CN203444236U - 掩膜板 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及显示技术领域，公开了一种掩膜板，包括掩膜面及与所述掩膜面相对的非掩膜面，其特征在于，所述非掩膜面为由四周至中心凹陷的曲面。本实用新型通过在掩膜板制作程序中，对掩膜板的非掩膜面进行研磨，使得掩膜板的非掩膜面由四周向中心向内凹陷呈曲面，以达到对自重导致的弯曲进行补偿，使掩膜面接近于平面，从而达到曝光后的光刻胶图形关键尺寸值在整体区域精细化、均匀化的效果。

Description

掩膜板

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜板。

背景技术

在大尺寸薄膜晶体管液晶显示领域中常用接近式曝光机结合掩膜板对图层进行曝光构图，现有的掩膜板如图1所示，掩膜板的掩膜面和非掩膜面都是平面，在掩膜面上制作与待曝光区域相应的图形。由于掩膜板尺寸以及厚度较大，导致掩膜板自身重量增加。在接近式曝光中，以6代线为例，掩膜板大小850mm×1200mm×10mm，重22.5kg，掩膜板与待曝光基板的间距（Gap）较小（100um～300um），如图2所示，由于支撑件1在掩膜板2（S为掩膜面）边缘，掩膜板2由于自重发生弯曲，掩膜板2周边到待曝光基板的间距与掩膜板2中心到待曝光基板的间距差别最大至80um。由于间距的不等造成在待曝光基板上形成的光刻胶图形的关键尺寸（即线宽）的不稳定，导致在待曝光基板上形成的柱状物的高度不一致，即形成的柱状物高度呈中间高四周低的分布趋势，同时掩膜板2的中心区域离待曝光基板太近，容易被待曝光基板上的微小颗粒划伤的可能性也会增大。

近年提出的负压式补正方式以及掩膜板的支撑件倾斜向上设置（支撑件与掩膜板连接的面倾斜向上设置，相当于抬高并水平拉伸掩膜板）的补正方式可以解决由于掩膜板自身重量产生的弯曲。这两种方式均可以在一定程度上对弯曲程度进行一定的补正，但补正力度还存在不足，对掩膜板自身重量产生的弯曲不能完全补正，如图3所示，根据掩膜板2的受力示意图，支撑件1与掩膜板2连接的面倾斜向上设置，支撑件1对掩膜板2的拉力f可分解为竖直和水平方向上的两个力f1和f2，相当于抬高并水平拉伸掩膜板2，减轻了掩膜板2向下弯曲的程度。补正后周边到待曝光基板的间距与掩膜板2中心到待曝光基板的间距仍然有30um的差距。

通常掩膜板在制作时对表面进行平坦式研磨，然后再进行铬膜的溅射。但这种掩膜板在大尺寸接近式曝光机中使用时存在以上弊端，如由于掩膜板自身重量发生弯曲，使得掩膜板与待曝光基板的图面间距不等导致形成的光刻胶图形出现扭曲，对关键尺寸精细化以及均匀化造成区域性影响。

实用新型内容

（一）要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是：如何有效补偿掩膜板在用于曝光时由于重力导致的弯曲。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种掩膜板，包括掩膜面及与所述掩膜面相对的非掩膜面，所述非掩膜面为由四周至中心凹陷的曲面。

其中，所述非掩膜面关于经过所述掩膜面中心且垂直于所述掩膜面的直线中心对称。

其中，所述曲面的中心深度不超过所述掩膜板边缘厚度的15‰。

其中，所述掩膜板的边缘厚度为7～15mm，掩膜板长度为1200～1400mm，掩膜板宽度为850～1220mm，掩膜板重量为15～60kg，所述曲面凹陷深度为70～90μm。

其中，所述掩膜板的边缘厚度为10mm，掩膜板长度为1200mm，掩膜板宽度为850mm，掩膜板重量为22.5kg，所述曲面凹陷深度为80μm。

（三）有益效果

本实用新型通过在掩膜板制作程序中，对掩膜板的非掩膜面进行研磨，使得掩膜板的非掩膜面由四周向中心向内凹陷呈曲面，以达到对自重导致的弯曲进行补偿，使掩膜面接近于平面，从而达到曝光后的光刻胶图形关键尺寸值在整体区域精细化、均匀化的效果。

附图说明

图1是现有技术的一种掩膜板示意图；

图2是在接近式曝光过程中现有的掩膜板由于自重向下弯曲的示意图；

图3是对图2的曝光过程中对弯曲进行补偿后的示意图；

图4是本实用新型实施例的一种掩膜板示意图；

图5是图4中掩膜板在曝光过程中对弯曲进行补偿后的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

实施例1

本实施例掩膜板如图4所示，所述掩膜板具有掩膜面S及与掩膜面S相对的非掩膜面S＇，其中非掩膜面S＇为由四周至中心向内凹陷呈曲面。由于越向中心，掩膜板越薄，掩膜板的自重也相对减轻。

如图5所示，在掩膜板用于曝光时（在曝光时，通常掩膜板的掩膜面S朝下）由于自重减轻，掩膜面S向下弯曲的程度也相对减轻，掩膜面S趋近于水平的平面，从而达到曝光后的光刻胶图形的关键尺寸值在整体区域精细化、均匀化的效果。

进一步地，呈曲面的非掩膜面S＇关于经过掩膜面S中心且垂直于该面S的直线中心对称，即该曲面为中心对称曲面，这样掩膜面会形成更接近于水平面的平面，且表面也更平整，从而使得曝光后的光刻胶图形的关键尺寸值在整体区域更加精细化、均匀化。

由于非掩膜面由四周至中心向内凹陷呈曲面，整个掩膜板呈凹透镜形状，会导致透过掩膜板的光发散。因此，曲面中心深度最好不超过掩膜板边缘厚度的15‰，光透过掩膜板后，光的发散程度很小，使得透过掩膜板的光线对曝光后的光刻胶图形关键尺寸值的影响忽略不计。

其中，所述掩膜板的边缘厚度为7～15mm，掩膜板长度为1200～1400mm，掩膜板宽度为850～1220mm，掩膜板重量为15～60kg，曲面凹陷深度为70～90μm。凹陷深度为微米数量级，边缘厚度为毫米数量级，因此光透过掩膜板的发散现象不明显，从而不会影响曝光后的光刻胶图形关键尺寸。

实际运用中发现当掩膜板的边缘厚度为10mm，掩膜板长度为1200mm，掩膜板宽度为850mm，掩膜板重量为22.5kg，曲面凹陷深度为80μm时，掩膜板的掩膜面更接近于平面。

以上实施方式仅用于说明本实用新型，而并非对本实用新型的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本实用新型的范畴，本实用新型的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (5)

1.一种掩膜板，包括掩膜面及与所述掩膜面相对的非掩膜面，其特征在于，所述非掩膜面为由四周至中心凹陷的曲面。

2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述非掩膜面关于经过所述掩膜面中心且垂直于所述掩膜面的直线中心对称。

3.如权利要求1或2所述的掩膜板，其特征在于，所述曲面的中心深度不超过所述掩膜板边缘厚度的15‰。

4.如权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板的边缘厚度为7～15mm，掩膜板长度为1200～1400mm，掩膜板宽度为850～1220mm，掩膜板重量为15～60kg，所述曲面凹陷深度为70～90μm。

5.如权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板的边缘厚度为10mm，掩膜板长度为1200mm，掩膜板宽度为850mm，掩膜板重量为22.5kg，所述曲面凹陷深度为80μm。

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