CN204067421U - 层状双体led芯片封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种层状双体LED芯片封装结构，包括LED晶片、正极金线、正极焊层、负极金线、负极焊层、底层成型体和顶层封装体，LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜。本案利用层状双体的中部夹持住发光源，使得发光源被抬高一段位移，这样出光角度更大；又顶层封装体为环氧树脂材质，光强损失小，出光效率更高。在顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜，可以进一步地提高出光效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及绿色照明技术领域，尤其涉及一种层状双体LED芯片封装结构。
背景技术
目前，贴片式LED一般采用封装体，封装体由于体积小，重量轻，散射角度大，发光均匀性好，可靠性高，抗振能力强，高频性能好，易于实现自动化提高生产效率，所以广泛应用于照明、显示器、背光等领域。
现有的LED灯封装结构中，支架体采用塑料材质，塑料材质不仅透光性不好，而且会造成环境污染。透光性是衡量固晶胶性能最重要的参数，而硅胶的透光性能一般，如果采用硅胶作为固晶胶，会导致LED灯的光强损失较大。
发明内容
针对上述技术中存在的不足之处，本实用新型提供一种发光角度更大，出光效率更高，且光强损失较小的层状双体LED芯片封装结构。
为实现上述目的，本实用新型提供一种层状双体LED芯片封装结构，包括LED晶片、正极金线、正极焊层、负极金线、负极焊层、底层成型体和顶层封装体，所述LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，所述LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；所述顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；所述顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜。
其中，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构。
其中，所述底层成型体为聚乙烯材质，所述顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构。
其中，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，该底层成型体为透光结构，其表面设有SiO2增透薄膜。
其中，所述底层成型体为聚乙烯材质，所述顶层封装体为环氧树脂材质，该底层成型体为透光结构，其表面设有SiO2增透薄膜。
本实用新型的有益效果是：与现有技术相比，本实用新型提供的层状双体LED芯片封装结构，利用层状双体的中部夹持住发光源，使得发光源被抬高一段位移，这样出光角度更大；又利用封装的双焊层结构，并利用金线进行焊接导电，可以显著提高电连接的可靠性；又顶层封装体为环氧树脂材质，光强损失小，出光效率更高。在顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜，可以进一步地提高出光效率。
进一步地，层状双体结构可以有多种变形：
第一种为上下均为环氧树脂的反射结构，这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。
第二种为上环氧树脂下聚乙烯的反射结构，这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。
第三种为上下均为环氧树脂的透明结构，这样的布置可以最大限度地拓展出光角度，使得发光源360度全发光。
第四种为上环氧树脂下聚乙烯的透光结构，利用聚乙烯材质的特性，安装在不同规格的散热基板上，成型体具有较高的耐高温特性。
附图说明
图1为本实用新型的层状双体LED芯片封装结构的结构图。
主要元件符号说明如下：
10、底层成型体 11、顶层封装体
12、LED晶片 13、正极焊层
14、负极焊层 15、正极金线
16、负极金线
具体实施方式
为了更清楚地表述本实用新型，下面结合附图对本实用新型作进一步地描述。
请参阅图1，本实用新型的层状双体LED芯片封装结构，包括LED晶片12、正极金线15、正极焊层13、负极金线16、负极焊层14、底层成型体10和顶层封装体11，LED晶片12、正极焊层13和负极焊层14置于底层成型体10的一面上， LED晶片12通过正极金线15电连接正极焊层13，且该LED晶片12通过负极金线16电连接负极焊层14；顶层封装体11与底层成型体10连接后将LED晶片12封装在内，且正极焊层13和负极焊层14有金属连接端露出；顶层封装体11的表面设有SiO2增透薄膜。
相较于现有技术的情况，本实用新型提供的层状双体LED芯片封装结构，利用层状双体的中部夹持住发光源，使得发光源被抬高一段位移，这样出光角度更大；又利用封装的双焊层结构，并利用金线进行焊接导电，可以显著提高电连接的可靠性；又顶层封装体为环氧树脂材质，光强损失小，出光效率更高。在顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜，可以进一步地提高出光效率。
本实用新型的优势在于，层状双体结构可以有多种变形：
第一种为上下均为环氧树脂的反射结构，底层成型体10和顶层封装体11为环氧树脂材质，且底层成型体10为掺杂具有反射效果的不透光结构。这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。
第二种为上环氧树脂下聚乙烯的反射结构，底层成型体10为聚乙烯材质，顶层封装体11为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构。这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。
第三种为上下均为环氧树脂的透明结构，底层成型体10和顶层封装体11为环氧树脂材质，该底层成型体10为透光结构，其表面设有SiO2增透薄膜。这样的布置可以最大限度地拓展出光角度，使得发光源360度全发光。
第四种为上环氧树脂下聚乙烯的透光结构，底层成型体10为聚乙烯材质，顶层封装体11为环氧树脂材质，该底层成型体10为透光结构，其表面设有SiO2增透薄膜。利用聚乙烯材质的特性，安装在不同规格的散热基板上，成型体具有较高的耐高温特性。
以上公开的仅为本实用新型的几个具体实施例，但是本实用新型并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种层状双体LED芯片封装结构，其特征在于，包括LED晶片、正极金线、正极焊层、负极金线、负极焊层、底层成型体和顶层封装体，所述LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，所述LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；所述顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；所述顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜。
2.根据权利要求1所述的层状双体LED芯片封装结构，其特征在于，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构。
3.根据权利要求1所述的层状双体LED芯片封装结构，其特征在于，所述底层成型体为聚乙烯材质，所述顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构。
4.根据权利要求1所述的层状双体LED芯片封装结构，其特征在于，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，该底层成型体为透光结构，其表面设有SiO2增透薄膜。
5.根据权利要求1所述的层状双体LED芯片封装结构，其特征在于，所述底层成型体为聚乙烯材质，所述顶层封装体为环氧树脂材质，该底层成型体为透光结构，其表面设有SiO2增透薄膜。
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Inventor after: Xu Haipeng Inventor after: He Fang Inventor after: Huang Jianbo Inventor after: Lei Junyong Inventor after: Liu Qiuting Inventor after: Rong Chao Inventor after: Tian Qin Inventor before: Xu Haipeng |
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| COR | Change of bibliographic data | ||
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Address after: 518000, 2, 3 and 5 buildings, E new low carbon technology park, Shenzhen Wood Street, Pinghu District, Longgang District, Guangdong, China Patentee after: Shenzhen Xinguang electronic Polytron Technologies Inc Address before: 2, E building, 518000 Tung Sheng low carbon technology park, Pinghu street, Longgang District, Shenzhen, Guangdong, China Patentee before: SHENZHEN XINGUANGTAI ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. |
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