CN204029793U - 芯片封装体 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种芯片封装体，包括引线框架和芯片，所述芯片朝向引线框架一侧具有金属层，所述金属层通过一合金层与引线框架连接，所述合金层的熔点低于所述金属层的熔点。本实用新型的优点在于，由于降低了工艺温度，并在合金层的形成过程中润湿金属层表面，这样形成的界面机械强度高，且成本低。故上述结构可以提高生产力，降低成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及芯片封装领域，尤其涉及一种芯片封装体。
背景技术
芯片形成封装体通常是采用芯片背面的金属层同引线框架结合，通过高温焊接使两者连接在一起。
但焊接所需温度较高，可能会影响到芯片的电学性能。且焊接的成本较高。而对于多个芯片而言，高温焊接条件下彼此的一致性也较难保证。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种芯片封装体，可以降低封装成本，提高封装可靠性。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种芯片封装体，包括引线框架和芯片，所述芯片朝向引线框架一侧具有金属层，所述金属层通过一合金层与引线框架连接，所述合金层的熔点低于所述金属层的熔点。
可选的，所述引线框架上包括8个芯片。
本实用新型的优点在于，由于降低了工艺温度，并在合金层的形成过程中润湿金属层表面，这样形成的界面机械强度高，且成本低。故上述结构可以提高生产力，降低成本。
附图说明
附图1所示是本实用新型具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的芯片封装体的具体实施方式做详细说明。
附图1所示是本具体实施方式的结构示意图，包括引线框架11和芯片12，所述芯片12朝向引线框架一侧具有金属层13，所述金属层13通过一合金层14与引线框架11连接，所述合金层14的熔点低于所述金属层13的熔点。
上述结构是通过在引线框架11的表面涂敷能够形成合金层14的材料，并将芯片12安放在能够形成合金层14的材料表面，然后加温形成合金层14。所述合金层14的熔点应当低于所述金属层13的熔点。加温的温度设置在高于合金层14的熔点但是低于金属层13的熔点，这样可以在被金属层13不熔化的条件下，能润湿金属层13表面，增加引线框架11和芯片12结合的紧密程度。在降温之后，可以在接触面处形成以合金层14为介质的良好接触。
进一步地，在引线框架11的表面可以设置多个芯片12，例如对于SOP8-8L型芯片封装体，需要在同一引线框架11上设置8个芯片12。由于芯片12和引线框架11之间是通过合金层14以低温方式结合在一起的，因此成本较低，且工艺可重复性好。
总之，上述结构由于降低了工艺温度，并在合金层14的形成过程中润湿金属层13表面，这样形成的界面机械强度高，且成本低。故上述结构可以提高生产力，降低成本。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (2)
1.一种芯片封装体，包括引线框架和芯片，其特征在于，所述芯片朝向引线框架一侧具有金属层，所述金属层通过一合金层与引线框架连接，所述合金层的熔点低于所述金属层的熔点。
2.根据权利要求1所述的芯片封装体，其特征在于，所述引线框架上包括8个芯片。
Priority Applications (1)
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| CN201420339178.4U CN204029793U (zh) | 2014-06-24 | 2014-06-24 | 芯片封装体 |
Applications Claiming Priority (1)
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