CN210669880U - 一种增加集成芯片驱动电流的电路 - Google Patents
一种增加集成芯片驱动电流的电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210669880U CN210669880U CN201921716341.3U CN201921716341U CN210669880U CN 210669880 U CN210669880 U CN 210669880U CN 201921716341 U CN201921716341 U CN 201921716341U CN 210669880 U CN210669880 U CN 210669880U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- triode
- resistor
- pull
- effect transistor
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本实用新型公开的一种增加集成芯片驱动电流的电路，包括带自举驱动电路的模拟芯片，所述自举驱动电路由自举二极管、自举电容、储能电容、限流电阻组成，其还包括由第一、第二、第三、第四三极管、第一、第二大功率场效应管、第一、第二推挽电路驱动电阻、第一、第二下拉电阻、第一、二大功率场效应管的驱动电阻构成的用以增加模拟芯片驱动电流的推挽式驱动电路。本实用新型通过对第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管选择电流较大的NPN型和PNP型三极管，可灵活增加模拟控制芯片的驱动能力，以解决在大功率应用场合下，模拟芯片驱动能力不足的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及开关电源技术领域，特别涉及一种应用于开关电源中的增加集成芯片驱动电流的电路。
背景技术
在开关电源应用场景中，大量的使用到模拟控制芯片。在针对某些特定的电路拓扑结构时如半桥式LLC电路，常常这样的模拟控制芯片自身包含自举驱动电路，如NCP1397、TEA1716等，以驱动电路工作。通过这些模拟控制芯片直接驱动常常应用在中小功率场合。
在一些大功率应用场合下，常常需要使用寄生电容比较大的大功率场效应管，这些大功率场效应管需要有较大的驱动电流才能满足设计需求，但是这些模拟控制芯片自身驱动电路的输出驱动电流能力又十分有限。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于针对现有模拟控制芯片自身驱动电路的输出驱动电流能力又十分有限的问题，为了增加这些模拟控制芯片的驱动能力而提供一种增加集成芯片驱动电流的电路，以解决这样的难题。
本实用新型所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现：
一种增加集成芯片驱动电流的电路，包括带自举驱动电路的模拟芯片，所述自举驱动电路由自举二极管、自举电容、储能电容、限流电阻组成，自举二极管的负极通过限流电阻接入模拟芯片的Vboot脚，自举二极管的正极接-15V，自举电容一端接模拟芯片的Vboot脚，另一端接模拟芯片的HB脚，储能电容的一端接地，储能电容的另一端-15V；其特征在于，还包括由第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一大功率场效应管、第二大功率场效应管、第一推挽电路驱动电阻、第二推挽电路驱动电阻、第一下拉电阻、第二下拉电阻、第一大功率场效应管的驱动电阻和第二大功率场效应管的驱动电阻构成的用以增加模拟芯片驱动电流的推挽式驱动电路，其中第一大功率场效应管的漏极接VCC，第一大功率场效应管的栅极接第一大功率场效应管的驱动电阻的一端，第一大功率场效应管的源极接模拟芯片的HB脚；第二大功率场效应管的漏极接模拟芯片的HB脚，第二大功率场效应管的栅极接第二大功率场效应管的驱动电阻的一端，第二大功率场效应管的源极接地；第一三极管的集电极接模拟芯片的Vboot脚，第一三极管的基极接第一推挽电路驱动电阻的一端，第一推挽电路驱动电阻的另一端接模拟芯片的Mupper脚，第一三极管的发射极接第一大功率场效应管的驱动电阻的另一端；第二三极管的集电极接模拟芯片的HB脚，第二三极管的基极接第一推挽电路驱动电阻的一端，第二三极管的发射极接第一大功率场效应管的驱动电阻的另一端；第一下拉电阻的一端接模拟芯片的Mupper脚，另一端接模拟芯片的HB脚；第三三极管的集电极接-15V，第三三极管的基极接第二推挽电路驱动电阻的一端，第二推挽电路驱动电阻的另一端接模拟芯片的Mlower脚,第三三极管的发射极接第二大功率场效应管的驱动电阻的另一端；第四三极管的集电极接地，第四三极管的基极接第二推挽电路驱动电阻的一端，第四三极管的发射级接地；第二下拉电阻的一端接第二推挽电路驱动电阻的一端，第二下拉电阻的另一端接地；模拟芯片的GND脚接地。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一三极管和第三三极管均为NPN型三极管，所述第二三极管和第四三极管均为PNP型三极管。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述模拟芯片的型号为NCP1397
由于采用了如上的技术方案，本实用新型通过对第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管选择电流较大的NPN型和PNP型三极管，可灵活增加模拟控制芯片的驱动能力，以解决在大功率应用场合下，模拟芯片驱动能力不足的问题。
附图说明
图1为本实用新型的增加集成芯片驱动电流的电路电原理示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式来进一步描述本实用新型。
参见图1，图中所示的一种增加集成芯片驱动电流的电路，包括带自举驱动电路的模拟芯片U1，模拟芯片U1的型号为NCP1397，具有Css脚1、Fmax脚2、Ctimer脚3、Rt脚4、BO脚5、FB脚6、DT脚7、Skip脚8、Fault脚9、GND脚10、Mlower脚11、Vcc脚12、HB脚13、Mupper脚15、Vboot脚16。
自举驱动电路由自举二极管D1、自举电容C1、储能电容C2、限流电阻R5组成，自举二极管D1的负极通过限流电阻R5接入模拟芯片U1的Vboot脚16，自举二极管D1的正极接-15V，自举电容C1一端接模拟芯片U1的Vboot脚16，另一端接模拟芯片U1的HB脚14，储能电容C2的一端接地，储能电容C2的另一端-15V。
还包括由第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一大功率场效应管Q5、第二大功率场效应管Q6、第一推挽电路驱动电阻R1、第二推挽电路驱动电阻R2、第一下拉电阻R3、第二下拉电阻R4、第一大功率场效应管的驱动电阻R6和第二大功率场效应管的驱动电阻R7构成的用以增加模拟芯片U1驱动电流的推挽式驱动电路。
第一大功率场效应管Q5的漏极接VCC，栅极接第一大功率场效应管的驱动电阻R6的一端，源极接模拟芯片U1的HB脚13。
第二大功率场效应管Q6的漏极接模拟芯片U1的HB脚13，栅极接第二大功率场效应管的驱动电阻R7的一端，源极接地。
第一三极管Q1的集电极接模拟芯片U1的Vboot脚16，基极接第一推挽电路驱动电阻R1的一端，第一推挽电路驱动电阻R1的另一端接模拟芯片U1的Mupper脚15，第一三极管Q1的发射极接第一大功率场效应管的驱动电阻R6的另一端。
第二三极管Q2的集电极接模拟芯片U1的HB脚14，基极接第一推挽电路驱动电阻R6的一端，发射极接第一大功率场效应管的驱动电阻R6的另一端；第一下拉电阻R3的一端接模拟芯片U1的Mupper脚15，另一端接模拟芯片U1的HB脚14。
第三三极管Q3的集电极接-15V，基极接第二推挽电路驱动电阻R2的一端，第二推挽电路驱动电阻R2的另一端接模拟芯片U1的Mlower脚11,发射极接第二大功率场效应管的驱动电阻R7的另一端。
第四三极管Q4的集电极接地，基极接第二推挽电路驱动电阻R2的一端，发射级接地；第二下拉电阻R4的一端接第二推挽电路驱动电阻R2的一端，第二下拉电阻R4的另一端接地；模拟芯片U1的GND脚接地。
第一三极管Q1和第三三极管Q3均为NPN型三极管，第二三极管Q2和第四三极管Q4均为PNP型三极管。
本实用新型的增加集成芯片驱动电流的电路工作原理如下：当模拟芯片U1的Mlower脚11输出高电平同时Mupper脚15输出低电平时，第三三极管Q3导通，第四三极管Q4截止，从而驱动第一大功率场效应管Q6开通，同时给自举电容C1充电；当Mlower脚11输出低电平同时Mupper脚15输出高电平，第一三极管Q1导通，第二三极管Q2截止从而驱动第而大功率场效应管Q5开通，如此过程完成对场效应管桥臂的开关动作。
本实用新型通过对第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4选择电流较大的NPN型和PNP型三极管，可灵活增加模拟控制芯片U1的驱动能力，以解决在大功率应用场合下，模拟芯片U1驱动能力不足的问题。
Claims (3)
1.一种增加集成芯片驱动电流的电路，包括带自举驱动电路的模拟芯片，所述自举驱动电路由自举二极管、自举电容、储能电容、限流电阻组成，自举二极管的负极通过限流电阻接入模拟芯片的Vboot脚，自举二极管的正极接-15V，自举电容一端接模拟芯片的Vboot脚，另一端接模拟芯片的HB脚，储能电容的一端接地，储能电容的另一端-15V；其特征在于，还包括由第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一大功率场效应管、第二大功率场效应管、第一推挽电路驱动电阻、第二推挽电路驱动电阻、第一下拉电阻、第二下拉电阻、第一大功率场效应管的驱动电阻和第二大功率场效应管的驱动电阻构成的用以增加模拟芯片驱动电流的推挽式驱动电路，其中第一大功率场效应管的漏极接VCC，第一大功率场效应管的栅极接第一大功率场效应管的驱动电阻的一端，第一大功率场效应管的源极接模拟芯片的HB脚；第二大功率场效应管的漏极接模拟芯片的HB脚，第二大功率场效应管的栅极接第二大功率场效应管的驱动电阻的一端，第二大功率场效应管的源极接地；第一三极管的集电极接模拟芯片的Vboot脚，第一三极管的基极接第一推挽电路驱动电阻的一端，第一推挽电路驱动电阻的另一端接模拟芯片的Mupper脚，第一三极管的发射极接第一大功率场效应管的驱动电阻的另一端；第二三极管的集电极接模拟芯片的HB脚，第二三极管的基极接第一推挽电路驱动电阻的一端，第二三极管的发射极接第一大功率场效应管的驱动电阻的另一端；第一下拉电阻的一端接模拟芯片的Mupper脚，另一端接模拟芯片的HB脚；第三三极管的集电极接-15V，第三三极管的基极接第二推挽电路驱动电阻的一端，第二推挽电路驱动电阻的另一端接模拟芯片的Mlower脚,第三三极管的发射极接第二大功率场效应管的驱动电阻的另一端；第四三极管的集电极接地，第四三极管的基极接第二推挽电路驱动电阻的一端，第四三极管的发射级接地；第二下拉电阻的一端接第二推挽电路驱动电阻的一端，第二下拉电阻的另一端接地；模拟芯片的GND脚接地。
2.如权利要求1所述的一种增加集成芯片驱动电流的电路，其特征在于，所述第一三极管和第三三极管均为NPN型三极管，所述第二三极管和第四三极管均为PNP型三极管。
3.如权利要求1所述的一种增加集成芯片驱动电流的电路，其特征在于，所述模拟芯片的型号为NCP1397。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921716341.3U CN210669880U (zh) | 2019-10-14 | 2019-10-14 | 一种增加集成芯片驱动电流的电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921716341.3U CN210669880U (zh) | 2019-10-14 | 2019-10-14 | 一种增加集成芯片驱动电流的电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210669880U true CN210669880U (zh) | 2020-06-02 |
Family
ID=70814440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201921716341.3U Active CN210669880U (zh) | 2019-10-14 | 2019-10-14 | 一种增加集成芯片驱动电流的电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210669880U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114498589A (zh) * | 2020-11-13 | 2022-05-13 | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 | 一种输出级限流电路 |
-
2019
- 2019-10-14 CN CN201921716341.3U patent/CN210669880U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114498589A (zh) * | 2020-11-13 | 2022-05-13 | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 | 一种输出级限流电路 |
| CN114498589B (zh) * | 2020-11-13 | 2024-05-10 | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 | 一种输出级限流电路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4968487B2 (ja) | ゲートドライブ回路 | |
| CN101764595B (zh) | 一种igbt驱动与保护电路 | |
| CN103825461B (zh) | 具有对栅极电压的紧密控制的驱动电路 | |
| CN103199677A (zh) | 单路隔离型mosfet驱动电路 | |
| CN201975986U (zh) | 一种方波逆变器的全桥驱动电路 | |
| CN106849925B (zh) | 高边nmos驱动电路 | |
| CN101326717A (zh) | 发射极开关结构的驱动电路 | |
| CN207368896U (zh) | 自举驱动电路、同步整流自举控制电路 | |
| CN210669880U (zh) | 一种增加集成芯片驱动电流的电路 | |
| CN110971224A (zh) | 一种控制电路及无触点开关 | |
| CN106100433A (zh) | 一种适用于多种调制模式的脉冲供电电路 | |
| CN206650647U (zh) | 一种大功率igbt驱动电路 | |
| CN214591137U (zh) | 一种开关电源的mos管驱动泄放电路 | |
| CN112993964A (zh) | 一种用于蜂鸣器驱动芯片电源的静电防护电路 | |
| CN215581093U (zh) | 推挽式驱动装置 | |
| CN218829888U (zh) | 一种高压大功率igbt驱动电路 | |
| CN200994126Y (zh) | 一种三极管驱动电路 | |
| CN214959288U (zh) | 一种正电压转负电压的电路 | |
| CN214543622U (zh) | 一种用于蜂鸣器驱动芯片电源的静电防护电路 | |
| CN219611599U (zh) | 一种双管正激驱动电源电路 | |
| CN216794850U (zh) | 一种推挽升压电路模块及推挽升压电路 | |
| CN111884637B (zh) | 自举电路和功率芯片 | |
| CN215010051U (zh) | 一种基于场效应管的砷化镓功率管电源电路 | |
| CN213186072U (zh) | 一种上桥臂栅极自举电路 | |
| CN212811658U (zh) | 一种自主适配上电时序的应用电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |