CN203225906U - 电磁感应双环加热控制装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种电磁感应双环加热控制装置，其特征在于，包括依次串接的逻辑控制芯片、IGBT驱动模块和逆变电路。其中，逆变电路包括桥式连接的晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3和晶体管Q4，晶体管Q1的集电极和晶体管Q4的集电极均连接电源，且晶体管Q1的基极、晶体管Q2的基极、晶体管Q3的基极和晶体管Q4的基极均通过IGBT驱动模块分别连接逻辑控制芯片的其中一个PWM信号输出端，在电源与地之间依次串接的2个谐振电容C2和C3，2个谐振电容C2和C3的公共端依次串接开关K1和线圈L2之后与晶体管Q4的发射极连接，而线圈L2与晶体管Q1的发射极之间依次串接开关K2、线圈L1和谐振电容C1。本实用新型具有电路结构简单、可靠性高和器件寿命长的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电磁感应控制电路，尤其是涉及一种电磁感应双环加热控制装置。
背景技术
如图1所示是电磁炉中功率电路的电路示意图：当功率管Q1栅极加上正脉冲时导通，电流经由电感L1和电容C1组成的谐振回路至功率管Q1的C极再至E极，完成回路。当脉冲信号为零时，功率管Q1截止关闭。脉冲信号的发出时间受控于同步电路和L1、C1的谐振状况。输出功率的大小，取决于输出的脉冲宽度。当Q1所加的脉冲较窄时，L1中存储的能量较少。在与C1谐振时，振荡较弱，不能使Q1的集电极电位为零，此时如功率管Q1导通则属于硬导通，增加功率管本身的损耗，此时如不导通则将使机器停止工作。相反，当Q1所加脉冲较宽时，将使L1、C1回路振荡增强，产生很高的反向电压，如所产生的反向电压超出功率管本身的耐压，将使得功率管击穿损坏。因此，目前常用的电磁炉无法输出大功率，也不能输出较小的功率(如需较小功率只能间歇工作)。
CN200720179150.9提出一种电磁感应加热装置及其变换电路，公开的电磁感应加热装置中，实现全桥与半桥选通的控制元件较多、可靠性较低、实现复杂且实现成本较高。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提出一种实现成本低、安全可靠电磁感应双环加热控制装置。
本实用新型采用如下技术方案实现：一种电磁感应双环加热控制装置，其特征在于，包括依次串接的逻辑控制芯片、IGBT驱动模块和逆变电路；其中，逆变电路包括桥式连接的晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3和晶体管Q4，晶体管Q1的集电极和晶体管Q4的集电极均连接电源，且晶体管Q1的基极、晶体管Q2的基极、晶体管Q3的基极和晶体管Q4的基极均通过IGBT驱动模块分别连接逻辑控制芯片的其中一个PWM信号输出端，在电源与地之间依次串接的2个谐振电容C2和C3，2个谐振电容C2和C3的公共端依次串接开关K1和线圈L2之后与晶体管Q4的发射极连接，而线圈L2与晶体管Q1的发射极之间依次串接开关K2、线圈L1和谐振电容C1。
其中，逆变电路还包括：在晶体管Q4的集电极与地之间依次串接2个吸收电容C4和C5，且2个吸收电容C4和C5的公共端连接晶体管Q4的发射极。
其中，开关K1和开关K2均为接触器。
与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：
本实用新型具有在内环加热时加热面积小且加热功率小、在双环加热时加热面积大且为全功率加热的特点，具有电路结构简单、可靠性高和器件寿命长的优点。
附图说明
图1是现有电磁炉中功率电路的示意图；
图2是本实用新型的电路示意图。
具体实施方式
结合图2所示，本实用新型提出的双环加热控制装置包括依次串接的逻辑控制芯片U1、IGBT驱动模块及逆变电路。其中，逻辑控制芯片U1是采用TI公司型号为TMS320F28027的芯片U1，相关外围电路可参考厂家配套的技术说明书，在此不再赘述。IGBT驱动模块是由富士公司生产的型号为VLA517-01R的IGBT驱动模块，相关外围电路可参考厂家配套的技术说明书，在此不再赘述。而逆变电路包括：晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4，3个谐振电容C1、C2和C3，线圈L1和线圈L2，2个吸收电容C4和C5组成；其中，晶体管Q1的发射极与谐振电容C1的一端和晶体管Q2的集电极相连，谐振电容C1的另一端与线圈L31的一端相连，线圈L1的另一端与开关K2的一端相连，开关K2的另一端与线圈L2的一端和开关K1的一端相连，开关K1的另一端与谐振电容C2和C3的公共端相连，线圈L2的另一端与晶体管Q4的发射极、晶体管Q3的集电极、吸收电容C4和C5的一端相连，晶体管Q1的集电极、晶体管Q4的集电极、谐振电容C2的另一端、吸收电容C4的另一端与电源VCC相连，晶体管Q2的发射极、晶体管Q3的发射极、谐振电容C3的另一端、吸收电容C5的另一端与公共端PGND(地)相连。
本实用新型的工作原理如下：1、当逻辑控制芯片U1检测到有内环加热信号时，开关K1闭合、K2断开，逻辑控制芯片U1通过内部的EPWM模块产生内环加热逻辑波形，其中，PWM4与PWM3产生互补的逻辑波形，PWM2与PWM1输出低电平，经IGBT驱动模块后，晶体管Q1、晶体管Q2不工作，而晶体管Q3、晶体管Q4工作在半桥拓扑逻辑下，实现内环加热。2、当逻辑控制芯片U1检测到有双环加热信号时，开关K2闭合，第一K1断开，逻辑控制芯片U1通过内部的EPWM模块产生双环加热逻辑波形，PWM4与PWM3产生互补的逻辑波形，PWM2与PWM1亦产生互补的逻辑波形，经IGBT驱动模块后，晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4工作在全桥模式下实现双环加热。
其中，所述的开关K1、开关K2为接触器。
本实用新型具有在内环加热时加热面积小且加热功率小、在双环加热时加热面积大且为全功率加热的特点，具有可靠性高、器件寿命长、工艺易实施等特点。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种电磁感应双环加热控制装置，其特征在于，包括依次串接的逻辑控制芯片、IGBT驱动模块和逆变电路；
其中，逆变电路包括桥式连接的晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3和晶体管Q4，晶体管Q1的集电极和晶体管Q4的集电极均连接电源，且晶体管Q1的基极、晶体管Q2的基极、晶体管Q3的基极和晶体管Q4的基极均通过IGBT驱动模块分别连接逻辑控制芯片的其中一个PWM信号输出端，在电源与地之间依次串接的2个谐振电容C2和C3，2个谐振电容C2和C3的公共端依次串接开关K1和线圈L2之后与晶体管Q4的发射极连接，而线圈L2与晶体管Q1的发射极之间依次串接开关K2、线圈L1和谐振电容C1。
2.根据权利要求1所述电磁感应双环加热控制装置，其特征在于，逆变电路还包括：在晶体管Q4的集电极与地之间依次串接2个吸收电容C4和C5，且2个吸收电容C4和C5的公共端连接晶体管Q4的发射极。
3.根据权利要求1或2所述电磁感应双环加热控制装置，其特征在于，开关K1和开关K2均为接触器。
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| CN 201320201059 CN203225906U (zh) | 2013-04-19 | 2013-04-19 | 电磁感应双环加热控制装置 |
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| CN (1) | CN203225906U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106136844A (zh) * | 2015-04-07 | 2016-11-23 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 烹饪器具及用于烹饪器具的电加热装置 |
| CN111741548A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-10-02 | 佛山市冉智电子科技有限公司 | 一种低功耗感应加热功率控制系统 |
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- 2013-04-19 CN CN 201320201059 patent/CN203225906U/zh not_active Expired - Fee Related
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