CN205829597U - 推挽式驱动功率管电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种推挽式驱动功率管电路，包括电机、与电机相连接的PWM信号输入端，在PWM信号输入端与电机之间设有驱动功率管电路，驱动功率管电路包括第一电阻、第一三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第二三极管、第三三极管、第五电阻和MOS管。本实用新型的结构简单、使用便捷，直接由PWM信号控制占空比经过反推挽电路进行驱动电压放大来达到驱动NMOS的目的，由于驱动电压足够大，故而使得MOS的效率更高，温升更低，使用稳定性好，适用性强且实用性好。

Description

推挽式驱动功率管电路
技术领域
本实用新型涉及功率管电路技术领域，特别涉及一种推挽式驱动功率管电路。
背景技术
目前市面上存在的一些驱动功率管电路其控制电路主要如附图1所示，其在使用时当FAN为PWM信号直接控制NMOS管Q6的G极为开关频率（调节占空比）从而使NMOS管的D极与S极导通来控制电机工作转速，其虽然可以一定程度上实现控制，但是其也存在一定的不足，如I/O口直接驱动蕊片驱动电流有限。有些MOS效率想做的高点，驱动电压相对会要求高些，MOS管的温度才会低，而此电路在应用中驱动电压会受蕊片的输出从而使得MOS管的输出功率受限制（且MOS温度也会比较高）。
实用新型内容
为了解决上述技术问题，本实用新型是提供一种结构简单、使用稳定性好且适用性强的推挽式驱动功率管电路。
本实用新型提出一种推挽式驱动功率管电路，包括电机、与所述电机相连接的PWM信号输入端，在所述PWM信号输入端与所述电机之间设有驱动功率管电路，所述驱动功率管电路包括第一电阻、第一三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第二三极管、第三三极管、第五电阻和MOS管，所述PWM信号输入端通过第一电阻后连接在第一三极管的基极上，所述第一三极管的发射极接地、第一三极管的集电极通过第二电阻接电源，第二三极管的基极通过第三电阻连接在第一三极管的集电极上、所述第二三极管的集电极接电源、第二三极管的发射极接第三三极管的发射极，所述第三三极管的基极通过第四电阻连接在第一三极管的集电极上，所述第三三极管的集电极接地，所述第三三极管的发射极连接在MOS管的栅极上，所述第五电阻连接在第三三极管的发射极与集电极之间，MOS管的源极接地且漏极接电机。
所述第一三极管和第二三极管为NPN型三极管，所述第三三极管为PNP型三极管。
所述MOS管为N型MOS管。
本实用新型的结构简单、使用便捷，直接由PWM信号控制占空比经过反推挽电路进行驱动电压放大来达到驱动NMOS的目的，由于驱动电压足够大，故而使得MOS的效率更高，温升更低，使用稳定性好，适用性强且实用性好。
附图说明
图1为现有技术的驱动功率管电路图；
图2为本实用新型的实施例示意图。
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
参照图2，提出本实用新型的的一实施例，一种推挽式驱动功率管电路，包括电机1、与所述电机1相连接的PWM信号输入端2，在所述PWM信号输入端2与所述电机1之间设有驱动功率管电路3，所述驱动功率管电路3包括第一电阻R1、第一三极管Q1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第五电阻R5和MOS管Q4，所述PWM信号输入1端通过第一电阻R1后连接在第一三极管Q1的基极上，所述第一三极管Q1的发射极接地、第一三极管Q1的集电极通过第二电阻R2接电源BT，第二三极管Q2的基极通过第三电阻R3连接在第一三极管Q1的集电极上、所述第二三极管Q2的集电极接电源BT、第二三极管Q2的发射极接第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的基极通过第四电阻R4连接在第一三极管Q1的集电极上，所述第三三极管Q3的集电极接地，所述第三三极管Q3的发射极连接在MOS管Q4的栅极上，所述第五电阻R5连接在第三三极管Q3的发射极与集电极之间，MOS管Q4的源极接地且漏极接电机1。
所述第一三极管和第二三极管为NPN型三极管，所述第三三极管为PNP型三极管。
所述MOS管为N型MOS管。
其工作原理简述如下：使用PWM信号输出的占空比，再经过N管Q4来控制反推挽电路
当PWM信号为低电位时，Q1的1脚(GND)和3脚断开，电源BT经R2上拉电阻给的R3高电位来控制三极管Q2的1脚和3脚(电源BT)导通,使得NMOS管Q4直接由电源BT的电压打开
当PWM信号为高电位时，Q1的1脚(GND)和3脚导通，从而产生一个低电位来控制三极管Q3的1脚(GND)和3脚导通,使得NMOS管Q4关闭。
在电路中，直接由PWM信号控制占空比经过反推挽电路进行驱动电压放大来达到驱动NMOS的目的（驱动电压足够大，使得MOS的效率更高，温升更低）
本实用新型的结构简单、使用便捷，直接由PWM信号控制占空比经过反推挽电路进行驱动电压放大来达到驱动NMOS的目的，由于驱动电压足够大，故而使得MOS的效率更高，温升更低，使用稳定性好，适用性强且实用性好。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (3)

1.一种推挽式驱动功率管电路，包括电机、与所述电机相连接的PWM信号输入端，在所述PWM信号输入端与所述电机之间设有驱动功率管电路，其特征在于：所述驱动功率管电路包括第一电阻、第一三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第二三极管、第三三极管、第五电阻和MOS管，所述PWM信号输入端通过第一电阻后连接在第一三极管的基极上，所述第一三极管的发射极接地、第一三极管的集电极通过第二电阻接电源，第二三极管的基极通过第三电阻连接在第一三极管的集电极上、所述第二三极管的集电极接电源、第二三极管的发射极接第三三极管的发射极，所述第三三极管的基极通过第四电阻连接在第一三极管的集电极上，所述第三三极管的集电极接地，所述第三三极管的发射极连接在MOS管的栅极上，所述第五电阻连接在第三三极管的发射极与集电极之间，MOS管的源极接地且漏极接电机。
2.根据权利要求1所述的推挽式驱动功率管电路，其特征在于：所述第一三极管和第二三极管为NPN型三极管，所述第三三极管为PNP型三极管。
3.根据权利要求2所述的推挽式驱动功率管电路，其特征在于：所述MOS管为N型MOS管。
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CN107979363A (zh) * 2017-12-26 2018-05-01 广州视源电子科技股份有限公司 开关机电路及电子设备
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