CN202948932U - 一种沟槽型igbt版图结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种沟槽型IGBT版图结构，属于半导体功率器件的技术领域。该结构包括有源区内的任意相邻两个元胞区域内的元胞排列均互相垂直，所述元胞的栅极通过多晶硅连接。本实用新型由于四个不同区域内元胞的排列方向不同，即相邻两个区域内的元胞排列方式是垂直的，因此在流片过程中产生应力的方向也是垂直的。在多个重复单元排列的情况下便可减少单一方向应力的集中，从而减轻圆片翘曲的可能。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体功率器件的技术领域，特别涉及一种沟槽型IGBT版图结构。
背景技术
IGBT的全称是Insulate Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极晶体管。它兼具MOSFET和GTR的多项优点同时又能满足高压大电流等大功率器件的需求，极大的扩展了功率半导体器件的应用领域。IGBT作为新型电力电子半导体器件的主要代表，被广泛用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。
沟槽型IGBT与平面型IGBT相比有电流密度大、抗闩锁能力强等优点。
沟槽型IGBT在流片过程中，由于在整个圆片表面布满具有相同方向同尺寸的沟槽（其面积约占整个圆片的10%左右），因此在长栅氧及背面金属的工艺过程中会由于垂直于沟槽方向的应力无法释放而发生翘曲，这会影响芯片的质量、性能，更严重的会使整个圆片碎裂。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种沟槽型IGBT版图结构，解决了现有技术中沟槽型IGBT流片过程中圆片翘曲问题。
为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种沟槽型IGBT版图结构，其中，有源区内的任意相邻两个元胞区域内的元胞排列均互相垂直，所述元胞的栅极通过多晶硅连接。
进一步地，所述有源区内的所述元胞区域有四个。
本实用新型提供的一种沟槽型IGBT版图结构，由于四个不同区域内元胞的排列方向不同，即相邻两个区域内的元胞排列方式是垂直的，因此在流片过程中产生应力的方向也是垂直的。在多个重复单元排列的情况下便可减少单一方向应力的集中，从而减轻圆片翘曲的可能。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的沟槽型IGBT版图结构示意图；
图2为图1所述的沟槽型IGBT版图结构的元胞结构示意图；
1、多晶硅，2、元胞。
具体实施方式
参见图1和图2，本实用新型实施例提供的一种沟槽型IGBT版图结构，其中，有源区内的任意相邻两个元胞区域内的元胞2排列均互相垂直，元胞的栅极通过多晶硅1连接。其中，在本实用新型实施例中，有源区内的元胞区域有四个，可依据实际芯片大小等需求分成八个。
在该实施例中，该IGBT结构的正面由栅极和源极组成，栅极压焊点和源级压焊点位可以再不同的区域，位置关系不限，为了使得栅极压焊点和源级压焊点位于不同的区域内，通过位于元胞区外围的gatebus和gatefinger将栅极压焊点下的电压引入元胞区。元胞区之上的金属层均为源级电位，该金属层与多晶硅层之间由一层氧化层隔离以防止其短接。另外，尽可能简短槽栅的长度而采用长元胞，相当于将方形槽栅元胞在一个方向上拉长。
在工艺方面，圆片的厚度越厚，圆片掺杂浓度越低，圆片的翘曲几率越小。
由于四个不同区域内元胞的排列方向不同，即相邻两个区域内的元胞排列方式是垂直的，因此在流片过程中产生应力的方向也是垂直的。在多个重复单元排列的情况下便可减少单一方向应力的集中，从而减轻圆片翘曲的可能。
最后所应说明的是，以上具体实施方式仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照实例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
Claims (2)
1.一种沟槽型IGBT版图结构，其特征在于，有源区内的任意相邻两个元胞区域内的元胞排列均互相垂直，所述元胞的栅极通过多晶硅连接。
2.根据权利要求1所述的IGBT版图结构，所述有源区内的所述元胞区域有四个。
Priority Applications (1)
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| CN 201220674679 CN202948932U (zh) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 一种沟槽型igbt版图结构 |
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| CN 201220674679 Expired - Lifetime CN202948932U (zh) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 一种沟槽型igbt版图结构 |
Country Status (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104465406A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-03-25 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Rfldmos器件阵列版图中超深沟槽的排列方法 |
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2012
- 2012-12-07 CN CN 201220674679 patent/CN202948932U/zh not_active Expired - Lifetime
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