CN203351630U - 一种新型的异质结太阳能电池 - Google Patents
一种新型的异质结太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203351630U CN203351630U CN2013204389448U CN201320438944U CN203351630U CN 203351630 U CN203351630 U CN 203351630U CN 2013204389448 U CN2013204389448 U CN 2013204389448U CN 201320438944 U CN201320438944 U CN 201320438944U CN 203351630 U CN203351630 U CN 203351630U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- type
- gap layer
- wide band
- band gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn - After Issue
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Abstract
本实用新型公开了一种新型的异质结太阳能电池,其中,超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层,该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层,每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上,最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上;浅掺杂P型层沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上;超晶格结构N型层包括至少两层沉积在一起的N型复合层,该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层,每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上,最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上。本实用新型不仅能够提高电池的开路电压和填充因子,从而提高转换效率,而且能够有效地降低成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种新型的异质结太阳能电池,属于薄膜太阳能电池技术领域。
背景技术
目前,异质结太阳能电池以其高效,较简单的制备工艺、温度系数小等特点而越来越引起人们的关注。比较典型的就是日本三洋的HIT电池。其最新的报道结果显示在100cm2面积的电池上最高效率为24.7%,开路电压750mV,填充因子为83.2%,短路电流密度39.5mA/cm2。这么高的效率,尤其是高开压,是由HIT电池的能带结构决定的。但是其不足之处就是成本较高,高成本来自于较厚的N型晶硅衬底和昂贵的制造设备。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种新型的异质结太阳能电池,它不仅能够提高电池的开路电压和填充因子,从而提高转换效率,而且能够有效地降低成本。
为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:一种新型的异质结太阳能电池,它包括P型单晶硅衬底、欧姆接触层、超晶格结构P+层、浅掺杂P型层、钝化层、超晶格结构N型层、透明导电膜层和电极层,P型单晶硅衬底具有一正面和一背面;欧姆接触层位于P型单晶硅衬底的背面上;超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层,该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层,P+窄禁带层的禁带宽度Eg1<1.2eV,P+宽禁带层的禁带宽度Eg2>1.5eV,并且每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上,最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上;浅掺杂P型层沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上;钝化层沉积在浅掺杂P型层的上表面上;超晶格结构N型层包括至少两层沉积在一起的N型复合层,该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层,N型窄禁带层的禁带宽度Eg3<1.2eV,N型宽禁带层的禁带宽度Eg4>1.5eV,并且每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上,最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上;透明导电膜层沉积在最上层N型复合层的N型窄禁带层的上表面上;电极层位于透明导电膜层的上表面上。
进一步,所述的P+窄禁带层由a-SixGe1-x:H材料或微晶硅薄膜制成。
进一步,所述的P+宽禁带层由a-SixC1-x:H或a-SixN1-x:H材料制成。
进一步,所述的N型宽禁带层由a-Si薄膜或a-SixC1-x:H或a-SixN1-x:H材料制成。
进一步,所述的N型窄禁带层由a-SixGe1-x:H材料或微晶硅薄膜制成。
进一步,所述的钝化层为本征a-Si薄膜或SiOx薄膜,并且钝化层的厚度为5nm~10nm,所述的浅掺杂P型层的厚度为5μm~20μm。
进一步,所述的P+窄禁带层的厚度为1nm-20nm。
进一步,所述的P+宽禁带层的厚度为1nm-20nm。
进一步,所述的N型宽禁带层的厚度为1nm-20nm。
更进一步,N型窄禁带层的厚度为1nm-20nm。
采用了上述技术方案后,采用P型单晶硅片作为衬底,通过结构上的设计改进,使得电池的基区不再是像HIT电池结构中那样将较厚的硅片作为基区,而是采用几十μm厚度的掺杂层作为基区,因此可以有效的降低成本,利于实现产业化。同时在结构上,通过形成超晶格结构,来进一步提高电池的开路电压和填充因子,从而提高转换效率,超晶格结构P+层和超晶格结构N型层的作用:从能带图来看,超晶格结构的形成可以提高电池的导带补偿ΔEc和价带补偿ΔEv值,有利于光生载流子的收集,因而可以提高开路电压,同时,由于量子效应的限制,在窄禁带半导体材料处会产生mini-band,会增加载流子的隧穿几率,相当于提高了材料的掺杂浓度,因此还可以同时提高填充因子和开路电压。
附图说明
图1为本实用新型的新型的异质结太阳能电池的结构示意图;
图2为本实用新型的新型的异质结太阳能电池的制备流程图。
具体实施方式
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,
如图1所示,一种新型的异质结太阳能电池,它包括P型单晶硅衬底、欧姆接触层、超晶格结构P+层、浅掺杂P型层、钝化层、超晶格结构N型层、透明导电膜层和电极层,P型单晶硅衬底具有一正面和一背面;欧姆接触层位于P型单晶硅衬底的背面上;超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层,该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层,P+窄禁带层的禁带宽度Eg1<1.2eV,P+宽禁带层的禁带宽度Eg2>1.5eV,并且每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上,最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上;浅掺杂P型层沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上;钝化层沉积在浅掺杂P型层的上表面上;超晶格结构N型层包括至少两层沉积在一起的N型复合层,该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层,N型窄禁带层的禁带宽度Eg3<1.2eV,N型宽禁带层的禁带宽度Eg4>1.5eV,并且每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上,最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上;透明导电膜层沉积在最上层N型复合层的N型窄禁带层的上表面上;电极层位于透明导电膜层的上表面上。
图1中,P+复合层为两层,N型复合层为两层,但不限于此。
P+窄禁带层可以选用由a-SixGe1-x:H材料或微晶硅薄膜制成。
P+宽禁带层可以选用由a-SixC1-x:H或a-SixN1-x:H材料制成。
N型宽禁带层可以选用由a-Si薄膜或a-SixC1-x:H或a-SixN1-x:H材料制成。
N型窄禁带层可以选用由a-SixGe1-x:H材料或微晶硅薄膜制成。
钝化层可以选用本征a-Si薄膜或SiOx薄膜,并且钝化层的厚度控制在5nm~10nm,浅掺杂P型层的厚度控制在5μm~20μm。
P+窄禁带层的厚度控制在1nm-20nm。
P+宽禁带层的厚度控制在1nm-20nm。
N型宽禁带层的厚度控制在1nm-20nm。
N型窄禁带层的厚度控制在1nm-20nm。
透明导电膜层选用TCO透明导电薄膜。
电极层选用银栅极。
本实用新型的新型的异质结太阳能电池的制备流程如下:
如图2所示,本实用新型选用普通P型单晶硅片作为衬底,在P型单晶硅衬底的正面首先采用化学气相沉积方法(CVD)形成一层重掺杂的P+窄禁带层,禁带宽度Eg<1.2eV,材料可以是a-SixGe1-x:H或者微晶硅薄膜,厚度为1nm-20nm,接着再沉积一层重掺杂的P+宽禁带层,仍采用CVD方法,禁带宽度Eg>1.5eV,材料可以是a-SixC1-x:H或a-SixN1-x:H,厚度1nm-20nm,然后重复上面的P+窄禁带层,P+宽禁带层,P+窄禁带层,P+宽禁带层……,从而形成一个超晶格结构P+层,重复次数m≥1,这个超晶格结构P+层在电池结构中起到了一个背场BSF和势垒的作用,从而有效减少光生载流子的复合,接着,仍采用CVD法沉积一层浅掺杂P型层,厚度控制在5μm~20μm,作为电池的基区,接着在P型单晶硅衬底的背面印刷Al浆,然后500℃烧结形成欧姆接触层,然后在最上层的P+宽禁带层上面采用PECVD法生长一层钝化层,材料可以是本征a-Si薄膜或者SiOx薄膜,厚度控制在5nm-10nm,接着采用PECVD法沉积一层N型宽禁带层,Eg>1.5eV,材料可以是a-Si薄膜或a-SixC1-x:H或a-SixN1-x:H,厚度控制在1nm-20nm,然后沉积一层N型窄禁带层,Eg<1.2eV,材料可以是a-SixGe1-x:H或微晶硅薄膜,厚度1nm-20nm,然后重复上面的N型宽禁带层,N型窄禁带层,N型宽禁带层,N型窄禁带层……,从而形成一个超晶格结构N型层,重复次数n≥1,最后用磁控溅射等方法沉积TCO透明导电薄膜,形成透明导电膜层,再丝印Ag浆,200℃烧结,形成电极层,最终形成一个完整的电池器件。
本实用新型的工作原理如下:
采用P型单晶硅片作为衬底,通过结构上的设计改进,使得电池的基区不再是像HIT电池结构中那样将较厚的硅片作为基区,而是采用几十μm厚度的掺杂层作为基区,因此可以有效的降低成本,利于实现产业化。同时在结构上,通过形成超晶格结构,来进一步提高电池的开路电压和填充因子,从而提高转换效率,超晶格结构P+层和超晶格结构N型层的作用:从能带图来看,超晶格结构的形成可以提高电池的导带补偿ΔEc和价带补偿ΔEv值,有利于光生载流子的收集,因而可以提高开路电压,同时,由于量子效应的限制,在窄禁带半导体材料处会产生mini-band,会增加载流子的隧穿几率,相当于提高了材料的掺杂浓度,因此还可以同时提高填充因子和开路电压。
以上所述的具体实施例,对本实用新型解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1. 一种新型的异质结太阳能电池,其特征在于,它包括:
一P型单晶硅衬底,其具有一正面和一背面;
一欧姆接触层,位于P型单晶硅衬底的背面上;
一超晶格结构P+层,包括至少两层沉积在一起的P+复合层,该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层,P+窄禁带层的禁带宽度Eg1<1.2eV,P+宽禁带层的禁带宽度Eg2>1.5eV,并且每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上,最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上;
一浅掺杂P型层,其沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上;
一钝化层,其沉积在浅掺杂P型层的上表面上;
一超晶格结构N型层,包括至少两层沉积在一起的N型复合层,该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层,N型窄禁带层的禁带宽度Eg3<1.2eV,N型宽禁带层的禁带宽度Eg4>1.5eV,并且每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上,最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上;
一透明导电膜层,其沉积在最上层N型复合层的N型窄禁带层的上表面上;
一电极层,其位于透明导电膜层的上表面上。
2.根据权利要求1所述的一种新型的异质结太阳能电池,其特征在于:所述的P+窄禁带层由a-SixGe1-x:H材料或微晶硅薄膜制成。
3.根据权利要求1所述的一种新型的异质结太阳能电池,其特征在于:所述的P+宽禁带层由a-SixC1-x:H或a-SixN1-x:H材料制成。
4.根据权利要求1所述的一种新型的异质结太阳能电池,其特征在于:所述的N型宽禁带层由a-Si薄膜或a-SixC1-x:H或a-SixN1-x:H材料制成。
5.根据权利要求1所述的一种新型的异质结太阳能电池,其特征在于:所述的N型窄禁带层由a-SixGe1-x:H材料或微晶硅薄膜制成。
6.根据权利要求1所述的一种新型的异质结太阳能电池,其特征在于:所述的钝化层为本征a-Si薄膜或SiOx薄膜,并且钝化层的厚度为5nm~10nm,所述的浅掺杂P型层的厚度为5μm~20μm。
7.根据权利要求1或2所述的一种新型的异质结太阳能电池,其特征在于:所述的P+窄禁带层的厚度为1nm-20nm。
8.根据权利要求1或3所述的一种新型的异质结太阳能电池,其特征在于:所述的P+宽禁带层的厚度为1nm-20nm。
9.根据权利要求1或4所述的一种新型的异质结太阳能电池,其特征在于:所述的N型宽禁带层的厚度为1nm-20nm。
10.根据权利要求1或5所述的一种新型的异质结太阳能电池,其特征在于:N型窄禁带层的厚度为1nm-20nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013204389448U CN203351630U (zh) | 2013-07-23 | 2013-07-23 | 一种新型的异质结太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013204389448U CN203351630U (zh) | 2013-07-23 | 2013-07-23 | 一种新型的异质结太阳能电池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN203351630U true CN203351630U (zh) | 2013-12-18 |
Family
ID=49751488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2013204389448U Withdrawn - After Issue CN203351630U (zh) | 2013-07-23 | 2013-07-23 | 一种新型的异质结太阳能电池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN203351630U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103346192A (zh) * | 2013-07-23 | 2013-10-09 | 常州天合光能有限公司 | 一种新型的异质结太阳能电池 |
-
2013
- 2013-07-23 CN CN2013204389448U patent/CN203351630U/zh not_active Withdrawn - After Issue
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103346192A (zh) * | 2013-07-23 | 2013-10-09 | 常州天合光能有限公司 | 一种新型的异质结太阳能电池 |
CN103346192B (zh) * | 2013-07-23 | 2015-09-09 | 常州天合光能有限公司 | 一种新型的异质结太阳能电池 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107564989A (zh) | 一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池中隧穿结的结构设计 | |
CN101872793B (zh) | 叠层太阳能电池及其制造方法 | |
CN106129146B (zh) | 一种以黑磷烯作为导电材料的硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
CN102569478A (zh) | 薄膜非晶硅-n型晶体硅异质结叠层太阳能电池 | |
CN103426943B (zh) | 一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池叠层结构及其制备方法 | |
CN102683468A (zh) | 一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构 | |
CN102938429A (zh) | 一种减反射异质结太阳能电池及其制备方法 | |
CN103219413A (zh) | 一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法 | |
CN103985778B (zh) | 具有选择性发射极的异质结太阳能电池及其制备方法 | |
CN102157572A (zh) | 晶体硅太阳能电池 | |
CN101393942B (zh) | 多晶硅-碳化硅叠层薄膜太阳能电池 | |
CN103730532A (zh) | 掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池 | |
CN103227228B (zh) | P型硅衬底异质结电池 | |
CN203351630U (zh) | 一种新型的异质结太阳能电池 | |
CN106449815A (zh) | 基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件的制备方法 | |
CN217719655U (zh) | 一种钙钛矿/晶体硅叠层电池结构 | |
KR20110077862A (ko) | 이종 접합 태양전지 및 그 제조방법 | |
CN203850312U (zh) | 具有选择性发射极的异质结太阳能电池 | |
CN103346192B (zh) | 一种新型的异质结太阳能电池 | |
CN203871345U (zh) | 掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池 | |
CN203351631U (zh) | N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件 | |
CN101908569B (zh) | 一种太阳能电池 | |
CN206878022U (zh) | 一种多晶硅薄膜太阳能电池 | |
CN101901847B (zh) | 一种薄膜太阳能电池 | |
CN106409961B (zh) | 一种n-Si/CdSSe叠层太阳电池及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20131218 Effective date of abandoning: 20150909 |
|
RGAV | Abandon patent right to avoid regrant |