CN203046011U - 一种八英寸硅单晶硅片多线切割机 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种八英寸硅单晶硅片多线切割机，包括导轨丝杠、工作台、砂浆喷嘴、槽轮和接片槽；所述导轨丝杠设于工作台上，所述导轨丝杠与工作台间从上到下依次设有工作台铁垫和绝缘垫，所述工作台配有砂浆喷嘴，所述砂浆喷嘴下设有接片槽，所述接片槽的两侧设有槽轮，所述槽轮上部布有线网，所述工作台的下表面的中间位置设有一倒梯型内凹槽，用于夹持工件。本实用新型的有益效果是可以满足大直径硅片生产的需求，并使其具备更高的加工能力，达到节约成本，提高效率的目的。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体技术领域，尤其是涉及一种八英寸硅单晶硅片多线切割机。
背景技术
经过几十年的快速发展，半导体单晶硅的切割由最初的内（外）圆切割技术发展为目前普遍采用的多线切割技术，在成本降低以及产品质量提高方面都取得极大的进步。
作为半导体硅材料加工的关键技术-多线切割技术近年来得到飞速发展，随着大直径单晶硅的批量生产，满足大直径硅片切割技术成为迫切解决的技术难题。日本进口MWM442DM多线切割机广泛用于对硅单晶硅片的加工，其切割精度和切割效率都较高，但无法完成对八英寸硅单晶硅片的加工。
另外，在加工8英寸单晶硅片，配合适当的切割工艺可获得更好的硅片参数：TTV≤15um、warp≤30um，硅片的warp、BOW等几何参数是在单晶硅切割过程中产生，后续无法进行改良，如果硅片warp得不到满足，将会带来非常大的经济损失，整颗NTD、气掺单晶硅将会报废。
发明内容
本实用新型要解决的问题是提供一种八英寸硅单晶硅片多线切割机。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种八英寸硅单晶硅片多线切割机，包括导轨丝杠、工作台、砂浆喷嘴、槽轮和接片槽；所述导轨丝杠设于工作台上，所述导轨丝杠与工作台间从上到下依次设有工作台铁垫和绝缘垫，所述工作台配有砂浆喷嘴，所述砂浆喷嘴下设有接片槽，所述接片槽的两侧设有槽轮，所述槽轮上部布有线网，所述工作台的下表面的中间位置设有一倒梯型内凹槽，用于夹持工件。
所述砂浆喷嘴由两根水平管和九根下砂管组成，所述第一水平管下表面与第一至五根所述下砂管的上端垂直相交，所述第一至五根下砂管的下端又与第二水平管的上表面相交，所述第二水平管长于第一水平管，所述第二水平管的下表面与第六至九根所述下砂管垂直相交，所述第六至九根下砂管平均分为两组，每组均位于所述第二水平管的两端，两两下砂管间平行。
进一步，所述槽轮直径为250±5mm。
所述接片槽深230±5mm。
本实用新型具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，对现有技术关键部位进行巧妙改造，完全可以满足大直径硅片生产的需求，并使其具备更高的加工能力，达到节约成本，提高效率的目的。
附图说明
图1是本实用新型的主视结构示意图
图2是本实用新型工作台的结构示意图
图3是本实用新型砂浆喷嘴的俯视结构示意图
图中：
1、导轨丝杠 2、线网 3、工作台铁垫
4、绝缘垫 5、工作台 6、砂浆喷嘴
7、槽轮 8、接片槽 9、水平管
10、水平管 11、下砂管 12、下砂管
13、倒梯型内凹槽
具体实施方式
实施例1
如图1所示，本实用新型包括导轨丝杠1、工作台5、砂浆喷嘴6、槽轮7和接片槽8；导轨丝杠1设于工作台5上，导轨丝杠1与工作台5间从上到下依次设有工作台铁垫3和绝缘垫4，工作台5配有砂浆喷嘴6，砂浆喷 嘴6下设有接片槽8，接片槽8深230±5mm；接片槽8的两侧设有槽轮7，槽轮7直径为250±5mm。
如图1、2所示，槽轮7上部布有线网2，工作台5的下表面的中间位置设有一倒梯型内凹槽13，用于夹持工件。
如图3所示，砂浆喷嘴6由两根水平管9、10和九根下砂管11、12组成，水平管9下表面与第一至五根下砂管12的上端垂直相交，第一至五根下砂管12的下端又与水平管10的上表面相交，水平管10长于水平管9，水平管10的下表面与第六至九根下砂管11垂直相交，第六至九根下砂管11平均分为两组，每组均位于水平管10的两端，两两下砂管11、12间平行。
本实例的工作过程：根据单晶硅长度，输入八英寸单晶硅切割工艺，将预先准备好的料板和单晶硅安放在工作台5的内凹槽中，放入夹紧横梁用8mm内六角扳手将单晶硅底座与工作台5夹紧，按照供线侧线网2张力28N，回收侧线网2张力为26N在槽轮7上绕上0.14mm直径的钢线，向下移动单晶硅使单晶硅接触到线网2，设定切割起始位置，然后将单晶硅提升1mm，然后在砂浆搅拌桶中放入按照质量比=1：0.95的SiC（碳化硅）和聚乙二醇切削液，设置砂浆喷嘴6的砂浆流量为60L/min，切速设置为0.4mm/min；线网2运转速度设置为800m/min；预热30分钟后，打开机舱，确认线网2有无跳线，工作台5夹持机构是否松动；未发现异常启动设备，按照切割工艺进行加工，切削液流经砂浆喷嘴6的水平管9、10及下砂管11、12，从第六至九根下砂管11管口喷至所述线网2上，单晶硅下降，轮槽7带动线网2开始转动，开始切割；切割完成以后，确认切割位置是否将单晶硅完全切透，将工作台5上升至原点，卸下单晶硅片，进行去胶清洗。
检测结果：
使用ADE7200硅片自动检测仪器检测硅片表面粗糙度Ra≤10um，Rz≤0.5um，TTV≤15um，WARP≤35um，满足SEMI标准。
以上对本实用新型的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。
Claims (3)
1.一种八英寸硅单晶硅片多线切割机，包括导轨丝杠、工作台、砂浆喷嘴、槽轮和接片槽；所述导轨丝杠设于工作台上，所述导轨丝杠与工作台间从上到下依次设有工作台铁垫和绝缘垫，所述工作台配有砂浆喷嘴，所述砂浆喷嘴下设有接片槽，所述接片槽的两侧设有槽轮，所述槽轮上布有线网，其特征在于：所述工作台的下表面的中间位置设有一倒梯型内凹槽，用于夹持工件；所述砂浆喷嘴由两根水平管和九根下砂管组成，所述第一水平管下表面与第一至五根所述下砂管的上端垂直相交，所述第一至五根下砂管的下端又与第二水平管的上表面相交，所述第二水平管长于第一水平管，所述第二水平管的下表面与第六至九根所述下砂管垂直相交，所述第六至九根下砂管平均分为两组，每组均位于所述第二水平管的两端，两两下砂管间平行。
2.根据权利要求1所述的多线切割机，其特征在于：所述槽轮直径为250±5mm。
3.根据权利要求1所述的多线切割机，其特征在于：所述接片槽深230±5mm。
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| CN 201220640903 CN203046011U (zh) | 2012-11-28 | 2012-11-28 | 一种八英寸硅单晶硅片多线切割机 |
Publications (1)
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102990792A (zh) * | 2012-11-28 | 2013-03-27 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种八英寸硅单晶硅片多线切割机及其切割方法 |
| CN107030908A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-08-11 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种八英寸半导体硅片细线细砂化切割工艺 |
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2012
- 2012-11-28 CN CN 201220640903 patent/CN203046011U/zh not_active Expired - Lifetime
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