CN203253760U - 挤压冲头表面硬化渗镀层 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种应用于金属内腔挤压成型模具之中的挤压冲头表面硬化渗镀层,包括一冲头基体,该冲头基体表面覆盖一层采用离子渗金属形成的硬化层。该硬化层有效地提高了挤压冲头的耐高温、高压和耐磨性能,而且在硬化层磨损后还可以进行渗镀,有效地减少了材料的浪费,降低了生产成本。

Description

挤压冲头表面硬化渗镀层
技术领域
本实用新型涉及一种机械加工设备领域,尤其是一种应用于金属内腔挤压成型模具中的挤压冲头表面硬化渗镀层。
背景技术
在金属内腔挤压成型工艺中,挤压冲头对金属内腔中的金属进行挤压,形成与金属内腔形状相同的零件,使金属产品的内部结构和表面质量更加完美。由于挤压工艺中,挤压冲头的工作环境温度高、压力大,因此对挤压冲头质量要求高,需要挤压冲头能够耐高温、高压而且要求挤压冲头耐磨。因此表面具有高强度、高耐磨材料的挤压冲头是解决上述问题的关键。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型的目的是要提供一种在挤压冲头表面形成耐高温、高压的渗镀层。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
一种挤压冲头表面硬化渗镀层,包括一冲头基体,所述冲头基体设有一层表面硬化渗镀层,所述表面硬化渗镀层是采用离子渗金属镀成;所述硬化渗镀层:优选的为碳化钛;
优选的碳化钨;
优选的二硅化钼碳化钨。
所述挤压冲头侧面的端部还设有若干与竖直方向呈10°夹角的凸棱。
进一步,所述凸棱为沿圆周方向均匀设置,并且平均分为两部分:在180°范围内的凸棱向左倾斜,与竖直方向呈正10°夹角;在另外的180°范围内的凸棱向右倾斜,与竖直方向呈负的10°夹角。
相对于现有技术,本实用新型所述的挤压冲头通过离子渗金属技术在冲头基体表面形成一层硬化层,不仅有效地提高了挤压冲头的耐高温、高压和耐磨的性能,提高了挤压冲头的使用率和使用寿命,降低了材料的浪费。
为了充分地了解本实用新型的目的、特征和效果,以下将结合附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明。
附图说明
图1是本实用新型立体结构示意图;
图2是本实用新型的正面视图;
图中:
1-冲头基体;11-硬化层;12-凸台;13-凸棱。
具体实施方式
如图1和图2所示,一种挤压冲头表面硬化渗镀层,包括一冲头基体1,该冲头基体1的外表覆盖了一层采用离子渗金属形成的硬化层11。
离子渗金属技术是一种新型表面防护和表面强化工艺,在金属表面工程领域中得到广泛的应用。其主要利用金属离子在阴极发射桶内,利用离子在电场力的作用下渗注到冲头基体1表面上。喷射的微小颗粒撞击到冲头基体1的表面后,产生塑性变形,形成片状层叠沉积的硬化层11。新产生的硬化层11与冲头基体1的表面结合能力很强,完全可以达到二次挤压冲头的使用要求。为了进一步提高冲头基体1的耐高温和耐磨性能,该冲头基体1还可以采用合金模具钢制作。
请参阅图1,该挤压冲头侧面的上端部还设有若干与竖直方向呈10°的凸棱13,为了提高挤压冲头的挤压性能,该凸棱13为沿圆周方向均匀设置,并且平均分为两部分:在180°范围内的凸棱13向左倾斜,与竖直方向呈正10°夹角;在另外的180°范围内的凸棱13向右倾斜,与竖直方向呈负的10°夹角。该挤压冲头的顶面还设有一凸台12.方便进行挤压冲头进行挤压工作。
本实用新型所述的挤压冲头通过离子渗金属表面硬化技术在冲头基体1表面形成一层硬化层11,不仅有效地提高了挤压冲头的耐高温、高压和耐磨的性能,而且在该硬化层磨损后还可以重新喷涂一层新的硬化层,提高了挤压冲头的使用率和使用寿命,降低了材料的浪费。
以上详细描述了本实用新型的较佳具体实施例,应当理解,本领域的普通技术无需创造性劳动就可以根据本实用新型的构思做出诸多修改和变化。因此,凡本技术领域中技术人员依本实用新型构思在现有技术基础上通过逻辑分析、推理或者根据有限的实验可以得到的技术方案,均应该在由本权利要求书所确定的保护范围之中。

Claims (6)

1.一种挤压冲头表面硬化渗镀层,所述表面硬化渗镀层是采用离子渗金属镀成,包括一冲头基体,其特征在于,所述冲头基体设有一层表面硬化渗镀层。
2.如权利要求1所述的一种挤压冲头表面硬化渗镀层,其特征在于,所述硬化渗镀层优选的碳化钛。
3.如权利要求2所述的一种挤压冲头表面硬化渗镀层,其特征在于,所述硬化渗镀层优选的碳化钨,所述挤压冲头侧面的端部还设有若干与竖直方向呈10°夹角的凸棱。
4.如权利要求3所述的一种挤压冲头表面硬化渗镀层,其特征在于,所述硬化渗镀层优选的为二硅化钼碳化钨。
5.如权利要求1所述的一种挤压冲头表面硬化渗镀层,其特征在于,所述挤压冲头侧面的端部还设有若干与竖直方向呈10°夹角的凸棱。
6.如权利要求5所述的一种挤压冲头表面硬化渗镀层,其特征在于,所述凸台没于所述挤压冲头的顶面。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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