CN204039071U - 制备三氯氢硅的装置 - Google Patents
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- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 title claims abstract description 45
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 28
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 2
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种制备三氯氢硅的装置，包括：精馏塔本体，精馏塔本体内自上而下依次限定出精馏区、反应区和蒸馏区；四氯化硅入口，四氯化硅入口设置在精馏区和反应区之间；二氯二氢硅入口，二氯二氢硅入口设置在反应区和蒸馏区之间；重组分出口，重组分出口设置在蒸馏区的底部；轻组分出口，三氯氢硅出口设置在精馏区的顶部；再沸器，再沸器具有液体入口和气体出口，并且液体入口与重组分出口相连，气体出口与蒸馏区相连；以及冷凝器，冷凝器具有气态轻组分入口、回流液出口和三氯氢硅出口，气态轻组分入口与轻组分出口相连，回流液出口与精馏区相连。该装置可以解决二氯二氢硅无法大规模处理的难题和二氯二氢硅转化率低的问题。
Description
技术领域
本实用新型属于多晶硅生产技术领域，具体而言，本实用新型涉及一种制备三氯氢硅的装置。
背景技术
在改良西门子法生产多晶硅的工艺中，会有少量的副产物二氯二氢硅在精馏工段被分离出来。虽然二氯二氢硅也能作为原料在还原炉中进行反应生成多晶硅，但是需要单独一套还原体系，且二氯二氢硅的量不大，而且会有较多的无定形硅生成，效果不是很理想，很多企业都是直接将二氯二氢硅出售。
随着多晶硅生产规模的扩大，二氯二氢硅的量也多了起来，二氯二氢硅是一种易燃、易爆的危险化学品，贮存和运输都给企业带来了很大的负担，需要一种更好的处理二氯二氢硅的方法来处理二氯二氢硅。
因此，现有的处理二氯二氢硅的技术有待进一步研究。
实用新型内容
本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种制备三氯氢硅的装置，该装置可以解决二氯二氢硅无法大规模处理的难题和二氯二氢硅转化率低的问题。
在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种制备三氯氢硅的装置，该装置包括：
精馏塔本体，所述精馏塔本体内自上而下依次限定出精馏区、反应区和蒸馏区；
四氯化硅入口，所述四氯化硅入口设置在所述精馏区和所述反应区之间；
二氯二氢硅入口，所述二氯二氢硅入口设置在所述反应区和所述蒸馏区之间；
重组分出口，所述重组分出口设置在所述蒸馏区的底部；
轻组分出口，所述轻组分出口设置在所述精馏区的顶部；
再沸器，所述再沸器具有液体入口和气体出口，并且所述液体入口与所述重组分出口相连，所述气体出口与所述蒸馏区相连；以及
冷凝器，所述冷凝器具有气态轻组分入口、回流液出口和三氯氢硅出口，所述气态轻组分入口与所述轻组分出口相连，所述回流液出口与所述精馏区相连。
根据本实用新型实施例的制备三氯氢硅的装置通过将蒸馏器、反应器和精馏塔整合到单塔中，解决了二氯二氢硅无法大规模处理的难题和二氯二氢硅转化率低的问题，并且将大量二氯二氢硅转化为高附加值的三氯氢硅(纯度大于99％)，同时通过整合，明显节省了设备投资和设备占地，从而节省了处理成本，另外，该装置运行压力和运行温度都较低，所用冷却介质为循环水，热源为水蒸气，使得装置在运行过程中安全可靠，并且该装置没有尾气排放，从而达到环保的目的。
另外，根据本实用新型上述实施例的制备三氯氢硅的装置还可以具有如下附加的技术特征：
在本实用新型的一些实施例中，所述精馏区和所述蒸馏区内件分别独立地为筛板。由此，可以显著提高三氯氢硅的纯度。
在本实用新型的一些实施例中，所述精馏区的理论塔板数为15～18。由此，可以进一步提高三氯氢硅的纯度。
在本实用新型的一些实施例中，所述蒸馏区的理论塔板数为5～8。由此，可以显著提高蒸馏处理效率。
在本实用新型的一些实施例中，所述反应区包括催化剂层。由此，可以显著提高二氯二氢硅的转化率。
在本实用新型的一些实施例中，所述催化剂层高于2米。由此，可以进一步提高二氯二氢硅的转化率。
附图说明
图1是根据本实用新型一个实施例的制备三氯氢硅的装置结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种制备三氯氢硅的装置。下面参考图1对本实用新型实施例的制备三氯氢硅的装置进行详细描述。根据本实用新型的实施例的，该装置包括：
精馏塔本体100：根据本实用新型的实施例，精馏塔本体内自上而下以此限定出精馏区11、反应区12和蒸馏区13。根据本实用新型的实施例，反应区12与蒸馏区13之间设置有四氯化硅入口14，用于将四氯化硅供给至精馏塔本体100中。根据本实用新型的实施例，精馏区11与反应区12之间设置有二氯二氢硅入口15，用于将二氯二氢硅供给至精馏塔本体100中。根据本实用新型的实施例，蒸馏区13的底部设置有重组分出口16，用于将过程中产生的重组分排出精馏塔本体100。根据本实用新型的实施例，精馏区11的顶部设置有轻组分出口17，用于将过程中产生的轻组分排出精馏塔本体100。
根据本实用新型的实施例，二氯二氢硅的进料并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，二氯二氢硅的进料速率可以为13kmol/h。根据本实用新型的实施例，二氯二氢硅和四氯化硅的进料摩尔比可以为0.9～1:1。发明人发现，该进料摩尔比可以显著提高二氯二氢硅的转化率。根据本实用新型的实施例，精馏区的处理条件并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，精馏区的温度可以为90～97摄氏度，压力可以为0.1～0.6MPa。根据本实用新型的实施例，精馏区的内件可以为筛板，并且精馏区的理论塔板数可以为15～18。根据本实用新型的实施例，蒸馏区的理论塔板数可以为5～8。根据本实用新型的实施例，反应区可以包括催化剂层，并且催化剂层的高度高于2米。根据本实用新型的实施例，催化剂的具体种类并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，催化剂可以为离子交换树脂。由此，可以进一步提高二氯二氢硅的转化率。
再沸器200：根据本实用新型的实施例，再沸器200具有液体入口21和气体出口22，并且液体入口21与重组分出口16相连，气体出口22与蒸馏区13相连，用于对得到的重组分进行加热处理，从而为精馏塔本体提供热量。根据本实用新型的实施例，重组分可以含有四氯化硅。
冷凝器300：根据本实用新型的实施例，冷凝器300具有气态轻组分入口31、回流液出口32和三氯氢硅出口33，并且气态轻组分入口31与轻组分出口17相连，回流液出口32与精馏区11相连，且用于对精馏塔本体中产生的轻组分进行冷凝处理，从而得到液态的轻组分，并将所得到的液态轻组分的一部分作为回流液返回至精馏区。根据本实用新型的实施例，轻组分可以含有三氯氢硅。根据本实用新型的实施例，返回精馏区的液态轻组分与所得到的气态轻组分的比可以为13.5～18.5。
具体的，将四氯化硅和二氯二氢硅分别从四氯化硅入口和二氯二氢硅入口供给至精馏塔本体内，四氯化硅自上而下进入蒸馏区，然后在再沸器中经水蒸气加热成为四氯化硅蒸汽，二氯二氢硅遇到从再沸器来的四氯化硅蒸汽而变为气体从而自下而上经过反应区，四氯化硅和二氯二氢硅在反应区的催化剂处接触发生反歧化反应生成三氯氢硅，含有未反应的四氯化硅重组分继续下降至蒸馏区经重组分出口排出精馏塔本体，并将所得到的重组分的一部分经过再沸器后变为蒸汽为精馏塔本体提供热量，反应区得到的含有三氯氢硅、少量的四氯化硅和微量的二氯二氢硅混合物上升进入精馏区进行精馏处理，得到的含有气态三氯氢硅的轻组分经轻组分出口排出精馏塔本体，进入冷凝器进行冷凝处理，得到液态三氯氢硅，并将液态三氯氢硅的一部分作为回流液返回至精馏区继续进行精馏处理，而精馏区得到含有四氯化硅的重组分继续下降至反应区进行反歧化反应。
根据本实用新型实施例的制备三氯氢硅的装置通过将蒸馏器、反应器和精馏塔整合到单塔中，解决了二氯二氢硅无法大规模处理的难题和二氯二氢硅转化率低的问题，并且将大量二氯二氢硅转化为高附加值的三氯氢硅(纯度大于99％)，同时通过整合，明显节省了设备投资和设备占地，从而节省了处理成本，另外，该装置运行压力和运行温度都较低，所用冷却介质为循环水，热源为水蒸气，使得装置在运行过程中安全可靠，并且该装置没有尾气排放，从而达到环保的目的。
为了方便理解，下面对利用制备三氯氢硅的装置制备三氯氢硅的方法进行详细描述。根据本实用新型的实施例，该方法包括：将四氯化硅和二氯二氢硅分别从上述制备三氯氢硅的装置的四氯化硅入口和二氯二氢硅入口供给至精馏塔本体内；使精馏塔本体内的四氯化硅经过再沸器加热后转化成四氯化硅蒸汽进入反应区；使四氯化硅蒸汽与二氯二氢硅在所述反应区内发生反歧化反应，以便得到含有三氯氢硅、二氯二氢硅和四氯化硅的混合物；将含有三氯氢硅、二氯二氢硅和四氯化硅的混合物在精馏区内进行精馏处理，以便分离得到气态三氯氢硅；以及将气态三氯氢硅在冷凝器中进行冷凝处理，以便得到液态三氯氢硅，并将液态三氯氢硅的一部分返回至所述精馏区。
根据本实用新型的实施例，二氯二氢硅的进料并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，二氯二氢硅的进料速率可以为13kmol/h。根据本实用新型的实施例，二氯二氢硅和四氯化硅的进料摩尔比可以为0.9～1:1。发明人发现，该进料摩尔比可以显著提高二氯二氢硅的转化率。根据本实用新型的实施例，精馏区的处理条件并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，精馏区的温度可以为90～97摄氏度，压力可以为0.1～0.6MPa。根据本实用新型的实施例，精馏区的内件可以为筛板，并且精馏区的理论塔板数可以为15～18。根据本实用新型的实施例，蒸馏区的理论塔板数可以为5～8。根据本实用新型的实施例，反应区可以包括催化剂层，并且催化剂层的高度高于2米。根据本实用新型的实施例，催化剂的具体种类并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，催化剂可以为离子交换树脂。由此，可以进一步提高二氯二氢硅的转化率。
利用本实用新型实施例的制备三氯氢硅的装置制备三氯氢硅的方法通过将蒸馏、反歧化反应和精馏处理整合到单塔中进行，解决了二氯二氢硅无法大规模处理的难题和二氯二氢硅转化率低的问题，并且将大量二氯二氢硅转化为高附加值的三氯氢硅(纯度大于99％)，同时通过整合，明显节省了设备投资和设备占地，从而节省了处理成本，另外，该装置运行压力和运行温度都较低，所用冷却介质为循环水，热源为水蒸气，使得装置在运行过程中安全可靠，并且该装置没有尾气排放，从而达到环保的目的。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (6)
1.一种制备三氯氢硅的装置，其特征在于，包括：
精馏塔本体，所述精馏塔本体内自上而下依次限定出精馏区、反应区和蒸馏区；
四氯化硅入口，所述四氯化硅入口设置在所述精馏区和所述反应区之间；
二氯二氢硅入口，所述二氯二氢硅入口设置在所述反应区和所述蒸馏区之间；
重组分出口，所述重组分出口设置在所述蒸馏区的底部；
轻组分出口，所述轻组分出口设置在所述精馏区的顶部；
再沸器，所述再沸器具有液体入口和气体出口，并且所述液体入口与所述重组分出口相连，所述气体出口与所述蒸馏区相连；以及
冷凝器，所述冷凝器具有气态轻组分入口、回流液出口和三氯氢硅出口，所述气态轻组分入口与所述轻组分出口相连，所述回流液出口与所述精馏区相连。
2.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的装置，其特征在于，所述精馏区和所述蒸馏区内件分别独立地为筛板。
3.根据权利要求2所述的制备三氯氢硅的装置，其特征在于，所述精馏区的理论塔板数为15～18。
4.根据权利要求2所述的制备三氯氢硅的装置，其特征在于，所述蒸馏区的理论塔板数为5～8。
5.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的装置，其特征在于，所述反应区包括催化剂层。
6.根据权利要求5所述的制备三氯氢硅的装置，其特征在于，所述催化剂层高于2米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420400497.1U CN204039071U (zh) | 2014-07-18 | 2014-07-18 | 制备三氯氢硅的装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420400497.1U CN204039071U (zh) | 2014-07-18 | 2014-07-18 | 制备三氯氢硅的装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204039071U true CN204039071U (zh) | 2014-12-24 |
Family
ID=52239762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420400497.1U Expired - Lifetime CN204039071U (zh) | 2014-07-18 | 2014-07-18 | 制备三氯氢硅的装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204039071U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104140105A (zh) * | 2014-07-18 | 2014-11-12 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 制备三氯氢硅的装置 |
-
2014
- 2014-07-18 CN CN201420400497.1U patent/CN204039071U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104140105A (zh) * | 2014-07-18 | 2014-11-12 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 制备三氯氢硅的装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
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