CN204102893U - 一种半导体测试结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种半导体测试结构，所述半导体测试结构包括：第一金属层、第二金属层、连接所述第一金属层与所述第二金属层的第一连接通孔和第二连接通孔、依次排列的第一焊垫、第二焊垫、第三焊垫、第四焊垫和第五焊垫，所述半导体测试结构中设有两个相邻金属层的连接通孔，且所述两个连接通孔通过四端法连接至五个焊垫上，有效地减小了整个测试结构的面积，为晶圆上的其他结构节省了宝贵的空间，大大提高了焊垫的利用率，增加了每个晶圆上连接通孔的数量，节约了测试成本；同时，由两连接通孔引出的连接至各相应焊垫的金属线的长度和宽度相对应，保证了流经所述两连接通孔的电流大小相同，使得测量的精准度更高。

Description

一种半导体测试结构

技术领域

本实用新型涉及一种半导体工艺技术领域，特别是涉及一种半导体测试结构。 

背景技术

集成电路制造技术已迈入ULST(Ultralarge-scale Integration)的阶段，随着半导体技术的进步，元件的尺寸也不断地缩小，而进入深亚微米领域。当集成电路的集成度增加时，使得晶片的表面无法提供足够的面积来制作所需的内连线(Interconnects)，因此，为了配合元件缩小后所增加的内连线，多层金属导体连线的设计便成为超大型集成电路技术所必需采用的方式。然而，由于多层金属连线结构与其周围的介质材料的热胀系数不同，会使得金属连线受到应力，在应力作用下，金属中的晶粒空隙向应力集中的地方汇集，从而在金属中形成空洞的物理现象，这一现象称为应力迁移(SM，Stress Migration)。应力迁移是造成半导体器件失效的一个重要原因，应力迁移形成的空洞达到一定程度时就会使得集成电路中的金属互连线发生开口，使得所述集成电路失效，故在进行半导体器件的可靠性评估时，应力迁移测试是一个必不可少的测试项目。由于应力迁移产生的空洞一般都是存在于连接相邻金属层的连接通孔的上表面或下表面，故一般将所述连接通孔作为主要的测试对象。 

目前，通常将具有应力测试单元的晶圆在恒定温度下进行一定时间的烘培，依据烘培后该应力测试单元相对于其未烘培时的电阻偏差来判断器件的应力偏移状况：电阻偏差越大，说明半导体器件的应力迁移越明显，其对该器件质量的影响越明显。当电阻偏差大于一定数值时，应力迁移直接造成了器件的失效。 

在上述通过电阻偏移来判断应力偏移的测试技术中，电阻的精确测量是确保其测量精准度的关键因素。现有的应力迁移测试结构的俯视图如图1所示，所述应力迁移测试结构包括位于第一金属层的第一金属线10和第二金属线11，位于第二金属层的第三金属线12和第四金属线13，连接所述第一金属层和第二金属层的连接通孔14，依次排列的第一焊垫15、第二焊垫16、第三焊垫17和第四焊垫18；其中，所述第一金属线10一端与所述第一焊垫15相连接，另一端与所述连接通孔14的上表面相连接，所述第二金属线11一端与所述连接通孔14的上表面相连接，另一端与所述第二焊垫16相连接，所述第三金属线12一端与所述第四焊垫18相连接，另一端与所述连接通孔14的下表面相连接，所述第四金属线13一端与所述连接通孔14的下表面相连接，另一端与所述第三焊垫17相连接。图2为图1中两层金属线通过所述连接通孔14相连接结构沿AA’方向的截面图。图1中的应力迁移测试结构为四端法电阻测试结构，在对该应力迁移测试结构进行测试时，所使用的测试装置如图3所示，为 电阻测试装置，所述电阻测试装置19包括两个电压测量探针191、一个电流输入探针192和一个电流输出探针193，所述两个电压测量探针191之间串联一个电压表194，所述电流输入探针192与所述电流输出探针193之间串联一个电流表195和一个可调恒流源196。在测试的过程中，所述应力迁移测试结构中的所述第一焊垫15和第四焊垫18分别于所述电流输入探针192和电流输出探针193相连接，所述第二焊垫16和第三焊垫17分别于所述电压测量探针191相连接。 

图1中所述应力迁移测试结构中的所述连接通孔14的电阻一般比较小，为了实现精确测量，所述连接通孔14是被采用四端法连接至相应的焊垫上，通过对所述连接通孔14的量测即可以精确地知道在应力迁移作用下两层相邻金属之间的互连情况。但由于在该应力迁移测试结构中，是以单个的连接通孔14为测试对象，将其连接至四个焊垫上来实现量测的，如果需要检测所有相连金属之间的连接通孔14的互连情况，就需要将所有的连接通孔14全部依次连出，在四个焊垫只连接一个连接通孔14的情况下，焊垫的利用率非常低，整个测试结构的面积比较大，这就使得在每个晶圆上设置的待检测连接通孔的数量非常有限，而应力迁移测试需要测量一定数量的连接通孔，每次测试都需要消耗2～3片晶圆，大大增加了晶圆的损耗，增加了测试的成本。 

鉴于此，有必要设计一种新的半导体测试结构用以解决上述技术问题。 

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体测试结构，用于解决现有技术中由于一个待检测连接通孔占用四个焊垫而导致的整个测试结构的面积比较大，焊垫的利用率较低，测试成本较高的问题。 

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体测试结构，所述半导体测试结构包括：第一金属层、第二金属层、连接所述第一金属层与所述第二金属层的第一连接通孔和第二连接通孔、依次排列的第一焊垫、第二焊垫、第三焊垫、第四焊垫和第五焊垫；所述第一金属层包括第一金属线、第二金属线、第三金属线和第四金属线；所述第一金属线一端与所述第三焊垫相连接，另一端与所述第一连接通孔的上表面相连接；所述第二金属线一端与所述第一连接通孔的上表面相连接，另一端与所述第五焊垫相连接；所述第三金属线一端与所述第三焊垫相连接，另一端与所述第二连接通孔的上表面相连接；所述第四金属线一端与所述第二连接通孔的上表面相连接，另一端与所述第五焊垫相连接；所述第二金属层包括第五金属线、第六金属线、第七金属线和第八金属线；所述第五金属线一端与所述第二焊垫相连接，另一端与所述第一连接通孔的下表面相连接；所述第六金属线一端与所述第一 连接通孔的下表面相连接，另一端与所述第一焊垫相连接；所述第七金属线一端与所述第四焊垫相连接，另一端与所述第二连接通孔的下表面相连接；所述第八金属线一端与所述第二连接通孔的下表面相连接，另一端与所述第一焊垫相连接。 

作为本实用新型的半导体测试结构的一种优选方案，所述第一金属线的长度和宽度分别等于所述第三金属线的长度和宽度，所述第二金属线的长度和宽度分别所述第八金属线的长度和宽度，所述第四金属线的长度和宽度分别等于所述第六金属线的长度和宽度，所述第五金属线的长度和宽度分别等于所述第七金属线的长度和宽度。 

作为本实用新型的半导体测试结构的一种优选方案，所有金属线的宽度均相等。 

作为本实用新型的半导体测试结构的一种优选方案，所述第一金属线的长度和宽度分别等于所述第五金属线的长度和宽度，所述第三金属线的长度和宽度分别等于所述第七金属线的长度和宽度。 

作为本实用新型的半导体测试结构的一种优选方案，所述第二金属线和第四金属线位于所述第一连接通孔及所述第二连接通孔的一侧，所述第六金属线和第八金属线位于所述第一连接通孔及所述第二连接通孔的另一侧，且所述两侧为相对的两侧。 

作为本实用新型的半导体测试结构的一种优选方案，所述第一金属层中金属线的材料与所述第二金属层中金属线的材料相同。 

作为本实用新型的半导体测试结构的一种优选方案，所述第一金属层中的金属线与所述第二金属层中的金属线均为铜线。 

作为本实用新型的半导体测试结构的一种优选方案，所述第一金属层与所述第二金属层之间设有一介质层，所述第一连接通孔与所述第二连接通孔均位于所述介质层中。 

作为本实用新型的半导体测试结构的一种优选方案，所述第一金属层还包括第九金属线，所述第二金属线和所述第四金属线均通过所述第九金属线与所述第五焊垫相连接；所述第二金属层还包括第十金属线，所述第六金属线和所述第八金属线均通过所述第十金属线与所述第一焊垫相连接。 

作为本实用新型的半导体测试结构的一种优选方案，所述第二金属线、第四金属线、第六金属线和第八金属线均包括相互垂直连接的第一部分和第二部分；其中，所述第二金属线的第一部分与所述第一连接通孔的上表面相连接，所述第二金属线的第二部分与所述第九金属线远离所述第五焊垫的一端相连接；所述第四金属线的第一部分与所述第二连接通孔的上表面相连接，所述第四金属线的第二部分与所述第九金属线远离所述第五焊垫的一端相连接；所述第六金属线的第一部分与所述第一连接通孔的下表面相连接，所述第六金属线的第二部分与所述第十金属线远离所述第一焊垫的一端相连接；所述第八金属线的第一部分与所述第 二连接通孔的下表面相连接，所述第八金属线的第二部分与所述第十金属线远离所述第一焊垫的一端相连接。 

作为本实用新型的半导体测试结构的一种优选方案，所有金属线第一部分的长度均相等，所述金属线第二部分的长度均相等，且所有金属线的宽度相等。 

作为本实用新型的半导体测试结构的一种优选方案，所述焊垫呈一字排列，所述第一连接通孔位于所述第二焊垫与所述第三焊垫之间的中部，所述第二连接通孔位于所述第三焊垫与所述第四焊垫之间的中部；所述第一金属线、第三金属线、第五金属线和第七金属线均位于所述第一连接通孔与所述第二连接通孔所在的直线上；所有金属线的第一部分均与所述第一金属线、第三金属线、第五金属线和第七金属线所在的直线相垂直。 

作为本实用新型的半导体测试结构的一种优选方案，所述半导体测试结构与一电阻测试装置相连接，所述电阻测试装置包括电流输入探针、电流输出探针和三个电压测量探针，其中，所述第一焊垫与所述电流输入探针相连接，所述第五焊垫与所述电流输出探针相连接，适于为所述半导体测试结构中提供一电流；所述第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘分别与所述电压测量探针相连接，适于测量所述第一连接通孔两端的电压及所述第二连接通孔两端的电压。 

如上所述，本实用新型的半导体测试结构，具有以下有益效果：所述半导体测试结构中设有两个相邻金属层的连接通孔，且所述两个连接通孔通过四端法连接至五个焊垫上，有效地减小了整个测试结构的面积，为晶圆上的其他结构节省了宝贵的空间，大大提高了焊垫的利用率，增加了每个晶圆上连接通孔的数量，节约了测试成本；同时，由两连接通孔引出的连接至各相应焊垫的金属线的长度和宽度相对应，保证了流经所述两连接通孔的电流大小相同，使得测量的精准度更高。 

附图说明

图1显示为现有技术中半导体测试结构的俯视图。 

图2显示为图1中连接通孔周围结构沿AA’方向的截面图。 

图3显示为现有技术中的电阻测试装置。 

图4显示为本实用新型的半导体测试结构的俯视图。 

图5显示为图4中第二连接通孔周围结构沿BB’方向的截面图。 

图6显示为本实用新型的半导体测试结构相连接的电阻测试装置。 

元件标号说明 

10         第一金属线 

11         第二金属线 

12         第三金属线 

13         第四金属线 

14         连接通孔 

15         第一焊垫 

16         第二焊垫 

17         第三焊垫 

18         第四焊垫 

19、217    电阻测试装置 

191、217a  电压测量探针 

192、217b  电流输入探针 

193、217c  电流输出探针 

194、217d  电压表 

195、217e  电流表 

196、217f  可调恒流源 

200        第一连接通孔 

201        第二连接通孔 

202        第一焊垫 

203        第二焊垫 

204        第三焊垫 

205        第四焊垫 

206        第五焊垫 

207        第一金属线 

208        第二金属线 

208a       第二金属线的第一部分 

208b       第二金属线的第二部分 

209        第三金属线 

210        第四金属线 

210a       第四金属线的第一部分 

210b       第四金属线的第二部分 

211        第五金属线 

212        第六金属线 

212a       第六金属线的第一部分 

212b       第六金属线的第二部分 

213        第七金属线 

214        第八金属线 

214a       第八金属线的第一部分 

214b       第八金属线的第二部分 

215        第九金属线 

216        第十金属线 

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。 

请参阅图4至图6。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。 

请参阅图4，本实用新型提供一种半导体测试结构，所述半导体测试结构包括：第一金属层(未示出)、第二金属层(未示出)、连接所述第一金属层与所述第二金属层的第一连接通孔200和第二连接通孔201、依次排列的第一焊垫202、第二焊垫203、第三焊垫204、第四焊垫205和第五焊垫206；所述第一金属层包括第一金属线207、第二金属线208、第三金属线209和第四金属线210；所述第一金属线207一端与所述第三焊垫204相连接，另一端与所述第一连接通孔200的上表面相连接；所述第二金属线208一端与所述第一连接通孔200的上表面相连接，另一端与所述第五焊垫206相连接；所述第三金属线209一端与所述第三焊垫204相连接，另一端与所述第二连接通孔201的上表面相连接；所述第四金属线210 一端与所述第二连接通孔201的上表面相连接，另一端与所述第五焊垫206相连接；所述第二金属层包括第五金属线211、第六金属线212、第七金属线213和第八金属线214；所述第五金属线211一端与所述第二焊垫203相连接，另一端与所述第一连接通孔200的下表面相连接；所述第六金属线212一端与所述第一连接通孔200的下表面相连接，另一端与所述第一焊垫202相连接；所述第七金属线213一端与所述第四焊垫205相连接，另一端与所述第二连接通孔201的下表面相连接；所述第八金属线214一端与所述第二连接通孔201的下表面相连接，另一端与所述第一焊垫202相连接。 

请参阅图5，图5为图4中第二连接通孔201周围结构沿BB’方向的截面图，由图5可知，所述第二连接通孔201与所述第三金属线209及所述第七金属线213的端部相连接，同时，所述第二连接通孔201也与所述第四金属线210及所述第八金属线214的端部相连接，只是图中未予示出。所述第一连接通孔200周围结构的截面图与所述第二连接通孔201周围结构的截面图相似，可以参考图5，这里不再累述。 

请参阅图6，所述半导体测试结构在测试的过程中，需要外接如图6所示的电阻测试结构217。如图6所示，所述电阻测试装置217包括三个电压量测探针217a、电流输入探针217b和电流输出探针217c，相邻两所述电压量测探针217a之间均串联有一个电压表217d，电流输入探针217b、电流输出探针217c和三个电压测量探针217a，所述电流输入探针217b和电流输出探针217c之间依次串联电流表217e和可调恒流源217f。所述第一焊垫202与所述电流输入探针217b相连接，所述第五焊垫206与所述电流输出探针217c相连接；所述第二焊盘203、第三焊盘204和第四焊盘205分别依次与三个所述电压测量探针217a相连接。测量时，所述电流输入输出探针为所述半导体测试结构输入一恒定的电流，所述三个电压量测探针217a分别量测所述第二焊垫203与所述第三焊垫204之间电压及所述第三焊垫204与所述第四焊垫205之间的电压，并分别近似等于所述第一连接通孔200两端的电压和所述第二连接通孔201两端的电压。量测出所述第一连接通孔200两端的电压及所述第二连接通孔201两端的电压，再结合流经所述第一连接通孔200及第二连接通孔201的电流，根据欧姆定律就可以算出所述第一连接通孔200的电阻及所述第二连接通孔201的电阻。 

具体的，由于所述第一连接通孔200与所述第二连接通孔201在所述半导体测试结构中并联，在所述第一焊垫202与所述第五焊垫206之间输入一个恒定电流以后，为了精确地得到流经所述第一连接通孔200及所述第二连接通孔201的电流，尽量使所述并联电流的两分支均分所述输入的电流，即流经所述第一连接通孔200及所述第二连接通孔201的电流相等，均为输入电流的二分之一。为了实现这一目的，提高量测的精准度，应使由所述第一连接通孔200连接至所述第一焊垫202及所述第五焊垫206的金属线与由所述第二连接通孔201连 接至所述第一焊垫202及所述第五焊垫206的金属线在材料、宽度和长度上一致。 

请继续参阅图4，所述第一金属线207的长度和宽度分别等于所述第三金属线209的长度和宽度，所述第二金属线208的长度和宽度分别所述第八金属线214的长度和宽度，所述第四金属线210的长度和宽度分别等于所述第六金属线212的长度和宽度，所述第五金属线211的长度和宽度分别等于所述第七金属线213长度和宽度。优选地，本实施例中，所有金属线的宽度均相等。优选地，本实施例中，所述第一金属线207、第三金属线209、第五金属线211和第七金属线213的长度和宽度均相等。 

具体的，所述第二金属线208和第四金属线210位于所述第一连接通孔200及所述第二连接通孔201的一侧，所述第六金属线212和第八金属线214位于所述第一连接通孔200及所述第二连接通孔201的另一侧，且所述两侧为相对的两侧。 

具体的，所述第一金属层中金属线的材料与所述第二金属层中金属线的材料相同。所述金属线的材料可以为铜、钨、铝/铜合金、铝、抗金属(refractory metal)或金属化合物，优选地，本实施例中，所述第一金属层中金属线的材料与所述第二金属层中金属线的材料均为铜。 

具体的，所述第一金属层与所述第二金属层之间设有一介质层(未示出)，所述第一连接通孔200与所述第二连接通孔201均位于所述介质层中。 

具体的，所述第一连接通孔200与所述第二连接通孔201内均沉积有金属，以实现所述第一金属层与所述第二金属层的连通。所述第一连接通孔200与所述第二连接通孔201内均沉积的金属与所述第一金属层中金属线的材料及所述第二金属层中金属线的材料相同，优选地，所沉积的金属均为铜。 

具体的，所述第一金属层还包括第九金属线215，所述第二金属线208和所述第四金属线210均通过所述第九金属线215与所述第五焊垫206相连接；所述第二金属层还包括第十金属线216，所述第六金属线212和所述第八金属线214均通过所述第十金属线216与所述第一焊垫202相连接。优选地，所述第二金属线208远离所述第一连接通孔200的一端与所述第四金属线210远离所述第二连接通孔201的一端均与所述第九金属线215的一端相连接，所述第九金属线215的另一端与所述第五焊垫206相连接；所述第六金属线212远离所述第一连接通孔200的一端与所述第八金属线214远离所述第二连接通孔201的一端均与所述第十金属线216的一端相连接，所述第十金属线216的另一端与所述第一焊垫202相连接。优选地，所述第一金属线207、所述第二金属线208和所述第九金属线215首尾相连，所述第三金属线209、所述第四金属线210和所述第九金属线215首尾相连，所述第五金属线211、所述第六金属线212和所述第十金属线216首尾相连，所述第七金属线213、所述第八金属 线214和所述第十金属线216首尾相连。 

具体的，所述第二金属线208、第四金属线210、第六金属线212和第八金属线214均包括相互垂直连接的第一部分和第二部分；其中，所述第二金属线208的第一部分208a与所述第一连接通孔200的上表面相连接，所述第二金属线208的第二部分208b与所述第九金属线215远离所述第五焊垫206的一端相连接；所述第四金属线210的第一部分210a与所述第二连接通孔201的上表面相连接，所述第四金属线210的第二部分210b与所述第九金属线215远离所述第五焊垫206的一端相连接；所述第六金属线212的第一部分212a与所述第一连接通孔200的下表面相连接，所述第六金属线212的第二部分212b与所述第十金属线216远离所述第一焊垫202的一端相连接；所述第八金属线214的第一部分214a与所述第二连接通孔201的下表面相连接，所述第八金属线214的第二部分214b与所述第十金属线216远离所述第一焊垫202的一端相连接。 

具体的，所有金属线第一部分的长度均相等，所述金属线第二部分的长度均相等，且所有金属线的宽度相等。 

具体的，第一焊垫202、第二焊垫203、第三焊垫204、第四焊垫205和第五焊垫206呈一字排列，所述第一连接通孔200位于所述第二焊垫203与所述第三焊垫204之间的中部，所述第二连接通孔201位于所述第三焊垫204与所述第四焊垫205之间的中部；所述第一金属线207、第三金属线209、第五金属线211和第七金属线213均位于所述第一连接通孔200与所述第二连接通孔201所在的直线上；且所述第二金属线208、第四金属线210、第六金属线212和第八金属线214的第一部分均与所述第一金属线207、第三金属线209、第五金属线211和第七金属线213所在的直线相垂直。 

综上所述，本实用新型提供一种半导体测试结构，所述半导体测试结构中设有两个相邻金属层的连接通孔，且所述两个连接通孔通过四端法连接至五个焊垫上，有效地减小了整个测试结构的面积，为晶圆上的其他结构节省了宝贵的空间，大大提高了焊垫的利用率，增加了每个晶圆上连接通孔的数量，节约了测试成本；同时，由两连接通孔引出的连接至各相应焊垫的金属线的长度和宽度相对应，保证了流经所述两连接通孔的电流大小相同，使得测量的精准度更高。 

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。 

Claims (13)

1.一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：第一金属层、第二金属层、连接所述第一金属层与所述第二金属层的第一连接通孔和第二连接通孔、依次排列的第一焊垫、第二焊垫、第三焊垫、第四焊垫和第五焊垫； 

所述第一金属层包括第一金属线、第二金属线、第三金属线和第四金属线；所述第一金属线一端与所述第三焊垫相连接，另一端与所述第一连接通孔的上表面相连接；所述第二金属线一端与所述第一连接通孔的上表面相连接，另一端与所述第五焊垫相连接；所述第三金属线一端与所述第三焊垫相连接，另一端与所述第二连接通孔的上表面相连接；所述第四金属线一端与所述第二连接通孔的上表面相连接，另一端与所述第五焊垫相连接； 

所述第二金属层包括第五金属线、第六金属线、第七金属线和第八金属线；所述第五金属线一端与所述第二焊垫相连接，另一端与所述第一连接通孔的下表面相连接；所述第六金属线一端与所述第一连接通孔的下表面相连接，另一端与所述第一焊垫相连接；所述第七金属线一端与所述第四焊垫相连接，另一端与所述第二连接通孔的下表面相连接；所述第八金属线一端与所述第二连接通孔的下表面相连接，另一端与所述第一焊垫相连接。 

2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属线的长度和宽度分别等于所述第三金属线的长度和宽度，所述第二金属线的长度和宽度分别所述第八金属线的长度和宽度，所述第四金属线的长度和宽度分别等于所述第六金属线的长度和宽度，所述第五金属线的长度和宽度分别等于所述第七金属线的长度和宽度。 

3.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于：所有金属线的宽度均相等。 

4.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属线的长度和宽度分别等于所述第五金属线的长度和宽度，所述第三金属线的长度和宽度分别等于所述第七金属线的长度和宽度。 

5.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第二金属线和第四金属线位于所述第一连接通孔及所述第二连接通孔的一侧，所述第六金属线和第八金属线位于所述第一连接通孔及所述第二连接通孔的另一侧，且所述两侧为相对的两侧。 

6.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层中金属线的材料与 所述第二金属层中金属线的材料相同。 

7.根据权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层中的金属线与所述第二金属层中的金属线均为铜线。 

8.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层与所述第二金属层之间设有一介质层，所述第一连接通孔与所述第二连接通孔均位于所述介质层中。 

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层还包括第九金属线，所述第二金属线和所述第四金属线均通过所述第九金属线与所述第五焊垫相连接；所述第二金属层还包括第十金属线，所述第六金属线和所述第八金属线均通过所述第十金属线与所述第一焊垫相连接。 

10.根据权利要求9所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第二金属线、第四金属线、第六金属线和第八金属线均包括相互垂直连接的第一部分和第二部分；其中，所述第二金属线的第一部分与所述第一连接通孔的上表面相连接，所述第二金属线的第二部分与所述第九金属线远离所述第五焊垫的一端相连接；所述第四金属线的第一部分与所述第二连接通孔的上表面相连接，所述第四金属线的第二部分与所述第九金属线远离所述第五焊垫的一端相连接；所述第六金属线的第一部分与所述第一连接通孔的下表面相连接，所述第六金属线的第二部分与所述第十金属线远离所述第一焊垫的一端相连接；所述第八金属线的第一部分与所述第二连接通孔的下表面相连接，所述第八金属线的第二部分与所述第十金属线远离所述第一焊垫的一端相连接。 

11.根据权利要求10所述的半导体测试结构，其特征在于：所有金属线第一部分的长度均相等，所述金属线第二部分的长度均相等，且所有金属线的宽度相等。 

12.根据权利要求11所述的半导体测试结构，其特征在于：所述焊垫呈一字排列，所述第一连接通孔位于所述第二焊垫与所述第三焊垫之间的中部，所述第二连接通孔位于所述第三焊垫与所述第四焊垫之间的中部；所述第一金属线、第三金属线、第五金属线和第七金属线均位于所述第一连接通孔与所述第二连接通孔所在的直线上；所有金属线的第一部分均与所述第一金属线、第三金属线、第五金属线和第七金属线所在的直线相垂直。 

13.根据权利要求12所述的半导体测试结构，其特征在于：所述半导体测试结构与一电阻测试装置相连接，所述电阻测试装置包括电流输入探针、电流输出探针和三个电压测量探针，其中，所述第一焊垫与所述电流输入探针相连接，所述第五焊垫与所述电流输出探针相连接，适于为所述半导体测试结构中提供一电流；所述第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘分别与所述电压测量探针相连接，适于测量所述第一连接通孔两端的电压及所述第二连接通孔两端的电压。