CN203596032U - 阶梯式Active SIM全卡 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种阶梯式Active SIM全卡，包括：SIM卡电路板和天线电路板，SIM卡电路板包括SIM卡区域和天线区域，天线电路板设置在与天线区域相对应的位置，且SIM卡电路板与天线电路板连接，且天线电路板突出于SIM卡电路板的表面并形成阶梯结构。本实用新型由于采用了阶梯结构，因而将SIM卡电路板与天线电路板整合在一起，克服了现有技术中的安装尺寸大、天线横截面积小，磁力线稀疏，磁力线曲度不易耦合，使用寿命短、工艺复杂、不宜操作等缺陷，Active SIM全卡具有结构简单、尺寸小、高性能、成本低、加工方便的特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及智能卡领域，特别涉及一种阶梯式Active SIM全卡。
背景技术
传统的Active SIM全卡产品需要在SIM卡基板上焊接功率电感片天线才能实现无线电磁感应功能，安装尺寸大、天线横截面积小，磁力线稀疏，磁力线曲度不易耦合，使用寿命短、工艺复杂、不宜操作等缺陷。
实用新型内容
本实用新型提供了一种阶梯式Active SIM全卡，以解决现有技术中的安装尺寸大、天线横截面积小，磁力线稀疏，磁力线曲度不易耦合，使用寿命短、工艺复杂、不宜操作等缺陷。
为解决上述问题，作为本实用新型的一个方面，提供了一种阶梯式ActiveSIM全卡，包括：SIM卡电路板和天线电路板，SIM卡电路板包括SIM卡区域和天线区域，天线电路板设置在与天线区域相对应的位置，且SIM卡电路板与天线电路板连接，且天线电路板突出于SIM卡电路板的表面并形成阶梯结构。
进一步地，SIM卡电路板包括依次层叠设置的第一阻焊层、第一线路层、第一基板层、第二线路层和第二阻焊层。
进一步地，天线电路板包括依次层叠设置的第一结合层、第二基板层、第二结合层、第三线路层和第三阻焊层,其中，第二阻焊层通过第一结合层与第二基板层连接。
进一步地，第一线路层上形成有金手指。
进一步地，第二线路层上形成有第一功率电感部、匹配电路和芯片部。
进一步地，第三线路层上形成有第二功率电感部，第一功率电感部和第二功率电感部通过贯穿第二阻焊层、第一结合层、第二基板层和第二结合层的电感片导通孔形成电感元件。
进一步地，阶梯式Active SIM全卡还包括铁氧体，位于第二基板层内。
进一步地，第一基板层为BT树脂层。
进一步地，第二基板层为FR-4基板层。
进一步地，铁氧体的厚度为0.2至0.4毫米。
本实用新型由于采用了阶梯结构，因而将SIM卡电路板与在天线电路板整合在一起，克服了现有技术中的Active SIM全卡产品安装尺寸大、天线横截面积小，磁力线稀疏，磁力线曲度不易耦合，使用寿命短、工艺复杂、不宜操作等缺陷。
附图说明
图1示意性地示出了本实用新型的层状结构示意图；
图2示意性地示出了第一线路层的结构示意图；
图3示意性地示出了第二线路层的结构示意图；
图4示意性地示出了第三线路层的结构示意图。
图中附图标记：1、SIM卡电路板；2、天线电路板；3、第一阻焊层；4、第一线路层；5、第一基板层；6、第二线路层；7、第二阻焊层；8、第一结合层；9、第二基板层；10、第二结合层；11、第三线路层；12、第三阻焊层；13、金手指；14、第一功率电感部；15、匹配电路；16、芯片部；17、第二功率电感部；18、电感片导通孔；19、铁氧体。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
请参考图1,本实用新型提供了一种阶梯式Active SIM全卡，包括：SIM卡电路板1和天线电路板2，SIM卡电路板1包括SIM卡区域和天线区域，天线电路板2设置在与天线区域相对应的位置，且SIM卡电路板1与天线电路板2连接，且天线电路板2突出于SIM卡电路板1的表面并形成阶梯结构。
本实用新型由于采用了阶梯结构，因而将SIM卡电路板与在天线电路板整合在一起，克服了现有技术中的Active SIM全卡产品安装尺寸大、天线横截面积小，磁力线稀疏，磁力线曲度不易耦合，使用寿命短、工艺复杂、不宜操作等缺陷，具有结构简单、尺寸小、高性能、成本低、加工方便的特点。
优选地，SIM卡电路板1包括依次层叠设置的第一阻焊层3、第一线路层4、第一基板层5、第二线路层6和第二阻焊层7。这几层上下层叠地结合起来，一起构成SIM卡电路板1。优选地，请参考图2,第一线路层4上形成有金手指13，这样，便可与外部设备接触连接。优选地，第一基板层5为BT树脂层。
优选地，天线电路板2包括依次层叠设置的第一结合层8、第二基板层9、第二结合层10、第三线路层11和第三阻焊层12,其中，第二阻焊层7通过第一结合层8与第二基板层9连接。这几层上下层叠地结合起来，一起构成天线电路板2。优选地，第二基板层9为FR-4基板层。
优选地，请参考图3,第二线路层6上形成有第一功率电感部14、匹配电路15和芯片部16。优选地，请参考图4,第三线路层11上形成有第二功率电感部17，第一功率电感部14和第二功率电感部17通过贯穿第二阻焊层7、第一结合层8、第二基板层9和第二结合层10的电感片导通孔18形成电感元件。这样，通过位于第二线路层6上的第一功率电感部14和位于第三线路层11上的第二功率电感部17,利用电路板形成了一个线圈状的结构。
优选地，请参考图1,阶梯式Active SIM全卡还包括铁氧体19，位于第二基板层9内。特别地，铁氧体19位于上述线圈状的结构内，形成天线结构。优选地，铁氧体19的厚度为0.2至0.4毫米。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种阶梯式Active SIM全卡，其特征在于，包括：SIM卡电路板（1）和天线电路板（2），所述SIM卡电路板（1）包括SIM卡区域和天线区域，所述天线电路板（2）设置在与所述天线区域相对应的位置，且所述SIM卡电路板（1）与所述天线电路板（2）连接，且所述天线电路板（2）突出于所述SIM卡电路板（1）的表面并形成阶梯结构。
2.根据权利要求1所述的阶梯式Active SIM全卡，其特征在于，所述SIM卡电路板（1）包括依次层叠设置的第一阻焊层（3）、第一线路层（4）、第一基板层（5）、第二线路层（6）和第二阻焊层（7）。
3.根据权利要求2所述的阶梯式Active SIM全卡，其特征在于，所述天线电路板（2）包括依次层叠设置的第一结合层（8）、第二基板层（9）、第二结合层（10）、第三线路层（11）和第三阻焊层（12）,其中，所述第二阻焊层（7）通过所述第一结合层（8）与所述第二基板层（9）连接。
4.根据权利要求3所述的阶梯式Active SIM全卡，其特征在于，所述第一线路层（4）上形成有金手指（13）。
5.根据权利要求3所述的阶梯式Active SIM全卡，其特征在于，所述第二线路层（6）上形成有第一功率电感部（14）、匹配电路（15）和芯片部（16）。
6.根据权利要求5所述的阶梯式Active SIM全卡，其特征在于，所述第三线路层（11）上形成有第二功率电感部（17），所述第一功率电感部（14）和所述第二功率电感部（17）通过贯穿所述第二阻焊层（7）、所述第一结合层（8）、所述第二基板层（9）和所述第二结合层（10）的电感片导通孔（18）形成电感元件。
7.根据权利要求3所述的阶梯式Active SIM全卡，其特征在于，所述阶梯式Active SIM全卡还包括铁氧体（19），位于所述第二基板层（9）内。
8.根据权利要求2所述的阶梯式Active SIM全卡，其特征在于，所述第一基板层（5）为BT树脂层。
9.根据权利要求3所述的阶梯式Active SIM全卡，其特征在于，所述第二基板层（9）为FR-4基板层。
10.根据权利要求7所述的阶梯式Active SIM全卡，其特征在于，所述铁氧体（19）的厚度为0.2至0.4毫米。
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| CN (1) | CN203596032U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106937480A (zh) * | 2017-03-04 | 2017-07-07 | 郑州云海信息技术有限公司 | 基于阶梯金手指的单板及成型方法 |
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2013
- 2013-11-21 CN CN201320744081.7U patent/CN203596032U/zh not_active Expired - Fee Related
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