CN204190613U - 用于感应加热的半桥电路及电磁灶系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了用于感应加热的半桥电路及电磁灶系统。该半桥电路包括由第一功率开关与第二功率开关组成的开关串联电路、与开关串联电路并联的第一电容、并联在第一功率开关上的第一吸收电容、并联在第二功率开关上的第二吸收电容、并联在开关串联电路两端的由第一谐振电容和第二谐振电容组成的电容串联电路、连接在第一谐振电容和第二谐振电容的连接节点与第一功率开关与第二功率开关的连接节点之间的电感、以及并联在第一谐振电容或第二谐振电容上的用于防止谐振电容被反向充电的单向导通器件。该半桥电路可使两功率开关可在大范围不对称工作状态下保持零电压开关状态，以降低开关损耗，并提高半桥电路的可靠性。

Description

用于感应加热的半桥电路及电磁灶系统

技术领域

本实用新型涉及感应加热电路领域，尤其涉及一种用于感应加热的半桥电路及电磁灶系统。

背景技术

现有的用于感应加热的半桥电路，可以在对称工作情况下调节工作频率，来实现输出功率的大小变化。在一个灶具具有多个炉头的情况下，如果驱动不同炉头的半桥电路工作频率不一致，当他们的频率差落入人耳的听觉范围内，就会产生用户可听到的噪声，影响用户体验，所以一般要求不同炉头的半桥电路工作频率一致，或者频率差在人耳听觉范围以外，来避免噪声。

当不同的半桥电路在同一频率下工作时，由于每一个半桥电路的输出功率根据用户需求会有不同，会使得某些炉头的半桥电路工作在不对称状态，当这种不对称状态达到一定程度后，就会使得其中导通时间短的一个功率开关脱离零电压开关状态，导致开关损耗急剧增加，使得功率开关温度升高，甚至损坏；使得半桥电路需要采用更高等级的功率开关或更好的散热措施来保证半桥电路的在工作频率不对称的情况下的正常工作，以减少噪声，从而导致应用于感应加热的半桥电路的电路成本增加。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的缺陷，提供一种用于感应加热的半桥电路及电磁灶系统。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于感应加热的半桥电路，包括由第一功率开关与第二功率开关组成的开关串联电路，所述开关串联电路的一端接地，另一端与电源连接；还包括与所述开关串联电路并联的第一电容、并联在所述第一功率开关上的第一吸收电容、并联在所述第二功率开关上的第二吸收电容、并联在所述开关串联电路两端的由第一谐振电容和第二谐振电容组成的电容串联电路、连接在所述第一谐振电容和第二谐振电容的连接节点与所述第一功率开关与第二功率开关的连接节点之间的电感、以及并联在所述第一谐振电容或所述第二谐振电容上的用于防止谐振电容被反向充电的单向导通器件；所述第一功率开关具有第一控制信号输入端，所述第二功率开关具有第二控制信号输入端。

优选地，所述单向导通器件是二极管。

优选地，还包括与所述二极管串联的继电器开关或控制开关，所述二极管与所述继电器开关或控制开关形成的电路并联在所述第一谐振电容或所述第二谐振电容上。

优选地，所述单向导通器件是单向可控硅。

优选地，所述第一功率开关和所述第二功率开关为IGBT开关或MOSFET开关。

本实用新型还提供一种用于感应加热的半桥电路，包括由第一功率开关与第二功率开关组成的开关串联电路，所述开关串联电路的一端接地，另一端与电源连接；还包括与所述开关串联电路并联的第一电容、并联在所述第一功率开关上的第一吸收电容、并联在所述第二功率开关上的第二吸收电容、并联在所述开关串联电路两端的由第一谐振电容和第二谐振电容组成的电容串联电路、连接在所述第一谐振电容和第二谐振电容的连接节点与所述第一功率开关与第二功率开关的连接节点之间的电感、以及并联在所述第一谐振电容和所述第二谐振电容上的用于防止谐振电容被反向充电的单向导通器件；所述第一功率开关具有第一控制信号输入端，所述第二功率开关具有第二控制信号输入端。

优选地，所述单向导通器件是单向可控硅、二极管与继电器开关串联形成的电路、或二极管与控制开关形成的电路。

优选地，所述第一功率开关和所述第二功率开关为IGBT开关或MOSFET开关。

本实用新型还提供一种电磁灶系统，包括至少两个炉头和用于控制所述至少两个炉头感应加热的主控芯片，每一所述炉头上设有权利要求1～9任一项所述用于感应加热的半桥电路，所述电磁灶系统还包括连接在所述主控芯片和每一所述用于感应加热的半桥电路的第一功率开关和第二功率开关的控制信号输入端之间的、用于放大所述主控芯片输出的控制信号以驱动所述第一功率开关和所述第二功率开关工作的驱动电路。

优选地，还包括与交流市电相连的EMC电路、与所述EMC电路串联的整流电路、连接在所述整流电路与每一所述炉头上的用于感应加热的半桥电路之间的滤波电路。

本实用新型与现有技术相比具有如下优点：实施本实用新型，通过在第一谐振电容和/或第二谐振电容上并联用于防止谐振电容被反向充电的单向导通器件，使得第一功率开关和第二功率开关可在大范围不对称工作状态下保持零电压开关状态，以降低开关损耗，从而降低第一功率开关和第二功率开关温升，降低损耗，并提高半桥电路可靠性并拓宽半桥电路不对称工作调节功率输出范围。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型实施例1中用于感应加热的半桥电路的一电路图。

图2是本实用新型实施例2中用于感应加热的半桥电路的一电路图。

图3是本实用新型实施例3中用于感应加热的半桥电路的一电路图。

图4是本实用新型实施例4中用于感应加热的半桥电路的一电路图。

图5是本实用新型实施例5中用于感应加热的半桥电路的一电路图。

图6是本实用新型实施例6中电磁灶系统的电路原理图。

10、半桥电路；20、主控芯片；30、驱动电路；40、EMC电路；50、整流电路；60、滤波电路；70、人机交互界面；80、炉头。

具体实施方式

为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本实用新型的具体实施方式。

实施例1

图1示出本实施例中用于感应加热的半桥电路10的电路图。如图1所示，该用于感应加热的半桥电路10，包括由第一功率开关S1与第二功率开关S2组成的开关串联电路，开关串联电路的一端接地，另一端与电源连接。可以理解地，第一功率开关S1具有用于控制开关导通的第一控制信号输入端，第二功率开关S2具有用于控制开关导通的第二控制信号输入端。该半桥电路10还包括与开关串联电路并联的用于稳定母压的第一电容C0、并联在第一功率开关S1上的用于避免开关损耗的第一吸收电容C3、并联在第二功率开关S2上的用于避免开关损耗的第二吸收电容C4、并联在开关串联电路两端的由第一谐振电容C1和第二谐振电容C2组成的电容串联电路、连接在第一谐振电容C1和第二谐振电容C2的连接节点与第一功率开关S1与第二功率开关S2的连接节点之间的电感L1、以及并联在第一谐振电容C1或第二谐振电容C2上的用于防止谐振电容被反向充电的单向导通器件。

具体地，单向导通器件并联在导通时间长的功率开关所对应的谐振电容上，以避免导通时间长的功率开关所对应的谐振电容被反向充电，从而使得导通时间较长的功率开关断开时，电感L1的电流能够通过导通时间较短的功率开关，在开通瞬间，由于导通时间较短的功率开关的内置二极管处于续流状态，其两端电压接近0V，此时该功率开关的导通处于零电压开关状态，可有效降低开关损耗，进而避免功率开关温度升高、甚至损坏；而且可有效避免噪声的产生。

具体地，第一功率开关S1和第二功率开关S2可以是IGBT开关或MOSFET开关。本实施例中，第一功率开关S1和第二功率开关S2均为IGBT开关。如图1所示，第一功率开关S1的集电极与电源连接，发射极与第二功率开关S2的集电极相连，第二功率开关S2的发射极与接地端相连；可以理解地，第一功率开关S1的基极为第一控制信号输出端，第二功率开关S2的基板为第二控制信号输出端。第一功率开关S1和第二功率开关S2均设有内置二极管，内置二极管的导通方向与第一功率开关S1或第二功率开关S2的导通方向相反，即当第一功率开关S1或第二功率开关S2导通时，电流从其集电极流经发射极；当第一功率开关S1或第二功率开关S2断开时，电流流经内置二极管。

如图1所示，单向导通器件可以是二极管D1，第二功率开关S2的导通时间大于第一功率开关S1的导通时间，该二极管D1并联在导通时间较长的第二功率开关S2对应的第二谐振电容C2上。当第一功率开关S1导通时，电源电流流经第一功率开关S1、电感L1、第二谐振电容C2至接地端，电量存储在电感L1中。当第一功率开关S1断开时，电感L1中存储的电量通过电感L1、第二谐振电容C2、第二功率开关S2的内置二极管形成回路，从而转移到第二谐振电容C2中，经过一定的死区时间，第二功率开关S2会进入导通状态，实现零电压开关。当电感L1的电量为0时，第二谐振电容C2两端的电压达到最大值，此时电流会反向，第二谐振电容C2中存储的电量通过第二谐振电容C2、电感L1、第二功率开关S2形成回路，从而转移到电感L1上。第二谐振电容C2的电量转移过程中，第二谐振电容C2上端(即二极管D1的阴极端)的电压不断降低、下端(即二极管D1的阳极端)的电压不断升高，并联在第二谐振电容C2上的二极管D1导通，此时电感L1进入恒流状态，电流方向维持从电感L1右端流向左端，电感L1、第二功率开关S2、二极管D1之间形成回路，在第二功率开关S2断开之前，流经电感L1的电流方向维持不变。当第二功率开关S2断开时，由于电感L1的电流不能突变，由此在死区时间内，流经电感L1的电流通过第一功率开关S1的内置二极管、第一谐振电容C1续流，在续流期间，第一功率开关S1进行导通状态，从而实现零电压开关，以避免出现硬开关状态导致开关损耗和温度升高，从而拓宽半桥电路10不对称工作调节功率输出范围，避免噪声的产生。

实施例2

如图2所示，若第一功率开关S1的导通时间长于第二功率开关S2的导通时间，则可将二极管D1并联在第一功率开关S1对应的第一谐振电容C1上，其工作原理与实施例1中的工作原理一致。

实施例3

可以理解地，该用于感应加热的半桥电路10还可以包括与二极管D1串联的继电器开关K1或其他控制开关，二极管D1与继电器开关K1或控制开关形成的电路并联在第一谐振电容C1或第二谐振电容C2上。如图3所示，串联连接的继电器开关K1与二极管D1连接在第二谐振电容C2的两端，通过控制继电器开关K1的通断以控制是否将二极管D1接入半桥电路10，以扩大功率调节范围。若继电器开关K1断开时，二极管D1不接入半桥电路10，该用于感应加热的半桥电路10主要应用于输出功率对称的场合；若继电器开关K1导通时，二极管D1接入半桥电路10，与实施例1中的电路的工作原理一致。

实施例4

可以理解地，实施例1中的二极管D1还可以采用单向可控硅SCR1替代，用于并联在导通时间较长的功率开关上，通过控制信号控制单向可控硅SCR1的通断，以替代实施例1中根据二极管D1两端电压差控制二极管D1的通断，以扩大功率调节范围，其半桥电路10的工作原理与实施例1中的工作原理一致。

实施例5

可以理解地，在该用于感应加热的半桥电路10中，还可以在第一谐振电容C1和第二谐振电容C2上同时并联用于防止谐振电容被反向充电的单向导通器件。该单向导通器件可以是并联在第一谐振电容C1上的由二极管D1与继电器开关K1串联形成的电路(如图5所示)、并联在第二谐振电容C2上的由二极管D2与继电器开关K2串联形成的电路，可以理解地，继电器开关K1与K2可采用其他控制开关替换，其工作原理与实施例3的工作原理一致。可以理解地，该单向导通器件还可以单向可控硅，其工作原理与实施例4的工作原理一致。

实施例6

图6示出本实用新型中的一种电磁灶系统。该电磁灶系统包括至少两个炉头80和用于控制至少两个炉头80感应加热的主控芯片20。具体地，每一炉头80上设有前述的用于感应加热的半桥电路10，电磁灶系统还包括连接在主控芯片20和每一用于感应加热的半桥电路10的第一功率开关S1和第二功率开关S2的控制信号输入端之间的、用于放大主控芯片20输出的控制信号以驱动第一功率开关S1和第二功率开关S2工作的驱动电路30。可以理解地，与主控芯片20相连的驱动电路30分别与第一功率开关S1的第一控制信号输入端、第二功率开关S2的第二控制信号输入端相连。具体地，该电磁灶系统还包括与交流市电相连的EMC电路40、与EMC电路40串联的整流电路50、连接在整流电路50与每一炉头80上的用于感应加热的半桥电路10之间的滤波电路60。

如图6所示，交流市电通过EMC电路40、整流电路50处理后分别经过各自的滤波电路60输出至每一炉头80的用于感应加热的半桥电路10中，具体地，主控芯片20根据来自人机交互界面70的控制指令，输出PWM控制信号，分别经各自的驱动电路30进行放大后输入至每一炉头80对应的用于感应加热的半桥电路10的第一功率开关S1和第二功率开关S2的基极，以驱动第一功率开关S1和第二功率开关S2的通断。

可以理解地，若同一时间两个炉头80的工作频率相同，其连接工作过程中不会产生噪音；在工作频率相同的情况下，当要求两个炉头80的输出功率不一致时，功率小的炉头80的第一功率开关S1和第二功率开关S2的导通时间不对称，由于在半桥电路10中在导通时间较长的功率开关的对应的谐振电容上并联二极管，使得功率开关能够工作在零电压导通状态，大大降低功率开关的损耗，提高能量转换效率，同时避免噪音的产生。可以理解地，该用于感应加热的半桥电路10还可以应用的其他感应加热产品中。

本实用新型是通过几个具体实施例进行说明的，本领域技术人员应当明白，在不脱离本实用新型范围的情况下，还可以对本实用新型进行各种变换和等同替代。另外，针对特定情形或具体情况，可以对本实用新型做各种修改，而不脱离本实用新型的范围。因此，本实用新型不局限于所公开的具体实施例，而应当包括落入本实用新型权利要求范围内的全部实施方式。

Claims (10)

1.一种用于感应加热的半桥电路，其特征在于：包括由第一功率开关（S1）与第二功率开关（S2）组成的开关串联电路，所述开关串联电路的一端接地，另一端与电源连接；还包括与所述开关串联电路并联的第一电容（C0）、并联在所述第一功率开关（S1）上的第一吸收电容（C3）、并联在所述第二功率开关（S2）上的第二吸收电容（C4）、并联在所述开关串联电路两端的由第一谐振电容（C1）和第二谐振电容（C2）组成的电容串联电路、连接在所述第一谐振电容（C1）和第二谐振电容（C2）的连接节点与所述第一功率开关（S1）与第二功率开关（S2）的连接节点之间的电感（L1）、以及并联在所述第一谐振电容（C1）或所述第二谐振电容（C2）上的用于防止谐振电容被反向充电的单向导通器件；所述第一功率开关（S1）具有第一控制信号输入端，所述第二功率开关（S2）具有第二控制信号输入端。

2.根据权利要求1所述的用于感应加热的半桥电路，其特征在于：所述单向导通器件是二极管（D1）。

3.根据权利要求2所述的用于感应加热的半桥电路，其特征在于：还包括与所述二极管（D1）串联的继电器开关（K1）或控制开关，所述二极管（D1）与所述继电器开关（K1）或控制开关形成的电路并联在所述第一谐振电容（C1）或所述第二谐振电容（C2）上。

4.根据权利要求1所述的用于感应加热的半桥电路，其特征在于：所述单向导通器件是单向可控硅。

5.根据权利要求1～4任一项所述的用于感应加热的半桥电路，其特征在于：所述第一功率开关（S1）和所述第二功率开关（S2）为IGBT开关或MOSFET开关。

6.一种用于感应加热的半桥电路，其特征在于：包括由第一功率开关（S1）与第二功率开关（S2）组成的开关串联电路，所述开关串联电路的一端接地，另一端与电源连接；还包括与所述开关串联电路并联的第一电容（C0）、并联在所述第一功率开关（S1）上的第一吸收电容（C3）、并联在所述第二功率开关（S2）上的第二吸收电容（C4）、并联在所述开关串联电路两端的由第一谐振电容（C1）和第二谐振电容（C2）组成的电容串联电路、连接在所述第一谐振电容（C1）和第二谐振电容（C2）的连接节点与所述第一功率开关（S1）与第二功率开关（S2）的连接节点之间的电感（L1）、以及并联在所述第一谐振电容（C1）和所述第二谐振电容（C2）上的用于防止谐振电容被反向充电的单向导通器件；所述第一功率开关（S1）具有第一控制信号输入端，所述第二功率开关（S2）具有第二控制信号输入端。

7.根据权利要求6所述的用于感应加热的半桥电路，其特征在于：所述单向导通器件是单向可控硅、二极管（D1，D2）与继电器开关（K1，K2）串联形成的电路、或二极管（D1，D2）与控制开关形成的电路。

8.根据权利要求6或7所述的用于感应加热的半桥电路，其特征在于：所述第一功率开关（S1）和所述第二功率开关（S2）为IGBT开关或MOSFET开关。

9.一种电磁灶系统，包括至少两个炉头（80）和用于控制所述至少两个炉头（80）感应加热的主控芯片（20），其特征在于：每一所述炉头（80）上设有权利要求1～8任一项所述用于感应加热的半桥电路（10），所述电磁灶系统还包括连接在所述主控芯片（20）和每一所述用于感应加热的半桥电路（10）的第一功率开关（S1）和第二功率开关（S2）的控制信号输入端之间的、用于放大所述主控芯片（20）输出的控制信号以驱动所述第一功率开关(S1)和所述第二功率开关(S2)工作的驱动电路（30）。

10.根据权利要求9所述的电磁灶系统，其特征在于：还包括与交流市电相连的EMC电路（40）、与所述EMC电路（40）串联的整流电路（50）、连接在所述整流电路（50）与每一所述炉头（80）上的用于感应加热的半桥电路之间的滤波电路（60）。