CN203415393U

CN203415393U - 非接触充电模块、非接触充电设备以及受电侧电子设备

Info

Publication number: CN203415393U
Application number: CN201190000973.5U
Authority: CN
Inventors: 小林直行; 西野德次; 田畑健一郎
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2011-02-01
Filing date: 2011-12-28
Publication date: 2014-01-29
Anticipated expiration: 2021-12-28
Also published as: US20130300360A1; WO2012104954A1; EP2631922A1; KR20130094845A; EP2631922A4; EP2631922B1; KR101326716B1; US8729855B2

Abstract

本实用新型提供能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化的非接触充电模块。该非接触充电模块包括：缠卷导线而成的平面线圈部(2)；隔着绝缘膜(4)载置平面线圈部(2)且具有导电性的磁性薄片(3)；以及从平面线圈部(2)的卷绕开始点延伸至磁性薄片(3)的端部的凹部(33)或狭缝(4)，平面线圈部(2)的导线将绝缘膜(4)压入到凹部(33)或狭缝(34)内且该导线被容纳在凹部(33)或狭缝(34)内，平面线圈部(2)的导线因绝缘膜(4)而与具有导电性的磁性薄片(3)绝缘。

Description

非接触充电模块、非接触充电设备以及受电侧电子设备

技术领域

本实用新型涉及包括缠卷导线而成的平面线圈部和磁性薄片的非接触充电模块和非接触充电设备。

背景技术

近年来，较多地利用了能够用充电器对主体设备进行非接触充电的技术。这种技术是，在充电器侧配置送电用线圈，在主体设备侧配置受电用线圈，并通过使两线圈间产生电磁感应而从充电器侧向主体设备侧传输电力的技术。而且，也提出了适用移动终端设备等作为上述主体设备的方案。

该移动终端设备等主体设备和充电器被要求薄型化和小型化。为了响应该要求，可以考虑：如专利文献1那样，具备作为送电用线圈或受电用线圈的平面线圈部；以及磁性薄片。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本特开2006-42519号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

然而，在专利文献1那样包括一根导线构成的平面线圈部和其整体为平面状的磁性薄片的非接触充电模块中，有可能线圈的卷绕开始处或卷绕结束处位于线圈的内侧。此时，线圈的缠卷部分和从线圈的卷绕开始部分或卷绕结束处至端子为止的部分会在厚度方向上重叠，这也有可能在使用了多个导线的情况下出现。其结果是，无法使非接触充电模块薄型化。

另外，磁性薄片中有导电性磁性薄片，此时导线和磁性薄片之间的绝缘很重要。

因此，鉴于上述问题，本实用新型的目的在于，在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

解决问题的方案

为了解决上述问题，本实用新型的非接触充电模块的特征在于，包括：缠卷导线而成的平面线圈部；隔着绝缘膜载置所述平面线圈部，并且具有导电性的磁性薄片；以及设于所述磁性薄片，从所述平面线圈部的卷绕开始点延伸至所述磁性薄片的端部的凹部或狭缝，所述平面线圈部的导线将所述绝缘膜压入到所述凹部或狭缝内且该导线被容纳在所述凹部或狭缝内，所述平面线圈部的导线因所述绝缘膜而与所述具有导电性的磁性薄片绝缘。

实用新型的效果

根据本实用新型，能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

附图说明

图1是本实用新型实施方式的非接触充电模块的组装图。

图2（a）、图2（b）、图2（c）以及图2（d）是本实用新型实施方式的非接触充电模块的示意图。

图3（a）、图3（b）、图3（c）以及图3（d）是本实用新型实施方式的非接触充电模块的磁性薄片的示意图。

图4（a）、图4（b）、图4（c）以及图4（d）是本实用新型实施方式的形成了凹部的磁性薄片和平面线圈部的图。

图5是本实用新型实施方式的形成有狭缝的磁性薄片和平面线圈部的放大剖视图。

图6（a）以及图6（b）是本实用新型实施方式的形成有狭缝的磁性薄片和平面线圈部的剖视图。

标号说明

1：非接触充电模块

2：平面线圈部

21：线圈

22、23：端子

24：脚部

3：磁性薄片

31：平坦部

32：中心部

33：凹部

34：狭缝(第一狭缝)

具体实施方式

本实用新型的第一方面是非接触充电模块，包括：缠卷导线而成的平面线圈部；隔着绝缘膜载置所述平面线圈部，并且具有导电性的磁性薄片；以及设于所述磁性薄片，从所述平面线圈部的卷绕开始点延伸至所述磁性薄片的端部的凹部或狭缝，所述平面线圈部的导线将所述绝缘膜压入到所述凹部或狭缝内且该导线被容纳在所述凹部或狭缝内，所述平面线圈部的导线因所述绝缘膜而与所述具有导电性的磁性薄片绝缘，该非接触充电模块能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

本实用新型的第二方面是如本实用新型第一方面所述的非接触充电模块，其中，所述凹部或狭缝的宽度为所述导线的线径的3倍以上，该非接触充电模块中，由于绝缘膜的伸缩性，导线可靠地被容纳在凹部内，因此能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

本实用新型的第三方面是如本实用新型第一方面所述的非接触充电模块，其中，所述导线的线径小于0.3mm，所述绝缘膜的厚度为5～20μm，该非接触充电模块中，由于绝缘膜的伸缩性，导线可靠地被容纳在凹部内，因此能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

本实用新型的第四方面是如本实用新型第一方面所述的非接触充电模块，其中，在所述绝缘膜的与所述凹部或狭缝相对的部分，具有比所述导线的线径小的贯穿孔，该非接触充电模块中，即使绝缘膜的伸缩性不够的情况下，由于绝缘膜的伸缩性，导线也可靠地被容纳在凹部内，因此能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

本实用新型的第五方面是如本实用新型第一方面所述的非接触充电模块，其中，所述绝缘膜的尺寸伸缩率为0.05%～0.1%，该非接触充电模块中，即使不形成孔等，由于绝缘膜的伸缩性，导线也被容纳在凹部内。因此，能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

本实用新型的第六方面是如本实用新型第一方面所述的非接触充电模块，其中，所述绝缘膜在与所述凹部或狭缝对应的位置具有裂缝，所述导线以所述绝缘膜介于所述导线和所述磁性薄片之间的方式被容纳在所述凹部或狭缝内，所述平面线圈部的导线因所述绝缘膜而与所述具有导电性的磁性薄片绝缘，该非接触充电模块中，即使使用比较粗的导线，也能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

本实用新型的第七方面是如本实用新型第六方面所述的非接触充电模块，其中，所述平面线圈部的导线的线径小于磁性薄片的厚度，所述磁性薄片的厚度为20～50μm，该非接触充电模块中，即使使用比较粗的导线，也能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

本实用新型的第八方面是如本实用新型第六方面所述的非接触充电模块，其中，所述凹部或狭缝的宽度为所述导线的线径的2倍以上，该非接触充电模块中，由于绝缘膜可靠的介于导线和磁性薄片之间，因此能够可靠地使导线和磁性薄片绝缘，并实现薄型化。

本实用新型的第九方面是如本实用新型第六方面所述的非接触充电模块，其中，所述凹部或狭缝的宽度为所述磁性薄片的厚度的2倍以上，该非接触充电模块中，由于绝缘膜可靠的介于导线和磁性薄片之间，因此能够可靠地使导线和磁性薄片绝缘，并实现薄型化。

本实用新型的第九方面是具备本实用新型第一方面所述的非接触充电模块的非接触充电设备，该非接触充电设备能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

本实用新型的第十一方面是具备本实用新型第一方面所述的非接触充电模块的电子设备，该电子设备能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

(实施方式)

以下，使用附图详细地说明本实用新型的实施方式。图1是本实用新型实施方式的非接触充电模块的组装图，图2是本实用新型实施方式的非接触充电模块的示意图，其中，(a)是俯视图，(b)是从图2(a)的A方向观察得到的剖视图，(c)和(d)是从图2(a)的B方向观察得到的剖视图。图3是本实用新型实施方式的非接触充电模块的磁性薄片的示意图，(a)是俯视图，(b)是从图3(a)的A方向观察得到的剖视图，(c) 和(d)是从图3(a)的B方向观察得到的剖视图。

本实用新型的非接触充电模块1具备：将导线缠卷成漩涡状而成的1次侧线圈2；以及与平面线圈部2的线圈21的面相对设置的磁性薄片3。

如图1所示，平面线圈部2具备：以在平面上描画漩涡的方式在径向缠卷导电体而成的线圈21；以及设置于线圈21的两端的端子22、23。线圈21是在平面上平行地缠卷导线而得到的，将由线圈形成的面称为线圈面。此外，厚度方向是指平面线圈部2与磁性薄片3的层叠方向。在本实施方式中，线圈21从直径为20mm的内径开始向外缠卷，外径为30mm。即，线圈21缠卷成环状。此外，线圈21也可以缠卷成圆形，还可以缠卷成多边形。在为多边形的情况下，可以将其拐角部弯成曲线状。

另外，通过以导线之间留出空间的方式缠卷导线，能够使上层导线和下层导线之间的杂散电容小，将线圈21的交流阻抗抑制为小。另外，通过将导线不留空间靠紧地进行缠卷，能够抑制线圈21的厚度。

另外，如图2所示，本实施方式中采用了截面呈圆形形状的导线，但也可以采用呈方形形状等的导线。但是，与截面呈方形形状的导线相比，采用圆形形状的导线时相邻的导线之间产生间隙，所以导线间的杂散电容小，能够将线圈21的交流阻抗抑制为小。

另外，比起将线圈21在厚度方向缠卷成2层，缠卷成1层则线圈21的交流阻抗低，能够提高传输效率。这是因为，若将导线缠卷成2层，则上层导线和下层导线之间产生杂散电容。因此，比起将线圈21整体缠卷成2层，将尽量多的部分缠卷成1层较适宜。另外，通过缠卷成1层，能够作为非接触充电模块1而薄型化。此外，由于线圈21的交流阻抗低，从而防止了线圈21中的损失且提高了L值，由此，能够提高依赖于L值的非接触充电模块1的电力传输效率。

另外，在本实施方式中，图1所示的线圈21内侧的内径x为10mm～20mm，外径约为30mm。内经x越小，能够在相同大小的非接触充电模块1中越增加线圈21的匝数，提高L值。

此外，端子22、23可以相互靠近，也可以分离配置，但是，分离配置则更容易安装非接触充电模块1。

磁性薄片3是为了提高利用了电磁感应作用的非接触充电的电力传输效率而设置的，如图2所示，其具备平坦部31、作为中心而相当于线圈21的内径的中心部32、以及凹部33。此外，如图3所示，中心部32并不一定需要形成为凸型。凹部33也可以是狭缝34，也并不一定需要凹部33或狭缝34。但是，如图2(c)、(d)所示，通过设置凹部33或狭缝34，能够将线圈21的从卷绕结束处至端子23为止的导线容纳在凹部33或狭缝34中，因此能够实现薄型化。也就是说，凹部33或狭缝34被形成为：与磁性薄片3的端部几乎垂直，且与中心部32的外周的切线重合。通过如此形成凹部33或狭缝34，能够不弯折导线来形成端子22、23。另外，此时，凹部33或狭缝34的长度约为15mm～20mm。但是，凹部33或狭缝34的长度依赖于线圈21的内径。另外，也可以将凹部33或狭缝34形成在磁性薄片3的端部和中心部32的外周最接近的部分。由此，能够将凹部33或狭缝34的形成面积抑制到最低限度，提高非接触充电模块1的传输效率。另外，此时，凹部33或狭缝34的长度约为5mm～10mm。无论采用哪一种配置，凹部33或狭缝34的内侧端部都与中心部32连接。此外，凹部33或狭缝34也可以采用其他配置。也就是说，线圈21优选采用1层结构，此时，可以考虑将线圈21的半径方向的所有线匝作为1层结构，或者将其一部分作为1层结构并将其他部分作为2层结构。因此，端子22、23的其中一方可以从线圈21的外周引出，但另一方必须从内侧引出。所以线圈21的缠卷部分和脚部24(参照图4)一定在厚度方向上重叠。于是，在该重叠部分设置凹部33或狭缝34，并将脚部24容纳到其中即可。另外，所谓脚部24是指，从线圈21的卷绕结束处至端子22或23为止的部分。若采用凹部33，则在磁性薄片3上不设置贯穿孔或狭缝，因此能够防止磁束泄漏，提高非接触充电模块1的输电效率。相对而言，采用狭缝34时，形成磁性薄片较为容易。采用凹部33时，并不限于如图4(c)所示的剖面形状呈方形的凹部33，剖面可以呈圆弧状，或者带有圆角。

另外，本实施方式中，作为磁性薄片3能够使用Ni-Zn系的铁氧体薄片、Mn-Zn系的铁氧体薄片、Mg-Zn系的铁氧体薄片等。相比于非金属铁氧体薄片，非晶金属薄片能够降低线圈21的交流阻抗。

如图3所示，磁性薄片3中至少层叠有高饱和磁束密度材料3a和高透磁率材料3b。另外，在不层叠高饱和磁束密度材料3a和高透磁率材料3b的情况下，也使用饱和磁束密度350mT以上、厚度至少有300μm的高饱和磁束密度材料3a为宜。

线圈21优选采用1层结构，此时，可以考虑使线圈的半径方向的所有线匝为1层结构，或者使其一部分为1层结构并使其他部分为2层结构。因此，端子22、23的其中一方可以从线圈21的外周引出，但另一方必须从内侧引出。所以线圈21的缠卷部分和脚部24一定在厚度方向上重叠。

因此，本实用新型在其重叠部分设置直线状的凹部33或狭缝34。特别是，与线圈21面的内周圆的圆周的切线平行，且从线圈面的卷绕开始点或卷绕结束点至磁性薄片3的端部以最短距离延伸的直线状的凹部33或狭缝34。另外，线圈21面的内周圆的圆周的切线是指，凹部33或狭缝34从线圈21面的内周圆的外周附近延伸，凹部33或狭缝34与线圈21面的内周圆的外周接近的部分的、内周圆的圆周的切线。通过如此形成直线部33b，能够在磁性薄片3上不弯折导线来形成端子22、23。也就是说，因为设置凹部33或狭缝34，并将导线嵌入到凹部33或狭缝34中，所以需要使导线在厚度方向上从平坦部31向凹部33或狭缝34弯曲。因此在将导线从平坦部31嵌入到凹部33或狭缝34的部分，在磁性薄片3上不弯折导线，因此能够维持导线的强度的情况下实现薄型化。另外，此时，直线部33b的长度约为15mm～20mm。另外，线圈21也可以缠卷成多边形，此时，优选将凹部33或狭缝34设置为：与线圈21面的内侧端部形成的空间的形状或其切线平行，且从线圈面的卷绕开始点或卷绕结束点至磁性薄片3的端部以最短距离延伸的直线状。

另外，也可以在磁性薄片3中，与线圈21面的内周圆的圆周的切线垂直，且从线圈面的卷绕开始点或卷绕结束点至磁性薄片3的端部以最短距离延伸的凹部33或狭缝34。由此，能够将凹部33或狭缝的形成面积抑制到最低限度，提高非接触充电模块1的传输效率。也就是说，通过设置凹部33或狭缝34，使磁性薄片3的一部分脱落或变薄。因此，有可能磁束从凹部33或狭缝34泄漏，使非接触充电模块的输电效率稍微降低。因此，通过将凹部33的形成面积抑制为最小限度而将磁束的泄漏抑制为最小限度，能够在维持非接触充电装置的输电效率的情况下，实现薄型化。另外，此时，直线部33b的长度约为5mm～10mm。另外，由于在中心部32的外周的切线上，以到磁性薄片3的端部的距离最短的方式设置，因此是与磁性薄片3的端部3a平行的形状。另外，线圈21也可以缠卷成多边形，此时，也可以与线圈21面的内侧端部形成的空间的形状或其切线垂直地、将凹部33或狭缝34设置为从线圈面的卷绕开始点或卷绕结束点至磁性薄片3的端部以最短距离延伸的直线状。另外，一般而言，线圈21从内侧向外侧平面状地缠卷，因此成为从卷绕开始点延伸至磁性薄片3的端部的凹部33或狭缝34。

另外，在图2和图3中，凹部33或狭缝34与方形的磁性薄片3的一方相对的一对端部的边平行，而与另一方相对的一对端部的边垂直。这是因为本实施方式的磁性薄片3是方形的缘故。然而，磁性薄片3的形状不限于方形，可以考虑圆形、多边性等各种形状。因此，例如通过使磁性薄片3的形状为多变形，并使凹部33或狭缝34与凹部33或狭缝34的端部碰上的边垂直，从而能够在易于利用的多边形的磁性薄片上，将凹部33或狭缝34的面积抑制为最小限度。特别是，通过使磁形薄片3的形状为方形，并使凹部33或狭缝34与磁性薄片3的一方相对的一对端部的边平行且与另一方相对的一对端部的边垂直，从而能够在最易于利用的方形的磁性薄片上，将凹部33或狭缝34的面积抑制为最小限度。

根据以上，将凹部33或狭缝34设于线圈21与脚部24重合的部分，在平坦部31上具备线圈21面。另外，可也将凹部33或狭缝34设置成稍长或稍短，但优选设置为，至少覆盖线圈21和脚部24重合的部分的80%以上。

另外，在图2和图3中，磁性薄片3约为33mm×33mm。图2(c)所示的中心部32的厚度d1为0.2mm。另外，磁性薄片3中，以图3(c)所示的d2即磁性薄片3的厚度为0.6mm、d3为0.15mm、d4为0.45mm的方式，设定高饱和磁束密度材料3a和高透磁率材料3b各自的厚度并进行层叠。

下面，说明磁性薄片3具有导电性的情况下的、磁性薄片3和平面线圈部2的绝缘。首选说明设置了凹部33的情况。另外，磁性薄片3具有导电性的情况下，无需磁性薄片3的所有部分都具有导电性，例如在图3(c)和图3(d)中，3a为导电性薄片，3b为非导电性薄片那样，也包括磁性薄片3的至少一部分是导电性的情况。

图4是本实用新型实施方式中的、形成了凹部的磁性薄片以及平面线圈部的图，图4(a)是磁性薄片的凹部的剖视图，图4(b)是粘结前的磁性薄片和绝缘膜的剖视图，图4(c)是粘结后的磁性薄片和绝缘膜的剖视图，图4(d)是绝缘膜和线圈的脚部的剖视图。另外，这些剖视图是图3(a)的凹部的C-C线处的剖视图。

本实施方式中，磁性薄片3具有导电性，因此凹部33的侧壁33a和底面33c也具有导电性。因此，导线及其脚部24都不可接触凹部33的侧壁33a和底面33c。于是，将绝缘膜4粘结在磁性薄片3的至少线圈21侧。然后，将平面线圈部2放在绝缘膜4上。此时，脚部24将与凹部33对应的绝缘膜4向下方推压，并容纳在凹部33内。由此，能够使脚部24接触线圈21而容纳在凹部33内。为了使平面线圈部2和磁性薄片3绝缘，绝缘膜4至少设置在磁性薄片3上的载置平面线圈部2的部分。优选构成为绝缘膜4覆盖磁性薄片3整个面，由此能够可靠地绝缘。为了不但粘结平面线圈部2和磁性薄片3而且使平面线圈部2和磁性薄片3绝缘，绝缘膜4必须介于平面线圈部2和磁性薄片3之间。

本实施方式中，可以考虑采用丙烯酸系或硅酮系粘合剂，以及PET(polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(polyehtylene naphthalate,聚萘二甲酸乙二醇酯)、丙烯酸树脂或聚酯树脂的基材。另外，优选的是，尺寸伸缩率为0.05%～0.1%。尺寸伸缩率可用(处理后的长度－处理前的长度／处理前的长度来表现，处理指的是，绝缘膜4被脚部24拉长。

另外，采用这样的方式时，导线的线径优选最大为0.3mm左右。

另外，为了排除凹部33和绝缘膜4之间的空气并提高绝缘膜4的收缩性，可以穿开微小的孔。穿开微小的孔时，孔的大小优选为200μm以上。另外，优选的是，开孔处靠近凹部33或狭缝34的中心侧端部，在狭缝长度的靠中心侧的1/2的范围内开孔为宜。

本实施方式中，狭缝的宽度Da1为1.34mm，磁性薄片3的厚度 Db1为0.6mm，导线的线径Dd1为0.25mm，凹部33的深度Dc1为0.3mm。此时，导线的线径Dd1(0.25mm)比磁性薄片3的厚度Db1小，因此在磁性薄片3中不设置狭缝34而设置了凹部33。通过不采用狭缝34而采用凹部33，在传输电力时，能够使磁场不容易从磁性薄片泄漏。这样，优选的是，若导线的线径Dd1小于磁性薄片3的厚度Db1的75%左右，则形成凹部33。更优选的是，导线的线径Dd1小于磁性薄片3的厚度Db1的50%。另外，狭缝的宽度Da1优选为导线的线径Dd1的3倍以上。通过使狭缝的宽度Da1为导线的线径Dd1的3倍以上，绝缘膜4能够使脚部24完全容纳到凹部33内。

这样，导线隔着绝缘膜4被容纳在第一狭缝34内。

这样的构造特别有用于作为接收侧的2次侧非接触充电模块。也就是说，在2次侧非接触充电模块中，在线圈内流过的电流的电压和电流的值比较小，因此导线采用线径0.25mm的细导线就足够。相对而言，2次侧非接触充电模块的壳体自身要求小型化，因此，与1次侧非接触充电模块相比，最接近平面线圈部2的金属和平面线圈部2之间的距离非常近。因此，为了充分防止受到金属的影响，与1次侧非接触充电模块相比，利用较厚的磁性薄片3。其结果，与1次侧非接触充电模块相比，导线的线径小、磁性薄片3的厚度厚，因此在磁性薄片3上形成凹部33的情况较多。采用凹部33时，将导线推压到凹部33内后，在导电性的导线的下方存在凹部33的底面33c。此外，为了设置狭缝41，绝缘膜4需要具有伸缩性，在本实施方式中设定为较薄即10μm，优选为5～20μm以下。

也就是说，具有：将导线缠卷成漩涡状而成的平面线圈部；隔着绝缘膜与线圈面相对设置的磁性薄片；以及设于磁性薄片的、从线圈面的卷绕开始点或卷绕结束点延伸至磁性薄片端部的凹部或狭缝，并且，磁性薄片的形成有凹部或狭缝的部分的至少一部分具有导电性，导线将绝缘膜压入到凹部或狭缝内且被容纳在所述凹部或狭缝内，因此，能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

另外，通过使凹部的宽度为导线线径的3倍以上，导线因绝缘膜的伸缩性而可靠地被容纳在凹部内，因此，能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

另外，通过使导线的线径小于0.3mm、绝缘膜的厚度为5～20μm，导线因绝缘膜的伸缩性而可靠地被容纳在凹部内，因此，能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

此外，在绝缘膜的与凹部或狭缝相对的部分，穿开比导线的线径小的贯穿孔，由此，即使绝缘膜的伸缩性不够的情况下，由于绝缘膜的伸缩性，导线也可靠地被容纳在凹部内，因此能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

下面，说明设置了狭缝34的情况。另外，采用狭缝34时，可以通过与上述的凹部33相同的方法进行绝缘，也可以通过以下说明的方法进行绝缘。此外，采用凹部33时也可以适用下面说明的方法，但优选采用上述的方法。

图5是本实用新型实施方式的形成有狭缝的磁性薄片和平面线圈部的放大剖视图。图6是本实用新型实施方式的形成有狭缝的磁性薄片和平面线圈部的剖视图，图6(a)是图3(a)的凹部为狭缝时的在C－C线的剖视图，图6(b)是图3(a)的凹部为狭缝时的在D－D线的剖视图。

本实施方式的非接触充电模块1具有：将导线缠卷成漩涡状而成的平面线圈部2；隔着绝缘膜4与线圈面21相对设置的磁性薄片3；以及设于磁性薄片3的、从所述线圈面的卷绕开始点或卷绕结束点延伸至磁性薄片3端部的第一狭缝34，而且，绝缘膜4中，在与第一狭缝34对应(相对)的位置上设置第二狭缝41(裂缝)，导线的脚部24隔着绝缘膜4被容纳在第一狭缝34内。另外，在本实施方式中，绝缘膜4分别设置在磁性薄片3的双面。因为第二狭缝41是裂缝，所以第一狭缝34比第二狭缝41粗。

也就是说，若磁性薄片3具有导电性，则磁性薄片3与导线导通，无法发挥作为非接触充电模块1的功能。因此，通过将绝缘膜4设置在平面线圈部2和磁性薄片3之间，能够使平面线圈部2和磁性薄片3绝缘。此时，狭缝34的侧壁34a也具有导电性，因此若导线与侧壁34a接触，则无法发挥作为非接触充电模块1的功能。因此，在绝缘膜4中，在与第一狭缝33对应(相对)的位置上设置第二狭缝41。另外，在图5中，绝缘膜4和导线之间具备粘合膜5，该粘合膜5可双面粘合，因此能够固定磁性薄片3和导线。

本实施方式中，狭缝的宽度Da2为1.34mm，磁性薄片3的厚度Db2为0.46mm，导线的线径Dc2为0.35mm，狭缝的宽度Da2(1.34mm)为磁性薄片3的厚度Db2(0.46mm)和导线的线径Dc2(0.35mm)的2倍以上。这是因为，侧壁34a的厚度就是磁性薄片3的厚度Db2(0.46mm)，在导线的左右两侧存在侧壁34a，因此绝缘膜4的被压入到狭缝34内的部分需要为两倍以上。另外，导线必须容纳在狭缝34内，因此优选的是，Da2≥2×Db2≥2×Da2。另外，狭缝的宽度Da1优选为导线的线径Dc1的3倍以上。

这样，导线隔着绝缘膜4被容纳在第一狭缝34内。

这样的构造特别有用于作为发送侧的1次侧非接触充电模块。也就是说，在1次侧非接触充电模块中，在线圈内流过的电流的电压和电流的值大，因此导线应采用线径0.35mm的粗导线。相对而言，1次侧非接触充电模块的壳体自身大，因此，与2次侧非接触充电模块相比，最接近平面线圈部2的金属和平面线圈部2之间的距离较大。因此，与2次侧非接触充电模块相比，利用较薄的磁性薄片3。其结果，与2次侧非接触充电模块相比，导线的线径大、磁性薄片3的厚度薄，因此在磁性薄片3上形成狭缝34的情况较多。相对于形成凹部的情况，在形成狭缝34时，即使将导线压入到狭缝34内，在导线的下方也不存在磁性薄片3的底面(本实施方式的情况下，粘结了与形成有狭缝41的绝缘膜4不同的绝缘膜4。此外，由于设置狭缝41，绝缘膜4无需具有伸缩性，因此在本实施方式中设定为较厚即30μm，优选设定为20～50μm，以免在形成狭缝时强度下降。此外，绝缘膜4优选采用丙烯酸系或硅酮系粘合剂，以及PET、PEN、丙烯酸树脂或聚酯树脂的基材。导线的线径比磁性薄片的厚度小。

如上所述，具有：将导线缠卷成漩涡状而成的平面线圈部；隔着绝缘膜与线圈面相对设置的磁性薄片；以及设于磁性薄片的、从线圈面的卷绕开始点或卷绕结束点延伸至磁性薄片端部的第一狭缝，并且，磁性薄片的形成有第一狭缝的部分的至少一部分具有导电性，绝缘膜的与第一狭缝对应的位置上设置第二狭缝，导线隔着绝缘膜被容纳在第一狭缝内，因此，能够在可靠地使导线和磁性薄片绝缘的状态下，实现薄型化。

另外，通过使狭缝34的宽度为导线的线径的2倍以上，绝缘膜可靠地介于导线和磁性薄片之间，因此，能够可靠地使导线和磁性薄片绝缘，实现薄型化。

另外，通过使狭缝34的宽度为磁性薄片的厚度的2倍以上，绝缘膜可靠地介于导线和磁性薄片之间，因此，能够可靠地使导线和磁性薄片绝缘，实现薄型化。

另外，导线的线径小于磁性薄片的厚度，且绝缘膜的厚度为20～50μm，因此绝缘膜可靠地介于导线和磁性薄片之间，因此，能够可靠地使导线和磁性薄片绝缘，实现薄型化。

此外，不限定于将线圈21缠卷成环状，有时也缠卷成方形或多边形。进而，例如内侧设为3层结构，外侧设为2层结构那样，通过以重叠多层的方式缠卷内侧，并以少于内侧所缠卷的层数缠卷外侧，也能够获得本申请的效果。

下面，说明具备本实用新型的非接触充电模块1的非接触充电设备。非接触输电设备由充电器和主体设备构成，充电器包括送电用线圈和磁性薄片，主体设备包括受电用线圈和磁性薄片，主体设备是移动电话等电子设备。充电器侧的电路包括整流平滑电路部、电压转换电路部、振荡电路部、显示电路部、控制电路部和上述送电用线圈。另外，主体设备侧的电路包括上述受电用线圈、整流电路部、控制电路部以及主要由二次电池构成的负荷L。

利用1次侧充电器的送电用线圈和2次侧主体设备的受电用线圈之间的电磁感应作用，进行从该充电器向主体设备的输电。

本实施方式的非接触充电设备具备在上面说明的非接触充电模块，因此在充分确保平面线圈部的截面面积而提高输电效率的状态下，能够使非接触充电设备小型化以及薄型化。

2011年2月1日提交的日本专利申请特愿2011-019481号、以及2011年2月1日提交的日本专利申请特愿2011-019482号所包含的说明书、说明书附图和摘要的公开内容全部引用于本申请。

工业实用性

根据本实用新型的非接触充电模块，能够在充分确保平面线圈部的截面面积的状态下，使非接触充电模块薄型化，因此作为移动电话、便携式计算机等移动终端和摄象机等便携式设备等各种电子设备的非接触充电模块极其有用。

Claims

1.非接触充电模块，包括

缠卷导线而成的平面线圈部；

隔着绝缘膜载置所述平面线圈部，并且具有导电性的磁性薄片；以及

设于所述磁性薄片，从所述平面线圈部的卷绕开始点延伸至所述磁性薄片的端部的凹部或狭缝，

所述平面线圈部的导线将所述绝缘膜压入到所述凹部或狭缝内且该导线被容纳在所述凹部或狭缝内，

所述平面线圈部的导线因所述绝缘膜而与所述具有导电性的磁性薄片绝缘。

2.如权利要求1所述的非接触充电模块，

所述凹部或狭缝的宽度为所述导线的线径的3倍以上。

3.如权利要求1所述的非接触充电模块，

所述导线的线径小于0.3mm，所述绝缘膜的厚度为5～20mm。

4.如权利要求1所述的非接触充电模块，

在所述绝缘膜的与所述凹部或狭缝相对的部分，开有比所述导线的线径小的贯穿孔。

5.如权利要求1所述的非接触充电模块，

所述绝缘膜的尺寸伸缩率为0.05%～0.1%。

6.如权利要求1所述的非接触充电模块，

所述绝缘膜在与所述凹部或狭缝对应的位置具有裂缝，

所述导线以所述绝缘膜介于所述导线和所述磁性薄片之间的方式被容纳在所述凹部或狭缝内，

7.如权利要求6所述的非接触充电模块，

所述平面线圈部的导线的线径小于磁性薄片的厚度，所述磁性薄片的厚度为20～50μm。

8.如权利要求6所述的非接触充电模块，

所述凹部或狭缝的宽度为所述导线的线径的2倍以上。

9.如权利要求6所述的非接触充电模块，

所述凹部或狭缝的宽度为所述磁性薄片的厚度的2倍以上。

10.非接触充电设备，具备权利要求1所述的非接触充电模块。

11.电子设备，具备权利要求1所述的非接触充电模块。