CN203792544U - 全自动真空腔体晶片加工装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型是指一种全自动真空腔体晶片加工装置,其中,该使用于晶片加工的全自动真空腔体晶片加工装置设有:恒压腔体单元、入料单元、出料单元及控制元件。该恒压腔体单元内具有一恒真空压力的腔室,腔室连接有:入料单元的入料腔体及出料单元的出料腔体。而入料腔体与出料腔体是于腔室输入、输出晶片时,用以配合腔室快速抽真空等压输送。以此,腔室具有真空值维持恒压的事实优异依据。
Description
技术领域
本实用新型是指一种全自动真空腔体晶片加工装置,其中,该全自动真空腔体晶片加工装置设有恒压腔体单元,恒压腔体单元内具有一恒真空压力的腔室,腔室连接有快速抽真空等压输送输入、输出晶片的入料单元与出料单元的技术领域。
背景技术
首先,请参阅图1、图2所示,【为现有的真空腔体示意、真空腔体的晶片置放示意图】;其中,指一晶片A0加工用的真空腔体10,真空腔体10设有腔室101,腔室101内设有可置放晶片A0的载具102,以及加工晶片A0用的加热器。另外,腔室101外设有连接腔室101的真空泵B0,据真空泵B0执行腔室101于晶片A0加工前的真空抽取作业。反之,而当加工完成则必须将腔室101破真空,其后,才能开启腔室101取出晶片A0。
然而,该真空腔体10在的晶片A0加工中,必须针对每次加工单独执行腔室101的真空抽取,以及腔室101的破真空操作。但,当高耗能的真空泵B0于腔室101真空操作过程中,为保障腔室101内设备有一定使用寿命,致真空泵B0仅能采取以缓速抽取达到真空目的令腔室101真空抽取除有真空泵B0大量能源耗费外,并同时有保贵时间耗费缺失。而后,真空泵B0对于腔室101的每次抽取真空比例数值只能在设定值内,故每次的真空数值并非完全均等,更因而影响晶片A0有加工质量不均及不良品比例升高问题。
有鉴于此,本发明人乃针对上述消弭因腔室101真空抽取有能源耗费、时间耗费与每次真空数值并非完全均等的问题而作出设计变更,期以据摒除的领域深入探究,并在不断研发及修改后,故有本实用新型的问世。
鉴于以上所述,得知现有真空腔体因每次晶片加工都必须单独执行真空操作,并因此导致有:能源耗费、耗时与每次真空数值并非完全均等的缺失,因此,促使本发明人朝消弭此缺失的方向研发,并经由本案发明人多方思考,遂而思及,以,一恒真空腔体加工晶片,并恒真空腔体周边连接有快速真空腔体配合输送晶片是为最佳方式。
实用新型内容
本实用新型所要解决的主要技术问题在于,克服现有技术存在的上述缺陷,而提供一种全自动真空腔体晶片加工装置,其腔室具有真空值维持恒压的事实优异依据。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种全自动真空腔体晶片加工装置,该使用于晶片加工的全自动真空腔体晶片加工装置设有:恒压腔体单元、入料单元、出料单元及控制元件。
该恒压腔体单元,内具有一恒真空压力的腔室,外具有一可开启、封闭腔室的入料闸门,以及一可开启、封闭腔室的出料闸门,周边具有一维持腔室恒真空压力的第一真空泵;而腔室内具有一对应入料闸门及出料闸门高度的加工床台,加工床台内组接有加热器,且加工床台配设有线架装置,线架装置具有第一动力装置,第一动力装置可上、下、左、右驱动有一上延体,上延体上伸于加工床台两侧,且上延体于上端平接有钢线,并加工床台上方下凹有容置钢线下移时的线槽。
该入料单元,具有一入料腔体,入料腔体内设有一入料腔室,入料腔室一侧开设有一衔接入料闸门的入料接口,且入料腔室内架设有入料滚轮,入料滚轮间伸设有横入料叉,并入料腔体架设有可上、下、左、右驱动横入料叉的第二动力装置。而后,入料腔体前缘设有:一可开启、封闭入料腔室的进料闸门,周边具有可将入料腔室快速抽真空的第二真空泵;而后,进料闸门前缘对应入料滚轮配置有一入料运载单元。
该出料单元,具有一出料腔体,出料腔体内设有一出料腔室,出料腔室一侧开设有一衔接出料闸门的出料接口,且出料腔室内架设有出料滚轮,出料滚轮间伸设有横出料叉,并出料腔体架设有可上、下、左、右驱动横出料叉的第三动力装置。而后,出料腔体前缘设有:一可开启、封闭出料腔室的成品料闸门,且出料腔体可连接将出料腔室快速抽真空的第二真空泵。而后,成品料闸门前缘对应出料滚轮配置有一成品料运载单元。
该控制元件,内建有判读全自动真空腔体晶片加工装置的电控、动力及真空讯号,以及据讯号驱动与恒压腔体单元、入料单元及出料单元的控制参数。
而后,恒压腔体单元于腔室上方增具有一冷却装置,冷却装置内另具有填置增设的冷却液体的冷却室。
另,该入料滚轮之间于右侧另上伸设有第一导正杆,而横出料叉下移时恰好位于第一导正杆的左侧,另外,入料运载单元对应入料滚轮又配置有可前、后位移的第一运载滚轮载台,第一运载滚轮载台上另具有第一运载滚轮,第一运载滚轮之间的左、右侧另上伸设有第二导正杆,而后,入料单元于第一运载滚轮载台前缘又配置一半成品载台,半成品载台上可增置有第一输送带,第一输送带上另可增置放载盒,载盒内又可置入预制的晶片,而半成品载台左侧增具有一第一夹部,且第一运载滚轮载台前方另具有一前移时可伸入载盒旋拖预制的晶片至第一运载滚轮上的晶片夹具,另预制晶片是由后移的第一运载滚轮载台据第一运载滚轮传输进入料腔室的入料滚轮上。其中,该入料腔室后侧增设有止挡预制晶片的定位挡板,而后,第一运载滚轮载台另具有依据晶片运载宽度调整第二导正杆左、右位移的第一旋调部。
又,该出料滚轮之间于左侧另上伸设有第三导正杆,而横出料叉下移时恰好位于第三导正杆右侧,另外,出料运载单元对应出料滚轮又配置有可前、后位移的第二运载滚轮载台,第二运载滚轮载台上具有第二运载滚轮,第二运载滚轮之间于左、右侧另上伸设有第四导正杆,而后,出料单元于第二运载滚轮载台前缘又配置一成品载台,成品载台上可增置有第二输送带,第二输送带上可增置有容置由出料腔体输出的晶片成品的载盒,而成品载台右侧增具有一第二夹部,另外,第二运载滚轮载台右方另具有一晶片推部,晶片推部另上伸有一可前、后、上、下位移的拨动体,拨动体顶端又具一左伸后再下弯的拨杆,而第二运载滚轮载台前侧的第二运载滚轮另具有闪避下移的拨杆的晶片推槽,但,晶片推部的拨杆可将晶片成品由第二运载滚轮推移入载盒整齐排列,而后,再以第二夹部将置满晶片的载盒置放于第二输送带上;另外,第二输送带右侧增设有止挡成品载盒的感知元件。其中,该第二运载滚轮载台另具有依据晶片运载宽度调整第四导正杆左、右位移的第二旋调部。
借以上设置,本实用新型相较于现有技术是以恒压腔体单元维持等真空,以入料腔体压力调节执行预制晶片入料,并以出料腔体压力调节配合晶片成品出料,是以,可知本实用新型可摒除现有单独实施的缓慢的缺失,亦可据入料单元、出料单元输送,以及控制元件设定达成全自动真空腔体晶片加工装置有加工全自动化的效益。
本实用新型的有益效果是,其腔室具有真空值维持恒压的事实优异依据。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是现有的真空腔体示意图。
图2是现有的真空腔体的晶片置放示意图。
图3是本实用新型的全自动真空腔体晶片加工装置立体示意图。
图4是本实用新型的全自动真空腔体晶片加工装置上视示意图。
图5是本实用新型的全自动真空腔体晶片加工装置前视图。
图6是本实用新型的冷却装置示意图。
图7是本实用新型的第一进料示意图。
图8是本实用新型的第二进料示意图。
图9是本实用新型的第一出料示意图。
图10是本实用新型的第二出料示意图。
图11是本实用新型的入料单元及出料单元上视示意图。
图12是本实用新型的入料滚轮立体图。
图13是本实用新型的第一运载滚轮载台图。
图14是本实用新型的第一运载滚轮载台左侧立体图。
图15是本实用新型的第一运载滚轮载台右侧立体图。
图16是本实用新型的晶片夹具旋拖晶片示意图。
图17是本实用新型的第二运载滚轮载台右侧立体图。
图18是本实用新型的第二运载滚轮载台左侧立体图。
图19是本实用新型的成品载台立体图。
图20是本实用新型的拨杆示意图。
图中标号说明:
A0 晶片
B0 真空泵
10 真空腔体
101 腔室
102 载具
A 晶片
B 第二真空泵
D 载盒
X 冷却液体
1 全自动真空腔体晶片加工装置
2 恒压腔体单元
21 腔室
22 入料闸门
23 出料闸门
24 第一真空泵
26 加工床台
261 加热器
262 线槽
27 线架装置
271 第一动力装置
272 上延体
273 钢线
28 冷却装置
281 冷却室
3 入料单元
3A 第一导正杆
31 入料腔体
311 入料腔室
3111 定位挡板
312 入料接口
313 进料闸门
32 入料滚轮
33 横入料叉
331 第二动力装置
4 出料单元
41 出料腔体
411 出料腔室
412 出料接口
413 成品料闸门
42 出料滚轮
421 第三导正杆
43 横出料叉
431 第三动力装置
5 控制元件
6 入料运载单元
61 第一运载滚轮载台
611 第一运载滚轮
612 第二导正杆
6121 第一旋调部
613 晶片夹具
62 半成品载台
621 第一输送带
63 第一夹部
7 成品料运载单元
71 第二运载滚轮载台
711 第二运载滚轮
7111 晶片推槽
712 第四导正杆
7121 第二旋调部
72 成品载台
721 第二输送带
722 感知元件
73 第二夹部
74 晶片推部
741 拨动体
742 拨杆
具体实施方式
请参阅图3、图4、图5、图6所示,【为本实用新型的全自动真空腔体晶片加工装置立体示意、全自动真空腔体晶片加工装置上视示意、全自动真空腔体晶片加工装置前视、冷却装置示意图】;是指一种全自动真空腔体晶片加工装置1,其中,该使用于晶片A加工的全自动真空腔体晶片加工装置1至少设有:恒压腔体单元2、入料单元3、出料单元4及控制元件5(如:图2所示)。
而该恒压腔体单元2,内具有一恒真空压力的腔室21,外具有一可开启、封闭腔室21的入料闸门22,以及一可开启、封闭腔室的出料闸门23,周边具有一维持腔室21恒真空压力的第一真空泵24。而腔室21内具有一对应入料闸门22及出料闸门23高度的加工床台26,加工床台26内组接有加热器261,且加工床台26配设有线架装置27,线架装置27具有第一动力装置271,第一动力装置271可上、下、左、右驱动有一上延体272,上延体272上伸于加工床台26两侧,且上延体272于上端平接有钢线273,并加工床台26上方下凹有容置钢线273下移时的线槽262。
而该入料单元3,具有一入料腔体31,入料腔体31内设有一入料腔室311,入料腔室311一侧开设有一衔接入料闸门22的入料接口312,且入料腔室311内架设有入料滚轮32,入料滚轮32间伸设有横入料叉33,并入料腔体31架设有可上、下、左、右驱动横入料叉33的第二动力装置331。而后,入料腔体31前缘设有:一可开启、封闭入料腔室311的进料闸门313,周边具有可将入料腔室311快速抽真空的第二真空泵B。而后,进料闸门313前缘对应入料滚轮32配置有一入料运载单元6。
而该出料单元4,具有一出料腔体41,出料腔体41内设有一出料腔室411,出料腔室411一侧开设有一衔接出料闸门23的出料接口412,且出料腔室411内架设有出料滚轮42,出料滚轮42间伸设有横出料叉43,并出料腔体41架设有可上、下、左、右驱动横出料叉43的第三动力装置431。而后,出料腔体41前缘设有:一可开启、封闭出料腔室411的成品料闸门413,且出料腔体41可连接将出料腔室411快速抽真空的第二真空泵B。而后,成品料闸门413前缘对应出料滚轮42配置有一成品料运载单元7。
而该控制元件5,内建有判读全自动真空腔体晶片加工装置1的电控、动力及真空讯号,以及据讯号驱动与恒压腔体单元2、入料单元3及出料单元4的控制参数(如:图3、图4所示)。
是的,该恒压腔体单元2于腔室21上方增具有一冷却装置28,冷却装置28内另具有填置增设的冷却液体X的冷却室281、用以调节腔室21温度,并能利用冷却装置28成为腔室21外围的隔热依据(如:图5所示)。
请参阅图7、图8、图9、图10所示,【为本实用新型的第一进料示意、第二进料示意、第一出料示意、第二出料示意图】;其中,该全自动真空腔体晶片加工装置1的输送步骤为:
先是以成品料运载单元7将预制的晶片A送进入料单元3的入料腔室311,后以进料闸门313封闭入料腔室311,再入料腔室311以高功率的第二真空泵B快速抽真空与腔室21等压,而后,腔室21再开启入料闸门22,后预制晶片A再以横入料叉33送进腔室21,同时,再以上延体272上升后据钢线273左移承接晶片A后进腔室21置放于加工床台26上,而后,腔室21再封闭入料闸门22及出料闸门23执行加工晶片A(如:图7、图8所示)。
而后,待腔室21将晶片A加工完成后,是以高功率的第二真空泵B快速将出料腔室411抽真空与腔室21等压,出料腔室411与腔室21等压后再行开启腔室21的出料闸门23,而后,配合以上延体272上升钢线273托接晶片A后右移,令晶片A接近出料闸门23,同时,利用横出料叉43将晶片A成品运至出料滚轮42上,俟晶片A成品运至出料滚轮42上时,再行以出料闸门23封闭腔室21,再将出料腔室411破真空,而后,俟开启成品料闸门413由出料滚轮42输送晶片A成品至成品料运载单元7集装(如:图9、图10所示)。
请参阅图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20所示,【为本实用新型的入料单元及出料单元上视示意、入料滚轮立体、第一运载滚轮载台、第一运载滚轮载台左侧立体、第一运载滚轮载台右侧立体、晶片夹具旋拖晶片示意、第二运载滚轮载台右侧立体、第二运载滚轮载台左侧立体、成品载台立体、拨杆示意图】;其中,该入料腔室311于入料滚轮32之间于右侧另上伸设有第一导正杆3A,而横入料叉33下移时恰好位于第一导正杆3A的左侧。另外,入料运载单元6对应入料滚轮32又配置有可前、后位移的第一运载滚轮载台61,第一运载滚轮载台61上另具有第一运载滚轮611,第一运载滚轮611之间的左、右侧另上伸设有第二导正杆612(如:第一运载滚轮载台61请配合参照图13、图14),而后,入料单元3于第一运载滚轮载台61前缘又配置一半成品载台62,半成品载台62上可增置有第一输送带621,第一输送带621上另可增置放载盒D,载盒D内又可置入预制的晶片A。而后,半成品载台62左侧增具有一第一夹部63(如:第一夹部63于图11、图15、图16所示),且第一运载滚轮载台61前方另具有一前移时可伸入载盒D旋拖预制的晶片A至第一运载滚轮611上的晶片夹具613,另预制晶片A是由后移的第一运载滚轮载台61据第一运载滚轮611传输进入料腔室311的入料滚轮32上(如:图13所示。另外,晶片A与载盒D仅见于图11、图15)。
但,入料腔室311后侧增设有止挡预制晶片A的定位挡板3111,而后,第一运载滚轮载台61另具有依据晶片A运载宽度调整第二导正杆612左、右位移的第一旋调部6121(如:图12所示,且定位挡板3111仅见于图12。另外,晶片A仅见于图11、图15)。
而后,出料单元4于出料滚轮42之间于左侧另上伸设有第三导正杆421,而横出料叉43下移时恰好位于第三导正杆421右侧,另外,成品料运载单元7对应出料滚轮42又配置有可前、后位移的第二运载滚轮载台71,第二运载滚轮载台71上具有第二运载滚轮711,第二运载滚轮711之间于左、右侧另上伸设有第四导正杆712(如:图11、图17所示),而后,出料单元4于第二运载滚轮载台71前缘又配置一成品载台72,成品载台72上可增置有第二输送带721,第二输送带721上可增置有容置由出料腔体41输出的晶片A成品的载盒D,而成品载台72右侧增具有一第二夹部73(请综合参照:图11、图17、图19、图20所示),另外,第二运载滚轮载台71右方另具有一晶片推部74,晶片推部74另上伸有一可前、后、上、下位移的拨动体741,拨动体741顶端又具一左伸后再下弯的拨杆742,而第二运载滚轮载台71前侧的第二运载滚轮711另具有闪避下移的拨杆742的晶片推槽7111,但,晶片推部74的拨杆可将晶片A成品由第二运载滚轮711推移入载盒D内整齐排列,而后,再以第二夹部73将置满晶片A的载盒D置放于第二输送带721上(请综合参照:图17、图19、图20所示);另外,第二输送带721右侧增设有止挡以装满成品晶片A的载盒D的感知元件722(如:感知元件722仅见于图19)。第二运载滚轮载71台另具有依据晶片A运载宽度调整第四导正杆712左、右位移的第二旋调部7121(如:图18所示。另外,晶片A与载盒D请综合参照:图11、图20)。
据上所述可知:该恒压腔体单元2是以维持腔室21等真空,据,入料腔体31压力调节执行预制晶片A入料,并以出料腔体41压力调节配合晶片A成品出料。由此,可维持腔室21等压,以保障晶片A可在稳定环境中加工,并以此稳定环境中的晶片A加工摒除现有缺失,且入料腔体31可配合入料运载单元6自动置入晶片A,另外,出料腔体41可利用成品料运载单元7配合晶片A自动输出,以此,令全自动真空腔体晶片加工装置1达成晶片A全自动加工的优点效益。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
综上所述,本实用新型在结构设计、使用实用性及成本效益上,完全符合产业发展所需,且所揭示的结构亦是具有前所未有的创新构造,具有新颖性、创造性、实用性,符合有关新型专利要件的规定,故依法提起申请。
Claims (6)
1.一种全自动真空腔体晶片加工装置,其特征在于,所述使用于晶片加工的全自动真空腔体晶片加工装置至少设有:恒压腔体单元、入料单元、出料单元及控制元件;
而该恒压腔体单元,内具有一恒真空压力的腔室,外具有一可开启、封闭腔室的入料闸门,以及一可开启、封闭腔室的出料闸门,周边具有一维持腔室恒真空压力的第一真空泵;而腔室内具有一对应入料闸门及出料闸门高度的加工床台,加工床台内组接有加热器,且加工床台配设有线架装置,线架装置具有第一动力装置,第一动力装置可上、下、左、右驱动有一上延体,上延体上伸于加工床台两侧,且上延体于上端平接有钢线,并加工床台上方下凹有容置钢线下移时的线槽;
而该入料单元,具有一入料腔体,入料腔体内设有一入料腔室,入料腔室一侧开设有一衔接入料闸门的入料接口,且入料腔室内架设有入料滚轮,入料滚轮间伸设有横入料叉,并入料腔体架设有可上、下、左、右驱动横入料叉的第二动力装置;而后,入料腔体前缘设有:一可开启、封闭入料腔室的进料闸门,周边具有可将入料腔室快速抽真空的第二真空泵;而后,进料闸门前缘对应入料滚轮配置有一入料运载单元;
而该出料单元,具有一出料腔体,出料腔体内设有一出料腔室,出料腔室一侧开设有一衔接出料闸门的出料接口,且出料腔室内架设有出料滚轮,出料滚轮间伸设有横出料叉,并出料腔体架设有可上、下、左、右驱动横出料叉的第三动力装置;而后,出料腔体前缘设有:一可开启、封闭出料腔室的成品料闸门,且出料腔体可连接将出料腔室快速抽真空的第二真空泵;而后,成品料闸门前缘对应出料滚轮配置有一成品料运载单元;
而该控制元件,内建有判读自动真空腔体晶片加工装置的电控、动力及真空讯号,以及据讯号驱动与恒压腔体单元、入料单元及出料单元的控制参数。
2.根据权利要求1所述的全自动真空腔体晶片加工装置,其特征在于,所述恒压腔体单元于腔室上方增具有一冷却装置,冷却装置内另具有填置增设的冷却液体的冷却室。
3.根据权利要求1所述的全自动真空腔体晶片加工装置,其特征在于,所述入料滚轮之间于右侧另上伸设有第一导正杆,而横出料叉下移时恰好位于第一导正杆的左侧,另外,入料运载单元对应入料滚轮又配置有可前、后位移的第一运载滚轮载台,第一运载滚轮载台上另具有第一运载滚轮,第一运载滚轮之间的左、右侧另上伸设有第二导正杆,而后,入料单元于第一运载滚轮载台前缘又配置一半成品载台,半成品载台上可增置有第一输送带,第一输送带上另可增置放载盒,载盒内又可置入预制的晶片,而半成品载台左侧增具有一第一夹部,且第一运载滚轮载台前方另具有一前移时可伸入载盒旋拖预制的晶片至第一运载滚轮上的晶片夹具,另预制晶片是由后移的第一运载滚轮载台据第一运载滚轮传输进入料腔室的入料滚轮上。
4.根据权利要求3所述的全自动真空腔体晶片加工装置,其特征在于,所述入料腔室后侧增设有止挡预制晶片的定位挡板;而后,第一运载滚轮载台另具有依据晶片运载宽度调整第二导正杆左、右位移的第一旋调部。
5.根据权利要求1所述的全自动真空腔体晶片加工装置,其特征在于,所述出料滚轮之间于左侧另上伸设有第三导正杆,而横出料叉下移时恰好位于第三导正杆右侧,另外,出料运载单元对应出料滚轮又配置有可前、后位移的第二运载滚轮载台,第二运载滚轮载台上具有第二运载滚轮,第二运载滚轮之间于左、右侧另上伸设有第四导正杆,而后,出料单元于第二运载滚轮载台前缘又配置一成品载台,成品载台上可增置有第二输送带,第二输送带上可增置有容置由出料腔体输出的晶片成品的载盒,而成品载台右侧增具有一第二夹部,另外,第二运载滚轮载台右方另具有一晶片推部,晶片推部另上伸有一可前、后、上、下位移的拨动体,拨动体顶端又具一左伸后再下弯的拨杆,而第二运载滚轮载台前侧的第二运载滚轮另具有闪避下移的拨杆的晶片推槽,但,晶片推部的拨杆可将晶片成品由第二运载滚轮推移入载盒整齐排列,而后,再以第二夹部将置满晶片的载盒置放于第二输送带上;另外,第二输送带右侧增设有止挡成品载盒的感知元件。
6.根据权利要求5所述的全自动真空腔体晶片加工装置,其特征在于,所述第二运载滚轮载台另具有依据晶片运载宽度调整第四导正杆左、右位移的第二旋调部。
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