CN202797957U - 过压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种过压保护电路。该电路包括参考电压输入端和电压输出端，还包括差分放大器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、反相器、电感和电容；所述电压输出端连接至差分放大器的负极输入端，并通过电感连接至第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的漏极；第一NMOS晶体管的漏极连接至电压源，栅极连接至反相器的输出端；第二NMOS晶体管的源极接地，并通过电容连接至电压输出端；差分放大器的正极输入端连接至参考电压输入端，输出端连接至反相器的输入端和第二NMOS晶体管的栅极。本实用新型的有益效果是：电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，减少坏点风险。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种过压保护电路。
背景技术
便携式电子产品所需要的电压一般比较低，一般情况下为1.5V、2.5V、3.3V或5V电压。在电路中，由于电路信号受到干扰、短路或供电电压不稳定等因素，可能会造成电压突然升高的情况，过高的电压会影响电路的性能，还有烧坏电路的风险。
过压保护电路是解决过压的问题的必要电路，现有技术的电路的结构比较复杂，所需器件和节点较多，器件多造成成本和功耗较高，节点较多造成坏点的风险大。
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种结构简单、节点少的过压保护电路。
本实用新型采用的技术方案是这样的：一种过压保护电路，包括参考电压输入端和电压输出端，该电路还包括差分放大器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、反相器、电感和电容；所述电压输出端连接至差分放大器的负极输入端，并通过电感连接至第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的漏极；第一NMOS晶体管的漏极连接至电压源，栅极连接至反相器的输出端；第二NMOS晶体管的源极接地，并通过电容连接至电压输出端；差分放大器的正极输入端连接至参考电压输入端，输出端连接至反相器的输入端和第二NMOS晶体管的栅极。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，以及减少坏点风险。
附图说明
图1是本实用新型过压保护电路的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
如图1所示，是本实用新型过压保护电路的电路原理图。
下面结合附图1对本实用新型电路做详细的说明：一种过压保护电路，包括参考电压输入端Vref和电压输出端Vout，该电路还包括差分放大器IC1、第一NMOS晶体管Q1、第二NMOS晶体管Q2、反相器F、电感L和电容C。所述电压输出端Vout连接至差分放大器IC1的负极输入端，并通过电感L连接至第一NMOS晶体管Q1的源极和第二NMOS晶体管Q2的漏极；第一NMOS晶体管Q1的漏极连接至电压源VDD，栅极连接至反相器F的输出端；第二NMOS晶体管Q2的源极接地GND，并通过电容C连接至电压输出端Vout；差分放大器IC1的正极输入端连接至参考电压输入端Vref，输出端连接至反相器F的输入端和第二NMOS晶体管Q2的栅极。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种过压保护电路，包括参考电压输入端（Vref）和电压输出端（Vout），其特征在于，还包括差分放大器（IC1）、第一NMOS晶体管（Q1）、第二NMOS晶体管（Q2）、反相器（F）、电感（L）和电容（C）；
所述电压输出端（Vout）连接至差分放大器（IC1）的负极输入端，并通过电感（L）连接至第一NMOS晶体管（Q1）的源极和第二NMOS晶体管（Q2）的漏极；第一NMOS晶体管（Q1）的漏极连接至电压源（VDD），栅极连接至反相器（F）的输出端；第二NMOS晶体管（Q2）的源极接地（GND），并通过电容（C）连接至电压输出端（Vout）；差分放大器（IC1）的正极输入端连接至参考电压输入端（Vref），输出端连接至反相器（F）的输入端和第二NMOS晶体管（Q2）的栅极。
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Applications Claiming Priority (1)
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Family
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Country Status (1)
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2012
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