样能够很容易地让磁性传感器来测量电流纹波。
当驱动电磁铁时必须使用四个所述的反激式二极管,目的是,当PWM开关时所述反激式二极管能钳制电感电压并且防止电流崩塌。
所述第一开关中包括第一NPN型三极管和第一P型MOS管,所述第一P型MOS管的漏极接入负载端,其源极和衬底接入电源,其栅极与所述第一NPN型三极管的集电极连接,所述第一P型MOS管的源极和漏极之间跨接有所述第一反激式二极管,所述第一NPN型三极管的集电极通过第一电阻接入电源,其发射极接地,其基极连接第二电阻;
所述第二开关中包括第二NPN型三极管和第二P型MOS管,所述第二P型MOS管的漏极接入负载端,其源极和衬底接入电源,其栅极与所述第二NPN型三极管的集电极连接,所述第二P型MOS管的源极和漏极之间跨接有所述第二反激式二极管,所述第二NPN型三极管的集电极通过第三电阻接入电源,其发射极接地,其基极连接第四电阻;
所述第三开关中包括第一N型MOS管,所述第一N型MOS管的漏极接入负载端,其源极和衬底接地,其栅极连接第五电阻,所述第一N型MOS管的源极和漏极之间跨接有所述第三反激式二极管;
所述第四开关中包括第二N型MOS管,所述第二N型MOS管的漏极接入负载端,其源极和衬底接地,其栅极连接第六电阻,所述第二N型MOS管的源极和漏极之间跨接有所述第四反激式二极管。
进一步的,所述第一、第二、第三、第四反激式二极管均为BYV26C型二极管;选择BYV26C二极管是因为它具有很低的正向电压和快速开关的特性。
所述四个开关中的NPN型三极管能够使一个0-5V的信号通过转换15V和0V的门电压来开关四个MOS管。所述的MOS管选择STP12PF06(P型)和STP16NF06L(N型),这种MOS管的优点是在电流低于5A时它们的效率很高(Rds<0.2Ω)。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型设计的驱动电感安全可靠,有较大的输出功率,效率很高,在不增加额外成本的情况下本实用新型可以用来控制较大冰箱门。
本实用新型设计的驱动电感采用STP12PF06(P型)和STP16NF06L(N型)的MOS管来建立H电桥,选择这种MOS管的优点是在电流低于5A时它们的效率很高。H电桥中的NPN型三极管能够使一个0-5V的信号通过转换15V和0V的门电压来开关MOS管。
本实用新型设计的驱动电感设置有反激式二极管,具有很低的正向电压和快速开关的特性,当PWM开关时反激式二极管能钳制电感电压并且防止电流崩塌。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本申请的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1为本实用新型的电路结构示意图;
图2为本实用新型的电路原理图;
图3为本实用新型的输出功率和输入功率曲线图。
具体实施方式
下面将参考附图并结合实施例,来详细说明本实用新型。
参见图1所示,一种冰箱电磁门驱动电感,主要包括一个H电桥,所述的H电桥包括第一、第二、第三、第四开关S1,S2,S3,S4,所述的第一、第二、第三、第四开关S1,S2,S3,S4的两端分别对应跨接有BYV26C型的第一、第二、第三、第四反激式二极管D1,D2,D3,D4,所述第一、第二开关S1,S2的一端分别接入电源,另一端分别接入负载端,所述第三、第四开关S3,S4的一端分别接入负载端,另一端分别接地。
打开第一开关S1和第四开关S4来驱动正向电流开门,打开第二开关S2和第三开关S3来驱动反向电流关门。所述的四个开关由脉宽调制(PWM)信号来驱动控制电感平均电流。可以通过调高频宽比来增加电感的平均电流,相反的,也可以通过调低频宽比来减小平均电流。PWM的频率设置在250Hz,这样能够很容易地让磁性传感器来测量电流纹波。
当驱动电磁铁时必须使用四个所述的反激式二极管,目的是,当PWM开关时所述反激式二极管能钳制电感电压并且防止电流崩塌。选择BYV26C二极管是因为它具有很低的正向电压和快速开关的特性。
参见图2所示,所述第一开关S1中包括第一NPN型三极管Q5和第一P型MOS管Q1,所述第一P型MOS管Q1的漏极接入负载端,其源极和衬底接入电源,其栅极与所述第一NPN型三极管Q5的集电极连接,所述第一P型MOS管Q1的源极和漏极之间跨接有所述第一反激式二极管D1,所述第一NPN型三极管Q5的集电极通过第一电阻R1接入电源,其发射极接地,其基极连接第二电阻R2;
所述第二开关S2中包括第二NPN型三极管Q6和第二P型MOS管Q2,所述第二P型MOS管Q2的漏极接入负载端,其源极和衬底接入电源,其栅极与所述第二NPN型三极管Q6的集电极连接,所述第二P型MOS管Q2的源极和漏极之间跨接有所述第二反激式二极管D2,所述第二NPN型三极管Q6的集电极通过第三电阻R3接入电源,其发射极接地,其基极连接第四电阻R4;
所述第三开关S3中包括第一N型MOS管Q3,所述第一N型MOS管Q3的漏极接入负载端,其源极和衬底接地,其栅极连接第五电阻R5,所述第一N型MOS管Q3的源极和漏极之间跨接有所述第三反激式二极管D3;
所述第四开关S4中包括第二N型MOS管Q4,所述第二N型MOS管Q4的漏极接入负载端,其源极和衬底接地,其栅极连接第六电阻R6,所述第二N型MOS管Q4的源极和漏极之间跨接有所述第四反激式二极管D4。
所述的四个开关中的NPN型三极管能够使一个0-5V的信号通过转换15V和0V的门电压来开关四个MOS管。MOS管选择STP12PF06(P型)和STP16NF06L(N型),选择这种MOS管的优点是在电流低于5A时它们的效率很高(Rds<0.2Ω)。本实用新型的驱动电感的输出功率和输入功率参见图3所示,图中很明显能看出本实用新型的驱动电感因采用MOS管,能输出较大的功率,效率较高。
本实用新型的所有器件值的计算如下:
第一开关S1和第二开关S2
通过第一、第二电阻R1,R2的理想电流设定在1.2mA;
第一、第二NPN三极管Q5,Q6的最小hfe是200,选择过激系数3来保证第一、第二NPN三极管Q5,Q6正常开关。
当输入信号在5V时候,为了保证18µA电流进入第一、第二NPN三极管Q5,Q6的基极,第二、第四电阻R2,R4选择如下:
由于过激系数3相对稳定,电阻值可以取个近似值。
第三开关S3和第四开关S4
当第三开关S3和第四开关S4的MOS管在开关状态,第五、第六电阻R5,R6选择12kΩ来限制H电桥和微处理器间的电流。
反激式二极管
选择BYV26C二极管是由于其具有低的正向电压和快速开关作用。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种冰箱电磁门驱动电感,其特征在于:主要包括一个H电桥,所述的H电桥包括第一、第二、第三、第四开关(S1,S2,S3,S4),所述的第一、第二、第三、第四开关(S1,S2,S3,S4)的两端分别对应跨接有第一、第二、第三、第四反激式二极管(D1,D2,D3,D4),所述第一、第二开关(S1,S2)的一端分别接入电源,另一端分别接入负载端,所述第三、第四开关(S3,S4)的一端分别接入负载端,另一端分别接地;
所述第一开关(S1)中包括第一NPN型三极管(Q5)和第一P型MOS管(Q1),所述第一P型MOS管(Q1)的漏极接入负载端,其源极和衬底接入电源,其栅极与所述第一NPN型三极管(Q5)的集电极连接,所述第一P型MOS管(Q1)的源极和漏极之间跨接有所述第一反激式二极管(D1),所述第一NPN型三极管(Q5)的集电极通过第一电阻(R1)接入电源,其发射极接地,其基极连接第二电阻(R2);
所述第二开关(S2)中包括第二NPN型三极管(Q6)和第二P型MOS管(Q2),所述第二P型MOS管(Q2)的漏极接入负载端,其源极和衬底接入电源,其栅极与所述第二NPN型三极管(Q6)的集电极连接,所述第二P型MOS管(Q2)的源极和漏极之间跨接有所述第二反激式二极管(D2),所述第二NPN型三极管(Q6)的集电极通过第三电阻(R3)接入电源,其发射极接地,其基极连接第四电阻(R4);
所述第三开关(S3)中包括第一N型MOS管(Q3),所述第一N型MOS管(Q3)的漏极接入负载端,其源极和衬底接地,其栅极连接第五电阻(R5),所述第一N型MOS管(Q3)的源极和漏极之间跨接有所述第三反激式二极管(D3);
所述第四开关(S4)中包括第二N型MOS管(Q4),所述第二N型MOS管(Q4)的漏极接入负载端,其源极和衬底接地,其栅极连接第六电阻(R6),所述第二N型MOS管(Q4)的源极和漏极之间跨接有所述第四反激式二极管(D4)。
2.根据权利要求1所述的冰箱电磁门驱动电感,其特征在于:所述第一、第二、第三、第四反激式二极管(D1,D2,D3,D4)均为BYV26C型二极管。
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CN103986448A (zh) * 2014-05-28 2014-08-13 苏州工业职业技术学院 一种冰箱电磁门驱动电感

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