CN204155236U - 一种新型结构的ogs触摸屏 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种新型结构的OGS触摸屏,包括玻璃基板(1)及依次顺序设置在所述玻璃基板(1)一面的外观油墨层(2)、结合镀层(3)、第一导电线路层、隔离镀层(5)、第二导电线路层及保护镀层(7)。本实用新型提供的新型结构的OGS触摸屏的制作工艺简单,无需TX通道和RX通道的搭桥,而且镀膜附着力更高,从而提高了触摸屏生产的良率。
Description
技术领域
本实用新型涉及触摸屏技术领域,特别涉及一种新型结构的OGS触摸屏。
背景技术
当前触摸屏行业飞速发展,触摸屏的结构也是种类繁多。其中OGS(OneGlass Solution)结构的触摸屏由于节省了一块玻璃(或至少一张膜),所以可以使产品做得更轻薄且成本更低,因此占有很大一部分市场份额。但是OGS结构的触摸屏也因为有一些缺点而限制了它的进一步发展。
目前OGS结构的触摸屏主要有以下两种:
(1)TX通道和RX通道通过搭桥的方式交叉,其中典型图案为菱形。这种结构的缺点:一是搭桥工艺比较复杂,一般很难做到较高的良率;二是由于菱形图案本身所限,导致了在触摸屏水平高速发展的今天,其在电源干扰、防水效果、悬空效果等方面都已暴露出很大的缺陷,因此不能满足一些中高端产品的要求。
(2)TX通道和RX通道不交叉,以互相嵌入的形式占满整个屏幕(业内俗称“毛毛虫”)。这种结构的缺点:一是由于技术等方面的限制,目前只有少数几家IC厂能支持,所以IC的选择面较窄;二是虽然现在业内已有好多各种各样的毛毛虫图案,但是由于毛毛虫图案本身所限,所以它们都有着共同的缺点,那就是性能比较差,并且有盲区,因此这种结构只能支持小尺寸和低端产品的应用,而完全达不到大尺寸高端产品的要求。
实用新型内容
本实用新型目的是提供一种新型结构的OGS触摸屏,解决了现有技术中存在的缺陷,提高触摸屏生产的良率,而且方便适用其他结构的各种图案,使OGS触摸屏不再受图案的限制。
基于上述问题,本实用新型提供的技术方案是:
一种新型结构的OGS触摸屏,包括玻璃基板,还包括依次顺序设置在所述玻璃基板一面的外观油墨层、结合镀层、第一导电线路层、隔离镀层、第二导电线路层及保护镀层。
优选的,所述结合镀层为二氧化硅层。
优选的,所述结合镀层的厚度为20~100nm。
优选的,所述第一导电线路层包括ITO层和引线层,所述第二导电线路层包括ITO层和引线层。
优选的,所述引线层为Cu层。
优选的,所述引线层的厚度为0.5~5μm。
优选的,所述第一导电线路层和所述第二导电线路层为金属网格层。
优选的,所述金属网格层为Cu层或Ag层。
优选的,所述隔离镀层和所述保护镀层为二氧化硅层。
优选的,所述隔离层的厚度为5~50μm,所述保护镀层厚度为50nm~50μm。
与现有技术相比,本实用新型的优点是:
1.采用本实用新型的技术方案,制作工艺简单,无需TX通道和RX通道的搭桥,而且镀膜附着力更高,从而提高了触摸屏生产的良率;
2.采用本实用新型的技术方案,相对于传统OGS触摸屏节省了一张防爆膜,使得产品更薄、成本更低,而且不受图案的限制,其适用性更广,特别适合在大尺寸高端产品上进行使用;
3.采用本实用新型的技术方案,在第一导电线路层和第二导电线路层之间设置的隔离镀层的厚度是可控的,可根据需要增加或减少互电容的基础值,从而为触控芯片调试提供更宽裕的空间,进而提升触摸屏的整体性能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一种新型结构的OGS触摸屏实施例1的结构示意图;
图2为本实用新型一种新型结构的OGS触摸屏实施例2的结构示意图;
其中:1、玻璃基板;2、外观油墨层;3、结合镀层;41、ITO层;42、引线层;43、金属网格层;5、隔离镀层;61、ITO层;62、引线层;63、金属网格层;7、保护镀层。
具体实施方式
以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解,这些实施例是用于说明本实用新型而不限于限制本实用新型的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体厂家的条件做进一步调整,未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。
参见图1,为本实用新型一种新型结构的OGS触摸屏实施例1的结构示意图,其包括玻璃基板1,该玻璃基板1选用钢化玻璃,该玻璃基板1包括用户触摸的触摸面及与触摸面相对的面,在与触摸面相对的面上依次顺序设置外观油墨层2、结合镀层3、第一导电线路层、隔离镀层5、第二导电线路层及保护镀层7。
其中,外观油墨层2采用丝印或者黄光工艺制得,根据实际使用需要可选择黑色、白色或其他颜色;结合镀层3为二氧化硅层,厚度为20~100nm,该二氧化硅层的设置使得第一导电线路层的附着力更高,不易脱落。
第一导电线路层包括RX ITO层41和RX引线层42,RX引线层42采用金属Cu制成;第二导电线路层包括TX ITO层61和TX引线层62,TX引线层62采用金属Cu制成,Cu引线层的厚度为0.5~5μm。氧化铟锡(ITO)层和Cu引线层均采用黄光工艺,这样不需要再增加丝印工艺,使得工艺更简单。
第一导电线路层和第二导电线路层之间设有隔离镀层5,该隔离镀层5为二氧化硅层,其厚度为5~50μm,采用真空溅射镀膜或蒸发镀膜工艺制得。相对于一般的绝缘层所采用的水胶、OCA胶或绝缘油墨,其一方面使得第二导电线路层的附着力更高,不易脱落;另一方面,其厚度可以做到更小并且是可以调控的,因此可以根据需要增加或者减少互电容的基础值,从而为触控芯片调试提供更宽裕的空间,进而提升触摸屏整体性能,这一优势在大尺寸高端产品上尤为明显。
第二导电线路层的另一侧设有保护镀层7,该保护镀层7为二氧化硅层,厚度为50nm~50μm,采用真空溅射镀膜或蒸发镀膜工艺制得,设置该保护镀层可以节省一张防爆膜,使得触摸屏产品更薄、成本更低。
参见图2,为本实用新型实施例2的结构示意图,与实施例1不同之处在于,第一导电线路层为RX金属网格层43,第二导电线路层为TX金属网格层63,RX金属网格层43和TX金属网格层63可采用金属Cu通过黄光工艺制得,或采用金属Ag制得,RX金属网格层43和TX金属网格层63的厚度为0.5~5μm。
在本实用新型的实施例3中,其余与实施例1相同,不同之处在于第一导电线路层为TX ITO层和TX引线层,而第二导电线路层为RX ITO层和RX引线层。
在本实用新型的实施例4中,其余与实施例2相同,不同之处在于第一导电线路层为TX金属网格层而第二导电线路层为RX金属网格层。
综上所述,本实用新型与现有技术相比具有以下有益效果:制作工艺简单,无需TX通道和RX通道的搭桥,而且镀膜附着力更高,从而提高了触摸屏生产的良率;相对于传统OGS触摸屏节省了一张防爆膜,使得产品更薄、成本更低,而且不受图案的限制,其适用性更广,特别适合在大尺寸高端产品上进行使用;在第一导电线路层和第二导电线路层之间设置的隔离镀层的厚度是可控的,可根据需要增加或减少互电容的基础值,为触控芯片调试提供更宽裕的空间,进而提升触摸屏的整体性能。
上述实例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人是能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所做的等效变换或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种新型结构的OGS触摸屏,包括玻璃基板(1),其特征在于:还包括依次顺序设置在所述玻璃基板(1)一面的外观油墨层(2)、结合镀层(3)、第一导电线路层、隔离镀层(5)、第二导电线路层及保护镀层(7)。
2.根据权利要求1所述的新型结构的OGS触摸屏,其特征在于:所述结合镀层(3)为二氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的新型结构的OGS触摸屏,其特征在于:所述结合镀层(3)的厚度为20~100nm。
4.根据权利要求1所述的新型结构的OGS触摸屏,其特征在于:所述第一导电线路层包括ITO层(41)和引线层(42),所述第二导电线路层包括ITO层(61)和引线层(62)。
5.根据权利要求4所述的新型结构的OGS触摸屏,其特征在于:所述引线层(42、62)使用Cu。
6.根据权利要求5所述的新型结构的OGS触摸屏,其特征在于:所述引线层(42、62)的厚度为0.5~5μm。
7.根据权利要求1所述的新型结构的OGS触摸屏,其特征在于:所述第一导电线路层为金属网格层(43),所述第二导电线路层为金属网格层(63)。
8.根据权利要求7所述的新型结构的OGS触摸屏,其特征在于:所述金属网格层(43、63)为Cu层或Ag层。
9.根据权利要求1所述的新型结构的OGS触摸屏,其特征在于:所述隔离镀层(5)和所述保护镀层(7)为二氧化硅层。
10.根据权利要求9所述的新型结构的OGS触摸屏,其特征在于:所述隔离层(5)的厚度为5~50μm,所述保护镀层(7)厚度为50nm~50μm。
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CN201420548293.2U CN204155236U (zh) | 2014-09-23 | 2014-09-23 | 一种新型结构的ogs触摸屏 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104267847A (zh) * | 2014-09-23 | 2015-01-07 | 苏州胜利精密制造科技股份有限公司 | 一种新型结构的ogs触摸屏 |
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2014
- 2014-09-23 CN CN201420548293.2U patent/CN204155236U/zh active Active
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