CN202839614U - 一种硅基成像器件 - Google Patents
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Abstract
一种硅基成像器件，包括主体，于主体上设有由量子点与高透光率的成膜材料组成具有改变光波波长功能的光转换膜。所述的量子点为硒化镉（CdSe）纳米晶核，或为纳米级CdSe/ZnS核壳结构的纳米晶核。所述光转换膜粘附在主体上。本实用新型可有效地增强硅基成像器件对紫外光的敏感度，延长硅基成像器件的寿命，提高紫外光区到可见光区的转化率和膜的光学稳定性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种硅基成像器件，特别是指一种把光转换膜应用于CCD（Charge Coupled Device，电荷耦合器件）或／CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor,附加金属氧化物半导体组件）等硅基成像器件的表面。
背景技术
紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小，一般低于2nm，在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。自CCD 和其它光探测器投入商业生产以来，人们就一直致力于寻找一种能提高探测器紫外响应能力的方法。经检索可以发现，诸如中国专利ZL01129954.1号《刑侦用紫外照相机》、ZL200820152199.X号《一种基于无机材料增强紫外响应的硅基成像器件》、ZL200820152099.7《一种具有紫外响应的硅基成像器件》、ZL200810041913.2号《增强硅基成像器件紫外响应无机薄膜的制备方法》、ZL 200810041823.3号《增强硅基成像器件紫外响应的有机金属薄膜制备方法》等，均在探讨这一问题，也都还存在CCD和CMOS在紫外波段响应很弱，无法提高器件在这些波段成像的灵敏度或是分辨率。
目前，为了提高探测器对紫外线的敏感性，可行的办法由两种：一种是通过改变成像器件内部的硅基结构增大紫外响应；第二种是在成像器件光敏元表面涂一层光转换膜，将无法响应的紫外光转化为可见光，从而达到成像的目的。但现阶段研制的有机光转换膜有其自身难以克服的缺点，如使用寿命短、转化率不高、激发光谱窄且发射光谱宽且不对称、颜色不可调、光学稳定性差等。
实用新型内容
为了提高探测器对紫外辐射的敏感性，本实用新型采取了在硅基成像器件光敏窗口上涂光转换膜的办法，成功地将紫外波段信号源携带的信息转化为CCD及CMOS敏感的响应波段。
根据上述想法本专利设计了一种硅基成像器件，包括主体，于主体上设有由量子点与高透光率的成膜材料组成具有改变光波波长功能的光转换膜。
所述的量子点为硒化镉（CdSe）纳米晶核，或为纳米级CdSe/ZnS核壳结构的纳米晶核。所述光转换膜粘附在主体上。
该光转换膜的主要组份为光致转化材料量子点和成膜材料。量子点为纳米级硒化镉（CdSe）晶粒或是具备核壳结构的硒化镉（CdSe）/硫化锌（ZnS） 纳米晶粒；成膜材料是由环氧树脂类、有机硅类、聚丙烯酸酯类、聚氨酯类、EVA和PC等高透明高分子材料中的一种或几种及丙酮、甲苯、乙醇、氯仿、环己烷、甲基丙烯酸酯等溶剂中的一种或多种。所述量子点在成膜材料中的浓度为0.00001%～30％wt；使用CdSe/ZnS核壳结构的量子点，是为了提高荧光材料的发光强度和稳定性。
纳米半导体微晶材料即本文中所称量子点，是半导体材料中非常重要的一类。量子点通常是指颗粒直径在2～8nm之间的纳米半导体晶体，最基本组成材料是第II-VI族或第III-V族元素。因为量子点实现了量子尺寸效应，荧光量子效率可以接近100％；因为量子点的尺寸大小决定了发光波长，可以通过控制合成的量子点的大小，得到不同波长的发光材料，因此从同一材料可以得到不同的颜色。由此，本实用新型不但有效提高了硅基成像器件紫外响应能力，克服了有机光转换膜的使用寿命短、转化率不高、激发光谱窄且发散光谱宽、发射光谱宽且不对称、颜色不可调、光学稳定性差等缺点，能够有效增强硅基成像器件对紫外光的敏感度，提高硅基成像器件的寿命，提高转化率和光学稳定性。
本实用新型提供的硅基成像器件应用光转换膜，光转化膜可粘附在CCD及CMOS硅基成像器件的表面。
附图说明
图1是具有光转换膜的硅基成像器件的分解示意图。
具体实施方式
本实用新型主要是针对现有的CCD、CMOS等图像传感器不响应紫外光或者响应比较弱的问题。而常规有机涂膜方法得到的光转换膜存在光转化效率低，激发光谱窄，分布不连续，发射光谱宽且不对称，颜色不可调，光学稳定性低和使用寿命短等缺点。本实用新型的技术方案是从薄膜的转化率、光学稳定性、使用寿命和实用性综合考虑，采用量子点胶液制备光转换膜，以提高光电探测器的转化率、实用性和使用寿命。提供一种硅基成像器件，如图1所示，包括主体1，于主体上设有由量子点与高透光率的成膜材料组成具有改变光波波长功能的光转换膜2。所述的量子点为硒化镉（CdSe）纳米晶核，或为纳米级CdSe/ZnS核壳结构的纳米晶核。所述光转换膜粘附在主体上。
此光转换膜的组成成分为A）光转化材料：量子点，其包括元素周期表第II-VI或第III-V族类纳米半导体材料及其相对应的核壳结构。具体包括以下述物质CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnS，GaP，GaN，GaAs，InP, InN，InAs,InSb and PbS，PbSe等为核的量子点；或是以上述材料为核，以下述物质CdSe, CdS, ZnSe, ZnS, CdO, ZnO, SiO2等为壳而形成具有核壳结构的纳米半导体材料，粒径一般小于10nm。B）高透光率的成膜材料，其包括环氧树脂类、有机硅类、聚丙烯酸酯类和聚氨酯类、EVA和PC等高透光的高分子材料中的一种或几种。
光转换膜，该膜的主要组份为光致转化材料量子点和成膜材料。量子点为纳米级硒化镉（CdSe）晶粒或是具备核壳结构的硒化镉（CdSe）/硫化锌（ZnS）纳米晶粒；成膜材料是由环氧树脂类、有机硅类、聚丙烯酸酯类、聚氨酯类、EVA和PC等高透光率的高分子材料中的一种或多种。所述量子点在成膜材料中的浓度为0.00001%～30％wt；使用CdSe/ZnS核壳结构的量子点，是为了提高了荧光材料的发光强度和稳定性。
相比已有的有机光转换膜，本实用新型提供的光转换膜（下面简称量子点膜）具有较高的转化效率，激发光谱宽且连续分布，而发射光谱窄而对称，颜色可调，光化学稳定性高，荧光寿命长等优越的荧光特性，并且工艺简单，方便大规模生产，所以量子点薄膜在这一领域具有独特的意义。同时，将纳米晶做为一种新型的荧光转化材料，涂到硅基成像器件的表面做出光转换膜，可以成功的将紫外波段的信息转化到CCD及CMOS敏感的响应波段，且因其光转换膜的高透光性，能够同时保证CCD及CMOS不会丧失原有的分辨率。
Claims (2)
1.一种硅基成像器件，包括主体（1），其特征在于：于主体上设有光转换膜（2）。
2.根据权利要求1所述的硅基成像器件，其特征在于：所述光转换膜粘附在主体上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201220243055 CN202839614U (zh) | 2012-05-28 | 2012-05-28 | 一种硅基成像器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201220243055 CN202839614U (zh) | 2012-05-28 | 2012-05-28 | 一种硅基成像器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202839614U true CN202839614U (zh) | 2013-03-27 |
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ID=47951254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201220243055 Expired - Lifetime CN202839614U (zh) | 2012-05-28 | 2012-05-28 | 一种硅基成像器件 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN202839614U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103745981A (zh) * | 2013-12-04 | 2014-04-23 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种紫外响应稀土光转换膜及其用途 |
| CN108123008A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-06-05 | 东南大学 | 一种基于掺杂量子点波长转换的紫外探测系统及方法 |
| CN110911464A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-24 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
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2012
- 2012-05-28 CN CN 201220243055 patent/CN202839614U/zh not_active Expired - Lifetime
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Legal Events
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