CN204067317U - 金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备，包括设置在底部架台与控制系统(4)上的振动盘上料器(1)、整列机构(2)、折弯机构(3)、避让机构(5)以及压紧机构(6)，振动盘上料器(1)放置待加工的金属氧化物半导体型场效应管，整列机构(2)将待加工的金属氧化物半导体型场效应管从振动盘上料器(1)中导入至待加工工位并进行整列排布，压紧机构(6)压紧金属氧化物半导体型场效应管并利用所述的折弯机构(3)进行折弯整形，避让机构(5)搭载折弯机构(3)与压紧机构(6)在避让位置和折弯整形位置来回往复运动。本实用新型可以自动完成MOS管的上料、折弯与整形，提高了生产效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种对半导体器件管脚的加工设备，尤其是涉及一种金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备。
背景技术
MOS管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体型场效应管)因其性能优异，逐渐替代了大功率晶体三极管，广泛应用于放大电路或开关电路。在汽车电子、电视机等设备的重要元器件上的MOS管难以安装和散热问题也随之而来，这就对MOS管的折弯整形提出了更高的要求。目前对于MOS管的加工大都采用人工使用辅助工具来进行加工，存在以下缺点：1)效率低，每一次的人工上料和下料需要耗费大量时间，影响产能。2)只能完成折弯整形单一的工作，无法满足自动化生产线的需求。3)操作人员需要不停重复相同的动作，易疲劳出现意外情况。
中国专利CN202230984U公开了一种MOS管的管脚整形装置，这种装置利用压机上模与压机下模的配合，使普通工人都可以操作这样工装，可以同时对3个乃至多个MOS管整形。但是，由于人参与下料和上料，就使得这种装置效率不够高，产能不够理想。而且，这种装置显然只适合单一作业，需要人手工取下物料，不能够满足自动化生产线的需求。
实用新型内容
本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种提高了生产效率的金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备。
本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现：
金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备，包括设置在底部架台与控制系统上的振动盘上料器、整列机构、折弯机构、避让机构以及压紧机构，
所述的振动盘上料器放置待加工的金属氧化物半导体型场效应管，
所述的整列机构将待加工的金属氧化物半导体型场效应管从振动盘上料器中导入至待加工工位并进行整列排布，
所述的压紧机构压紧金属氧化物半导体型场效应管并利用所述的折弯机构进行折弯整形，
所述的避让机构搭载折弯机构与压紧机构在避让位置和折弯整形位置来回往复运动。
所述的振动盘上料器由放置待加工的金属氧化物半导体型场效应管的料盒及上料轨道组成。
所述的料盒内还设有金属氧化物半导体型场效应管数量报警装置。
所述的整列机构由工作平台、导向条、调整块、支撑座和整列气缸组成，所述的工作平台与上料轨道连接，经支撑座连接在底部架台与控制系统上，所述的导向条、调整块经整列气缸控制调整位置。
所述的工作平台上设有防止金属氧化物半导体型场效应管掉落的L形挡边。
所述的折弯机构由折弯气缸、双耳形的折弯支座和转动轴组成，所述的折弯气缸支撑连接在所述的双耳形的折弯支座上并对金属氧化物半导体型场效应管进行折弯整形，所述的转动轴与金属氧化物半导体型场效应管的引脚接触。
所述的压紧机构由压紧气缸和压紧块组成，压紧气缸控制其下方的压紧块压紧工作平台上放置的金属氧化物半导体型场效应管。
所述的避让机构由避让气缸、避让平台、支撑板和直线导轨组成，所述的避让气缸控制避让平台在直线导轨上运动，所述的避让平台上设置支撑板搭载折弯机构及压紧机构。
所述的直线导轨有两条，平行设置在折弯机构及压紧机构的两侧，所述的支撑板呈门型结构，底部经避让平台连接在两条直线导轨上。
与现有技术相比，本实用新型可以自动完成MOS管的上料、折弯与整形，提高了生产效率，增设的避让机构使折弯整形好的MOS管实现自动下料成为可能，可以满足自动化生产线的需求，而且控制简单，自动运行，只需隔段时间后向料盒上料即可。
附图说明
图1为本实用新型的主视结构示意图；
图2为本实用新型的俯视结构示意图；
图3为本实用新型的左视结构示意图。
图中，1为振动盘上料器、11为料盒、12为上料轨道、2为整列机构、21为工作平台、22为导向条、23为调整块、24为支撑座、25为整列气缸、211为L形挡边、3为折弯机构、31为折弯气缸、32为折弯支座、33为转动轴、4为底部架台与控制系统、5为避让机构、51为避让气缸、52为避让平台、53为支撑板、54为直线导轨、6为压紧机构、61为压紧气缸、62为压紧块。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。
实施例
金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备，其结构如图1-3所示，该设备包括设置在底部架台与控制系统4上的振动盘上料器1、整列机构2、折弯机构3、避让机构5以及压紧机构6。
振动盘上料器1放置待加工的金属氧化物半导体型场效应管(MOS管)，由放置待加工的金属氧化物半导体型场效应管的料盒11及上料轨道12组成。在料盒11内还设有金属氧化物半导体型场效应管数量报警装置，若MOS管比较少或者没有，设备报警提醒操作者对料盒11补充MOS管。
整列机构2将待加工的金属氧化物半导体型场效应管从振动盘上料器1中导入至待加工工位并进行整列排布，由工作平台21、导向条22、调整块23、支撑座24和整列气缸25组成，工作平台21与上料轨道12连接，经支撑座24连接在底部架台与控制系统4上，在工作平台21上设有防止金属氧化物半导体型场效应管掉落的L形挡边211，导向条22、调整块23经整列气缸25控制调整位置。
压紧机构6压紧金属氧化物半导体型场效应管并利用折弯机构3进行折弯整形，折弯机构3由折弯气缸31、双耳形的折弯支座32和转动轴33组成，折弯气缸31支撑连接在所述的双耳形的折弯支座32上并对金属氧化物半导体型场效应管进行折弯整形，转动轴33与金属氧化物半导体型场效应管的引脚接触。压紧机构6由压紧气缸61和压紧块62组成，压紧气缸61控制其下方的压紧块62压紧工作平台21上放置的金属氧化物半导体型场效应管。
避让机构5搭载折弯机构3与压紧机构6在避让位置和折弯整形位置来回往复运动，由避让气缸51、避让平台52、支撑板53和直线导轨54组成，避让气缸51控制避让平台52在直线导轨54上运动，直线导轨54有两条，平行设置在折弯机构3及压紧机构6的两侧，避让平台52上设置支撑板53搭载折弯机构3及压紧机构6。支撑板53呈门型结构，底部经避让平台52连接在两条直线导轨54上。折弯机构3与压紧机构6在避让位置和折弯整形位置来回往复运动，使折弯整形好的MOS管能够自动下料成为可能。
本实用新型的工作对象不仅可以是不同规格的MOS管，而且还可以是与MOS管类似的半导体元器件。对应不同的工作对象，只需更换载具即可实现。设备采用气缸提供动力，使用空气为工作介质，不会污染环境，也不会污浊MOS管等工件。使用时，操作者向振动盘上料器1的料盒11中放入若干个MOS管，按下开始按钮，设备启动。MOS管从料盒11经上料轨道12传送到工作平台21，整列机构2对其整列，使MOS管紧贴工作平台21的L形挡边211。避让机构5搭载着压紧机构6和折弯机构3移动到折弯整形位置，压紧机构6从上往下动作，压紧块62使MOS管紧贴在工作平台21上。折弯机构3从上往下动作，转动轴33与MOS管引脚接触，一次性对多个MOS管完成折弯与整形。折弯机构3返回初始位置，压紧机构6返回初始位置。避让机构5搭载着压紧机构6和折弯机构3移动到避让位置。
Claims (9)
1.金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备，其特征在于，该设备包括设置在底部架台与控制系统(4)上的振动盘上料器(1)、整列机构(2)、折弯机构(3)、避让机构(5)以及压紧机构(6)，
所述的振动盘上料器(1)放置待加工的金属氧化物半导体型场效应管，
所述的整列机构(2)将待加工的金属氧化物半导体型场效应管从振动盘上料器(1)中导入至待加工工位并进行整列排布，
所述的压紧机构(6)压紧金属氧化物半导体型场效应管并利用所述的折弯机构(3)进行折弯整形，
所述的避让机构(5)搭载折弯机构(3)与压紧机构(6)在避让位置和折弯整形位置来回往复运动。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备，其特征在于，所述的振动盘上料器(1)由放置待加工的金属氧化物半导体型场效应管的料盒(11)及上料轨道(12)组成。
3.根据权利要求2所述的金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备，其特征在于，所述的料盒(11)内还设有金属氧化物半导体型场效应管数量报警装置。
4.根据权利要求2所述的金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备，其特征在于，所述的整列机构(2)由工作平台(21)、导向条(22)、调整块(23)、支撑座(24)和整列气缸(25)组成，所述的工作平台(21)与上料轨道(12)连接，经支撑座(24)连接在底部架台与控制系统(4)上，所述的导向条(22)、调整块(23)经整列气缸(25)控制调整位置。
5.根据权利要求4所述的金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备，其特征在于，所述的工作平台(21)上设有防止金属氧化物半导体型场效应管掉落的L形挡边(211)。
6.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备，其特征在于，所述的折弯机构(3)由折弯气缸(31)、双耳形的折弯支座(32)和转动轴(33)组成，所述的折弯气缸(31)支撑连接在所述的双耳形的折弯支座(32)上并对金属氧化物半导体型场效应管进行折弯整形，所述的转动轴(33)与金属氧化物半导体型场效应管的引脚接触。
7.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备，其特征在于，所述的压紧机构(6)由压紧气缸(61)和压紧块(62)组成，压紧气缸(61)控制其下方的压紧块(62)压紧工作平台(21)上放置的金属氧化物半导体型场效应管。
8.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备，其特征在于，所述的避让机构(5)由避让气缸(51)、避让平台(52)、支撑板(53)和直线导轨(54)组成，所述的避让气缸(51)控制避让平台(52)在直线导轨(54)上运动，所述的避让平台(52)上设置支撑板(53)搭载折弯机构(3)及压紧机构(6)。
9.根据权利要求8所述的金属氧化物半导体型场效应管自动折弯整形设备，其特征在于，所述的直线导轨(54)有两条，平行设置在折弯机构(3)及压紧机构(6)的两侧，所述的支撑板(53)呈门型结构，底部经避让平台(52)连接在两条直线导轨(54)上。
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| CN113211025A (zh) * | 2021-05-01 | 2021-08-06 | 上海世禹精密机械有限公司 | 连线型换盖板系统 |
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