CN203930772U - 触控显示模组 - Google Patents
触控显示模组 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203930772U CN203930772U CN201420312398.8U CN201420312398U CN203930772U CN 203930772 U CN203930772 U CN 203930772U CN 201420312398 U CN201420312398 U CN 201420312398U CN 203930772 U CN203930772 U CN 203930772U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nano
- silver thread
- layer
- conductive layer
- touch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 213
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 44
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 37
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical group O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 42
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- -1 PI) Polymers 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 2
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 2
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 2
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N methyl formate Chemical compound COC=O TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- HGAZMNJKRQFZKS-UHFFFAOYSA-N chloroethene;ethenyl acetate Chemical compound ClC=C.CC(=O)OC=C HGAZMNJKRQFZKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007590 electrostatic spraying Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N fluoridochlorine Chemical compound ClF OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007763 reverse roll coating Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种触控显示模组,包括一盖板和一显示单元,所述盖板的上表面为触控面,下表面上设置一第一电极层,所述盖板设置于所述显示单元上方,所述显示单元包括一第二电极层,所述第二电极层为纳米银线导电层。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及触控技术领域,特别涉及一种轻薄化的触控显示模组。
【背景技术】
触控设备因其便于操作、呈像效果好、功能多元化等优点逐渐受到电子通讯行业的青睐,并广泛应用于资讯系统设备、家电设备、通讯设备、个人便携设备等产品上。
在传统智能手机,如iphone等的电容式触控面板中,触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高,导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大,特别是应用于15寸以上的面板时,ITO的缺陷越来越突出,其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大,价格昂贵,无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度,也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。
另外,在制造方法上,原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性,造成ITO的整体制作成本非常昂贵。而且,ITO薄膜非常脆弱,即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏,因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下,ITO材料作为导电材料已无法不能应付市场的需求而逐渐被淘汰。
正因如此,产业界一直在致力于开发ITO的替代材料,纳米银线是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性,同时由于其纳米级别的尺寸效应,使得其具有优异的透光性与耐曲挠性,因此可用作为优选地替代ITO作为触控电极的材料。
然而,由于纳米银线的反光率较高,采用纳米银线导电膜作为触控电极时,触控面板在视觉上会出现白雾现象,纳米银线离人眼越近,反光越明显,雾度问题也就越突出。特别是在双层电极结构中,当两层电极材料均为纳米银线时,这种雾度问题会更为严重。
当触控面板与显示器结合形成显示模组后,如何更大限度的减低模组的厚度是业界一直在努力而又很难克服的问题。目前On-cell式的触控面板与LCD显示器结合后可以降低显示模组的厚度,In-cell式的触控面板与LCD显示器结合后也可以降低显示模组的厚度。在纳米银线作为新的导电层替代材料后,如何可以与LCD显示器结合降低屏体厚度,同时又可以克服纳米银线雾度的问题,是值得业界的制作厂商们深思的问题。
总地来说,如何可以更直接的使用纳米银线替代掉ITO材料作为导电层,而又无需太多的生产成本的投入,太多制作设备的更新换代;同时又可以解决纳米银线用作导电层时难以克服的雾度问题,降低产品的厚度,实现电子产品的轻薄化是现阶段摆在触控厂商眼下急需解决的难题。
【实用新型内容】
为克服现有纳米银线替代ITO作为新的导电材料的诸多难题,本实用新型提供了一种可以有效解决纳米银线作为导电层时雾度问题,产品轻薄化效果显著的新式触控显示模组。
本实用新型解决技术问题的方案是提供一种触控显示模组,包括一盖板和一显示单元,所述盖板的上表面为触控面,下表面上设置一第一电极层,所述盖板设置于所述显示单元上方,所述显示单元包括一第二电极层,所述第二电极层为纳米银线导电层。
优选地,该第一电极层的材料为氧化铟锡,氧化锡锑,氧化铟锌,氧化锌铝,石墨烯,金属网格或者碳纳米管中的任意一种。
优选地,所述纳米银线导电层包括一基质及分布于所述基质中的多条纳米银线,所述多条纳米银线相互搭接形成导电网络,所述每条纳米银线的线长介于20-50μm,线径小于50nm,长宽比大于400;所述纳米银线导电层的厚度为50nm-200nm,折射率为1.35-1.8。
优选地,所述显示单元包括至少一偏光片和至少一基板,该纳米银线导电层设置于偏光片或基板的上表面或下表面。
优选地,所述纳米银线导电层设置于所述偏光片与所述盖板之间。
优选地,所述纳米银线导电层设置于所述偏光片与所述基板之间。
优选地,还包括粘合所述盖板与所述显示单元的高折射率层,所述高折射率层的折射率为1.52-1.79,所述高折射率层的涂覆面积在所述纳米银线导电层表面上的涂覆率不低于50%。
优选地,还包括至少一光学匹配层,设置于所述纳米银线导电层之上和/或之下,其折射率为1.1-1.6。
优选地,还包括一增粘层,设置于纳米银线导电层上,所述增粘层的膨胀系数小于所述显示单元层叠结构的膨胀系数。
优选地,还包括一平整层,设置于纳米银线导电层上,纳米银线导电层在厚度方向上有部分嵌入平整层中。
与现有技术相比,本实用新型的触控显示模组在上层靠近触控面采用ITO为第一电极层,远离触控面采用纳米银线导电层,将原有的远离触控面的一层换用纳米银线来做。可以更好的将导电效果更佳,外观视觉效果更好的纳米银线更新换代到目前的触摸技术领域中,同时为了可以综合利用现在已经成熟的ITO制作设备,而不会快速的将旧设备遗弃以致设备大幅度的荒废,对触控面板厂商造成的资金浪费。本实用新型将第一电极层仍旧使用ITO来做可以给目前的准备投入使用纳米银线作为导电电极的触控厂商一个缓冲期,以期可以在逐步的时间过渡中逐渐的将现今的ITO全部更换为材料性能更好的纳米银线。
此外,将ITO材料做在上层靠近触控面,纳米银线做在下层远离触控面,是因为纳米银线材料在使用时会产生雾度问题,纳米银线远离触控面后会在一定程度上解决纳米银线的雾度问题。如此一层ITO,一层纳米银线,一上一下,可以起到材料替代的过渡缓冲作用,还能极大的解决纳米银线在使用时的雾度难题,可谓一举两得。
为了进一步解决纳米银线导电层的雾度问题,本实用新型选用高折射率层-OCA胶来粘接上层的第一电极层和下层的纳米银线导电层,高折射率层位于纳米银线导电层之上,可以有效降低纳米银线导电层的反射,解决纳米银线雾度明显的问题。同时,用高折射率的OCA胶无需额外增加高折射率匹配层,也有利于降低触控叠层结构的厚度,取得轻薄化的效果。
本实用新型为了进一步降低触控叠层结构的厚度,将纳米银线导电层形成在显示模组的特定基材上,并以上偏光片或下偏光片覆盖/承载纳米银线导电层,远离触控面,在高折射率层与偏光片的共同作用下,进一步降低雾度。如此既可以避免同时采用两层纳米银线作为电极层之明显雾度问题,又可以省去一片基材,降低原料成本,并取得轻薄化的效果。
【附图说明】
图1是本实用新型纳米银线薄膜的截面结构示意图。
图2是本实用新型纳米银线薄膜的平面示意图。
图3是本实用新型触控显示模组第一实施例的爆炸结构图。
图4是本实用新型触控显示模组中纳米银线导电层的导电图案示意图。
图5是本实用新型触控显示模组第二实施例的爆炸结构图,在上偏光片与纳米银线导电层之间增加一增粘层。
图6是本实用新型触控显示模组第三实施例的爆炸结构图,在上偏光片与纳米银线导电层之间增加一增粘层,在纳米银线导电层与高折射率层之间增加一平整层。
图7是本实用新型触控显示模组第四实施例的爆炸结构图,在上偏光片与纳米银线导电层之间增加一增粘层,在纳米银线导电层与高折射率层之间增加一平整层,在纳米银线导电层与高折射率层之间增加一光学匹配层。
图8是本实用新型触控显示模组第五实施例的爆炸结构图。
图9是本实用新型触控显示模组第六实施例的爆炸结构图。
图10是本实用新型触控显示模组第七实施例的爆炸结构图。
【具体实施方式】
为了使本实用新型的目的,技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施实例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
请参阅图1与图2,系纳米银线导电薄膜800的剖切结构示意图,透明导电层805一般制作在衬底807上,包括嵌入在基质803中的多根纳米银线801,纳米银线801排布在基质803中相互搭接形成导电网络。纳米银线801(silvernano wires,简称SNW)的线长为10-300μm,优选20-100μm,最好其长度为20-50μm,纳米银线801的线径(或线宽)小于500nm或小于200nm,100nm,优选为小于50nm,且其长宽比(线长与线径之比)大于10,优选大于50,更优选大于100,大于400。
衬底807一般为透明绝缘材料,可以是玻璃、聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等,但并不以此为限。
银在一般状态下为银白色金属,且为不透明材料,导电性极佳。而当银制成纳米银线801时,纳米银线801具有良好的透光率与极佳的导电性,能够很好的运用于触摸屏的触控电极。
基质803是指含纳米银线801的溶液在经过涂布等方法设置在衬底807上,经过加热烘干使得易挥发的物质挥发后,留在衬底807上的非纳米银线801物质。纳米银线801散布或嵌入其中,形成导电网络,部分纳米银线801从基质803材料中突出。纳米银线801依靠基质803形成透明导电层805,基质803可以保护纳米银线801免受腐蚀、磨损等外界环境的影响。
透明导电层805的厚度约为10nm-5μm,优选为20nm-1μm,更优为50nm-200nm。在一些实施例中,透明导电层805的折射率为1.3-2.5,更优为1.35-1.8。
含纳米银线801的溶液是指,纳米银线801分散在特定的溶剂里而形成的悬浮溶液,该溶剂可以是水、水溶液、离子溶液、含盐溶液、超临界流体、油或其混合物等。该溶剂里还可含有其它添加剂,如分散剂、表面活性剂、交联剂、稳定剂、润湿剂或增稠剂,但不以此为限。
此外,可通过选择适当的基质803材料来调整透明导电层805的光学特性,特别是解决雾度问题。例如,可以将基质803调整为具有期望的折射率、组成元素和一定的厚度,都可以有效地减少反射损耗、眩光影响、雾度。
雾度是指由于透明导电层805中的纳米银线801表面光漫射造成的云雾状或混浊的外观。屏幕的雾度问题会导致在室外场景光线照射的情况下,屏幕反射光强烈,严重的时候会使得用户看不清屏幕。
透明导电层805的透光率或清晰度可由以下参数定量的限定:透光率和雾度。透光率是指通过介质传输的入射光的百分比,透明导电层805的透光率至少为90%,甚至可以高达95%-97%。雾度是光漫射的指数,雾度是指入射光中分离出来并在传输的过程中散射的光的数量百分比。在本实用新型的实施例中雾度不会超过5%,甚至可以达到不超过3%-1.5%。
请参阅图3,本实用新型的第一实施例的触控显示模组10包括显示模组90,纳米银线导电层103,高折射率层105,第一电极层107和盖板109,其中盖板109与靠近触摸物体(手指或触控笔)。盖板109包括盖板上表面1091和盖板下表面1093(此处及后述的“上”或“下”为相对位置,并非绝对定义,同时可以理解为上表面颠倒时也即成为下表面),盖板上表面1091靠近触摸物体,盖板下表面1093可作为附着面直接成形或粘合第一电极层107。显示模组40从上之下依次包括上偏光片101,上基板1013,液晶层1015,下基板1017,下偏光片1019。上偏光片101的上表面可作为附着面直接成形或粘合纳米银线导电层103。上偏光片101的下表面定位于上基板1013上。不可置疑地,作为一种变形,纳米银线导电层103也可以直接成形或粘合在上偏光片101的下表面上。当纳米银线导电层103为图1所示的透明导电层805时,其位于上偏光片101的下表面时,其与触控表面的距离更远,光漫射的量会减少,雾度也会随之降低。所以,当制作工艺可以实施时纳米银线导电层103离盖板109越远越好,即越沉附于显示模组90底部,纳米银线导电层103雾度越小。
在电容式触控面板中,第一电极层107靠近触摸面,纳米银线导电103则相对远离触摸面。纳米银线导电层103与第一电极层107检测触控面板10被触碰时的电容变化,以感应触摸区域或触控位置。
在本实施例中,第一电极层107与纳米银线导电层103采用不同方式、不同材料及不同工艺制作而成。
具体来说,第一电极层107采用氧化铟锡(Indium TinOxide,ITO)、氧化锡锑(Antimony Doped Tin Oxide,ATO)、氧化铟锌(IndiumZinc Oxide,IZO)、氧化锌铝(AluminumZinc Oxide,AZO)、石墨烯、金属网格或者碳纳米管中的任意一种材料或其组合制成。
在本实施例中,第一电极层107成形在盖板下表面1093上,第一电极层107优选为ITO材料。因为,现阶段ITO材料已非常成熟的应用在触控面板领域,同时其制作工艺也已非常完善,采用蚀刻、光刻、黄光工艺等很容易在ITO的第一电极层107上形成导电图案。
纳米银线导电层103为图1,图2所示的透明导电层805时,纳米银线801嵌入或埋入在上偏光片101的上表面上。
请参阅图4,纳米银线导电层103在上偏光片101的上表面上形成网格导电电路108的方式有多种。其中一种优选的方式就是先将含有纳米银线801的溶液涂布在上偏光片101的上表面上,或直接利用已涂布好纳米银线801的透明导电层805,利用光刻、蚀刻、黄光制程、压印等工艺将纳米银线导电层103切割成网格导电电路108的导电图案。
上偏光片101的上表面由于要涂刷、涂布而嵌入微细的纳米银线801,所以优选为可饶性柔性材料制成,是指在工业上具有一定强度并具有一定可挠性的材料。包括PI(聚酰亚胺),PC(聚碳酸酯),聚醚砜(PES),聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、压克力、聚丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚酰胺(PA)、聚苯并咪唑聚丁烯(PB)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚酯(PE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚酰亚胺、聚乙烯(PE)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯乙烯(PS)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氨酯(PU)、聚氯乙烯(PVC)之任意一种。
另外,为了增加上偏光片101的上表面粘性,在上偏光片101的上表面增设一增粘层,以便更好的将纳米银线导电层103粘贴固定在上偏光片101的上表面。有必要说明的是,由于所述上偏光片101的上表面为柔性材料制成,因此在移动或者搬运过程中,柔性材料不可避免发生形变或弯曲,因此采用嵌入或埋入的纳米银线导电层103更加可靠。
高折射率层105具有一定的粘性,用于将第一电极层107和纳米银线导电层103粘合为一体,当所述的第一电极层107和纳米银线导电层103之间除高折射率层105之外无其他绝缘层状结构时,高折射率层105还具有介电性,将第一电极层107和纳米银线导电层103进行绝缘设置。高折射率层105可以选用OCA(光学透明胶,Optical ClearAdhesive)或LOCA(液态光学透明胶,Liquid Optical ClearAdhesive)。
高折射率层105采用OCA胶进行涂覆,在涂覆时,可以涂在纳米银线导电层103或第一电极层107表面,涂覆时为全面涂覆,有别于现有只需边框涂覆的方式。OCA胶的涂覆面积为第一电极层107或纳米银线导电层103表面面积的100%,或80%-90%,最低不低于50%,此处涂覆面积以纳米银线801成形的纳米银线导电层103表面面积为基准,即当第一电极层107小于等于纳米银线导电层103时,涂覆面积为纳米银线导电层103的100%,或80%-90%,最低不低于50%;当第一电极层107大于纳米银线导电层103时,为了实现第一电极层107的粘贴固定,OCA胶的涂覆面积为第一电极层107的100%,或80%-90%,最低不低于50%。涂覆表面面积选取的原因在于,当纳米银线导电层103位于上偏光片101的上表面时,纳米银线801本身材料会有雾度问题而影响视觉效果。所以,在此处将高折射率层105涂覆成高折射率的光学胶层,该高折射率层105的折射率为1.52-1.79,以使涂覆在纳米银线导电层103上后可以将雾度降低到5%以下,最佳可以降低到3%,2%,1.5%。
由于OCA胶在一般常用作为粘结作用时,其折射率为1.5以下,如将其提升为具有更高折射率的OCA胶需要在工艺上做特殊处理,以致折射率越高,工艺难度越大,制作成本越高。
高折射率层105的折射率为1.52-1.79,优选为1.7。选取时,首先会根据OCA胶的制作工艺考虑,1.52时是普通OCA胶的折射率,在制作成本上最低。如果进一步提升其折射率,难度会逐渐加大,当提高至1.79时,继续往上提高其难度将会非常大,所以综合制作难度与投入成本,1.79即为性价比最高时,极限大的范围。
优选为1.7时,除了与制作工艺难度及成本相关外,还会根据纳米银线导电层103上纳米银线801的密度相关,当纳米银线801密度大时,高折射率层105的折射率最佳值就越大,最低不小于1.52。
此外,还会与上偏光片101的材料相关,当玻璃基材的上偏光片101具有高反射特性时,高折射率层105的折射率最佳值就越大,最低不小于1.52。
请参阅图5,第二实施例所述结构的触控显示模组20,由于纳米银线导电层203贴附在上偏光片201的上表面,且上偏光片201的上表面为可饶性柔性材料,上偏光片201由于受热或温度变化时产生形变而让纳米银线导电层203无法良好的全面覆盖在上偏光片201的上表面上时,特别会在纳米银线导电层203与上偏光片201的上表面之间涂覆一层增粘层202,增粘层202的涂覆面积为纳米银线导电层203表面面积的100%,或80%-90%,最低不低于50%,此处涂覆面积以纳米银线导电层203表面面积为基准,即当纳米银线导电层203大于、小于或等于上偏光片201的上表面面积时,涂覆面积均为纳米银线导电层203表面面积的100%,或80%-90%,最低不低于50%。
如此一来,第二实施例的触控显示模组20从下之下的叠层结构依次包括盖板209,第一电极层207,高折射率层205,纳米银线导电层203,增粘层202,上偏光片201及显示模组90的其他组件。
所述增粘层202的膨胀系数小于上偏光片201的膨胀系数。由于成膜制造工艺中常伴随着温度的变化,而当上偏光片201为可挠性基板时拥有较大的膨胀系数,升温、降温的过程中常会有显著的体积变化,从而使可挠性上偏光片201产生第二弯曲方向的翘曲或变形,进而造成曝光或是聚焦不良的问题,所述增粘层202的存在,能够很好的解决上述问题。
所述增粘层202的材料可以选自高分子聚合物、绝缘材料、树脂、透明光学胶、氧化物,类光阻等,包括但不限于:聚乙炔、聚苯胺、聚芳撑、聚噻吩、石墨烯、并五苯、聚苯撑醚(PPE)、聚对苯撑乙炔(PPV)、聚3,4-亚乙基二氧吩(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸(PSS)、聚3-己基噻吩(P3HT)、聚3-辛基噻吩(P3OT)、聚芳醚砜、聚C-61-丁酸-甲酯(PCBM)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1,4-苯撑乙烯](MEH-PPV)、氮化硅、二氧化硅等物质或它们的任意组合。
所述增粘层202以流体的形式涂覆在上偏光片201的上表面上,所述流体可以是:水、水溶液、离子溶液、超临界流体、等离子体、油或者它们的任意组合。包括但不限于:水、丙酮、乙酸乙酯、乙醇、乙酸丁酯、戊醇、酚醛树脂、醇酸树脂、氢氧化钠、异丙醚(i-丙醚)、异丙醇、甲基乙基酮(或者MEK)、甲酸甲酯、甲基正丁酸酯、正丁醇、辛烷、石油醚、丙醇或者它们的任意组合。
所述流体进一步还可包括表面活性剂、分散剂、稳定剂或粘合剂。
所述增粘层202流体涂覆在上偏光片201的上表面上的方法包括:溅镀、静电喷涂、逆转辊涂布、凹槽式涂布、夹缝式涂布、压印、热转印、迈耶棒(meyer rod)涂覆、旋涂、丝网印刷、照相凹版印刷、平板印刷、胶版印刷、喷墨印刷、凹版印刷,或者它们的任意组合。
在具体的实施涂覆时,首先布置好上偏光片201后,在上方涂覆增粘层202,调节温度,烘干增粘层202,待增粘层202半固化后将纳米银线801溶液涂覆到增粘层202上表面,放置60-80s后调节温度至140℃,至纳米银线导电层203烘干,可选择地用辊筒对以上所得薄膜进行滚压,然后冷却。
纳米银线801之间仅仅凭借分子间作用力搭接在一起,容易在曲挠作用下发生滑移,提供增粘层202使得纳米银线导电层203和上偏光片201之间的附着力良好。通常纳米银线801与基材的附着越牢,纳米银线801之间的搭接则更为良好,从而提供良好的导电率。一般而言,成膜制造工艺在进行时,常会伴随温度的变化,而可挠性基板具有较大的膨胀系数,在升温降温的过程当中常会有显著的体积变化,成膜制造工艺时,常因为粘着于硬质基材上的可挠性基板的膨胀或收缩而使可挠性基板产生第二弯曲方向的翘曲或变形,进而造成曝光或是焦聚不良等问题,通过增粘层202解决了因可挠性上偏光片201的膨胀或收缩而引起的一系列问题。
请参阅图6,本实用新型第三实施例的触控显示模组30,所述触控显示模组30包括纳米银线导电层303和平整层304,所述平整层304位于纳米银线导电层303上面,或优选的,纳米银线导电层303在厚度方向上有部分嵌入平整层304中。纳米银线导电层303涂布在上偏光片301上表面后,纳米银线801没办法均匀地平铺并比较较好的搭接,使得平整度差,同时由于纳米银线801之间彼此搭接不良影响纳米银线801向上翘起的现象。通过在纳米银线导电层303上涂覆平整层304,并经过流体涂覆、溅镀、辊筒滚压等工艺处理后,能够使纳米银线801之间的搭接面积增大从而提高纳米银线801的导电率和达到良好的表面平整度。
请进一步参考图6,本实施例的触控显示模组30包括上偏光片301、纳米银线导电层303、平整层304和增粘层302。其中,所述上偏光片301和纳米银线导电层303与第一实施例的上偏光片101和纳米银线导电层103相同,所述增粘层302与第二实施例的增粘层202相同,所述平整层304为上述的平整层304。所述增粘层302涂覆于上偏光片301上表面,再于增粘层302上涂覆纳米银线导电层303,然后于纳米银线导电层303上方涂覆平整层304,形成上偏光片301、增粘层302、纳米银线导电层303和平整层304的层状结构。理想状态下,纳米银线导电层303下方在厚度方向上部分嵌入增粘层302中,上方在厚度方向上部分嵌入平整层304中。
如此一来,第三实施例的触控显示模组30从上至下的叠层结构依次包括盖板309,第一电极层307,高折射率层305,平整层304,纳米银线导电层303,增粘层302,上偏光片301及显示模组90的其他组件。
用纳米银线801作为导电电极材料后,纳米银线801向上翘起对触控显示模组30表面平整度产生影响,纳米银线801之间仅凭借分子间作用力实现搭接,会有搭接不良从而影响导电率的问题,通过提供平整层304并进行一定的工艺处理,使得纳米银线801之间的搭接变得良好,从而使导电率得到有效保证,并使触控显示模组30的表面平整度得到极大提升。
请参阅图7,本实用新型第四实施例的触控显示模组40结构的基础上,对其结构做出的进一步变形,所述触控显示模组40包括上偏光片401,纳米银线导电层403和光学匹配层406,所述光学匹配层406为一层低折射率的光学膜,所述光学匹配层406位于纳米银线导电层403上,第一电极层407之下。
所述上偏光片401的水滴角为0-30度,优选的小于10度。
所述低折射率为折射率小于1.6,优选的为1.1~1.6。光学匹配层406可以为有机物或无机物,或有机-无机混合涂层。例如硅氧化物,氯氟化物,氟化镁,二氧化硅,氟化锂,氟化钠,氧化镁,硅酸盐,聚氨酯,PMMA,PVA,PVP,有机硅,氟聚合物,丙烯酸树脂,丙烯酸树脂+矽石纳米颗粒。优选的折射率为1.1,1.25,1.32,1.38,1.46,1.50,1.52。
所述光学匹配层406的光学膜厚度为小于或等于1/4波长奇数倍。
所述光学匹配层406的形成方式可以为物理沉积,化学沉积,真空镀膜,印刷,喷涂,柔印,纳米压印,丝网印刷,刮刀涂布,旋转涂布,棒状涂布,滚筒涂布,线棒涂布,浸渍涂布等任一种方式。
由于纳米银线导电层403的雾度问题需要克服,因此在本实施方式中增加一光学匹配层406后,所述纳米银线导电层403的雾度可降低至5%左右,优选地小于3%,2%,1.5%。
在另一个实施方式中,光学层匹配层406和纳米银线导电层403位置可以互换。当光学匹配层406在纳米银线导电层403上方时,同时可以作为保护层,防止纳米银线801氧化,腐蚀等直接暴露在外的一系列问题。
在参阅图7的触控显示模组40的结构基础上,另外的变形方式中,光学匹配层406可以在上偏光片401上表面与增粘层402之间、增粘层402与纳米银线导电层403之间、纳米银线导电层403与平整层404之间、平整层404与高折射率层405之间、高折射率层405与第一电极层407之间,第一电极层407与盖板409之间任意排布,此外增粘层402和/或平整层404也可以是光学匹配层406,具有光学匹配层406的特性及效果。
如此,第四实施例的触控显示模组40从上至下的叠层结构依次包括盖板409,第一电极层407,高折射率层405,光学匹配层406,平整层404,纳米银线导电层403,增粘层402,上偏光片401及显示模组90的其他组件。
通过光学匹配层406实现对触控面板40雾度的调节,而且对于光学匹配层406的位置要求灵活多变,灵活有效的实现对纳米银线导电层403雾度的降低。
请参阅图8,本实用新型第五实施例的触控显示模组50在结构上与第一实施例触控显示模组10的不同之处在于:图示的纳米银线导电层503制作在上偏光片501下的上基板5013上。如此一来,使得纳米银线导电层503距离触控面的距离更远,光漫射量更小,雾度更低。不可否认的,参照第一实施例的设置,纳米银线导电层503可以成形在上基板5013的上方或下方,放置在下方时比放置在上方的纳米银线导电层203雾度更低。当然,该纳米银线导电层503也可以参照上述实施例,在纳米银线导电层503的下方设置第四实施例所述的增粘层402,上方设置第四实施例所述平整层404和光学匹配层406。
通过以上所述,第五实施例的触控显示模组50有两种变形结构,第一种变形自上往下依次为盖板509,ITO材料的第一电极层507,OCA胶的高折射率层505,上偏光片501,纳米银线导电层503,上基板5013,液晶层5015,下基板5017和下偏光片5019。
第二种变形自上往下依依次为盖板509,ITO材料的第一电极层507,OCA胶的高折射率层505,上偏光片501,上基板5013,纳米银线导电层503,液晶层5015,下基板5017和下偏光片5019。
请参阅图9,本实用新型第六实施例的触控显示模组60在结构上与第一实施例触控显示模组10的不同之处在于:图示的纳米银线导电层603制作在液晶层6015下的下基板6017上。如此一来,使得纳米银线导电层603距离触控面的距离更远,光漫射量更小,雾度更低。不可否认的,参照第一实施例的设置,纳米银线导电层603可以成形在下基板6017的上方或下方,放置在下方时比放置在上方的纳米银线导电层603雾度更低。当然,该纳米银线导电层603也可以参照第四实施例,在纳米银线导电层603的下方设置第四实施例所述的增粘层402,上方设置第四实施例所述平整层404和光学匹配层406。
通过以上所述,第六实施例的触控显示模组60有两种变形结构,第一种变形自上往下依次为盖板609,ITO材料的第一电极层607,OCA胶的高折射率层605,上偏光片601,上基板6013,液晶层6015,纳米银线导电层603,下基板6017和下偏光片6019。
第二种变形自上往下依次为盖板609,ITO材料的第一电极层607,OCA胶的高折射率层605,上偏光片601,上基板6013,液晶层6015,下基板6017,纳米银线导电层603和下偏光片6019。
请参阅图10,本实用新型第七实施例的触控显示模组70在结构上与第一实施例触控显示模组10的不同之处在于:图示的纳米银线导电层703制作在下基板7017下方的下偏光片7019上。如此一来,使得纳米银线导电层703距离触控面的距离更远,光漫射量更小,雾度更低。不可否认的,参照第一实施例的设置,纳米银线导电层703可以成形在下偏光片7019的上方或下方,放置在下方时比放置在上方的纳米银线导电层703雾度更低。当然,该纳米银线导电层703也可以参照第四实施例,在纳米银线导电层703的下方设置第四实施例所述的增粘层402,上方设置第一实施例所述平整层404和光学匹配层406。
通过以上所述,第七实施例的触控显示模组70有两种变形结构,第一种变形自上往下依次为盖板709,ITO材料的第一电极层707,OCA胶的高折射率层705,上偏光片701,上基板7013,液晶层7015,下基板7017,纳米银线导电层703和下偏光片7019。
第二种变形自上往下依次为盖板709,ITO材料的第一电极层707,OCA胶的高折射率层705,上偏光片701,上基板7013,液晶层7015,下基板7017,下偏光片7019和纳米银线导电层703。
与现有技术相比,本实用新型的触控显示模组10在上层靠近触控面采用ITO为第一电极层107,远离触控面采用纳米银线导电层103,将原有的远离触控面的一层换用纳米银线801来做。可以更好的将导电效果更佳,外观视觉效果更好的纳米银线801更新换代到目前的触摸技术领域中,同时为了可以综合利用现在已经成熟的ITO制作设备,而不会快速的将旧设备遗弃以致设备大幅度的荒废,对触控面板厂商造成的资金浪费。本实用新型将第一电极层107仍旧使用ITO来做可以给目前的准备投入使用纳米银线801作为导电电极的触控厂商一个缓冲期,以期可以在逐步的时间过渡中逐渐的将现今的ITO全部更换为材料性能更好的纳米银线801。
此外,将ITO材料做在上层靠近触控面,纳米银线801做在下层远离触控面,是因为纳米银线801材料在使用时会产生雾度问题,纳米银线801远离触控面后会在一定程度上解决纳米银线801的雾度问题。如此一层ITO,一层纳米银线801,一上一下,可以起到材料替代的过渡缓冲作用,还能极大的解决纳米银线801在使用时的雾度难题,可谓一举两得。
为了进一步解决纳米银线导电层103的雾度问题,本实用新型选用高折射率层105一OCA胶来粘接上层的第一电极层107和下层的纳米银线导电层103,高折射率层105位于纳米银线导电层103之上,可以有效降低纳米银线导电层103的反射,解决纳米银线801雾度明显的问题。同时,用高折射率的OCA胶无需额外增加高折射率匹配层,也有利于降低触控叠层结构的厚度,取得轻薄化的效果。
本实用新型为了进一步降低触控叠层结构的厚度,将纳米银线导电层803形成在显示模组90的特定基材上,并以上偏光片101或下偏光片1019覆盖/承载纳米银线导电层103,远离触控面,在高折射率层105与偏光片101的共同作用下,进一步降低雾度。如此既可以避免同时采用两层纳米银线801作为电极层之明显雾度问题,又可以省去一片基材,降低原料成本,并取得轻薄化的效果。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的原则之内所作的任何修改,等同替换和改进等均应包含本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种触控显示模组,包括一盖板和一显示单元,所述盖板的上表面为触控面,下表面上设置一第一电极层,所述盖板设置于所述显示单元上方,所述显示单元包括一第二电极层,其特征在于:所述第二电极层为纳米银线导电层。
2.如权利要求1所述的触控显示模组,其特征在于:该第一电极层的材料为氧化铟锡,氧化锡锑,氧化铟锌,氧化锌铝,石墨烯,金属网格或者碳纳米管中的任意一种。
3.如权利要求1所述的触控显示模组,其特征在于:所述纳米银线导电层包括一基质及分布于所述基质中的多条纳米银线,所述多条纳米银线相互搭接形成导电网络,所述每条纳米银线的线长介于20-50μm,线径小于50nm,长宽比大于400;所述纳米银线导电层的厚度为50nm-200nm,折射率为1.35-1.8。
4.如权利要求1所述的触控显示模组,其特征在于:所述显示单元包括至少一偏光片和至少一基板,该纳米银线导电层设置于偏光片或基板的上表面或下表面。
5.如权利要求4所述的触控显示模组,其特征在于:所述纳米银线导电层设置于所述偏光片与所述盖板之间。
6.如权利要求4所述的触控显示模组,其特征在于:所述纳米银线导电层设置于所述偏光片与所述基板之间。
7.如权利要求1所述的触控显示模组,其特征在于:还包括粘合所述盖板与所述显示单元的高折射率层,所述高折射率层的折射率为1.52-1.79,所述高折射率层的涂覆面积在所述纳米银线导电层表面上的涂覆率不低于50%。
8.如权利要求1所述的触控显示模组,其特征在于:还包括至少一光学匹配层,设置于所述纳米银线导电层之上和/或之下,其折射率为1.1-1.6。
9.如权利要求1所述的触控显示模组,其特征在于:还包括一增粘层,设置于纳米银线导电层上,所述增粘层的膨胀系数小于所述显示单元层叠结构的膨胀系数。
10.如权利要求1所述的触控显示模组,其特征在于:还包括一平整层,设置于纳米银线导电层上,纳米银线导电层在厚度方向上有部分嵌入平整层中。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420312398.8U CN203930772U (zh) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 触控显示模组 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420312398.8U CN203930772U (zh) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 触控显示模组 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN203930772U true CN203930772U (zh) | 2014-11-05 |
Family
ID=51826550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201420312398.8U Expired - Lifetime CN203930772U (zh) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 触控显示模组 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN203930772U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104484075A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-04-01 | 上海天马微电子有限公司 | 触控显示面板及其制作方法和触控显示装置 |
CN118169916A (zh) * | 2024-04-18 | 2024-06-11 | 深圳市联合立元信息科技有限公司 | 一种触控显示模组 |
-
2014
- 2014-06-12 CN CN201420312398.8U patent/CN203930772U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104484075A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-04-01 | 上海天马微电子有限公司 | 触控显示面板及其制作方法和触控显示装置 |
CN104484075B (zh) * | 2014-12-26 | 2018-01-02 | 上海天马微电子有限公司 | 触控显示面板及其制作方法和触控显示装置 |
CN118169916A (zh) * | 2024-04-18 | 2024-06-11 | 深圳市联合立元信息科技有限公司 | 一种触控显示模组 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN203930739U (zh) | 一种触控显示模组 | |
CN105224115A (zh) | 曲面触控面板及可穿戴设备 | |
CN105204695B (zh) | 纳米银线导电层叠结构及电容式触控面板 | |
CN203930738U (zh) | 一种触控面板 | |
CN105446555B (zh) | 纳米银线导电层叠结构及触控面板 | |
CN104991671B (zh) | 一种柔性触控屏传感薄膜及其制备方法 | |
CN105204674B (zh) | 一种触控显示模组 | |
CN203930740U (zh) | 曲面触控显示模组及可穿戴设备 | |
CN105183246B (zh) | 电容式触控面板 | |
JP2011181062A (ja) | 大画面タッチスクリーン | |
KR20120021451A (ko) | 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막 | |
CN105224151B (zh) | 纳米银线导电层叠结构及电容式触控面板 | |
TWI595513B (zh) | 透明導電膜 | |
CN103165226A (zh) | 透明导电膜及其制备方法 | |
CN203930741U (zh) | 曲面触控面板及可穿戴设备 | |
CN105242799B (zh) | 曲面触控显示模组及可穿戴设备 | |
CN203930768U (zh) | 触控面板 | |
CN203930764U (zh) | 纳米银线导电层叠结构及触控面板 | |
CN203930765U (zh) | 电容式触控面板 | |
CN105204694B (zh) | 纳米银线触控面板 | |
CN203930737U (zh) | 触控面板 | |
CN203930772U (zh) | 触控显示模组 | |
CN203930742U (zh) | 纳米银线导电层叠结构及触控面板 | |
CN105204673B (zh) | 触控面板 | |
CN105224150B (zh) | 触控面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20141105 |
|
CX01 | Expiry of patent term |