CN202797951U - 过压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种过压保护电路。该电路包括电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT），在电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT）之间串接一第一电阻（R1），其特征在于，还包括与所述第一电阻（R1）并联一调压电路，所述调压电路包括第一NPN双极型三极管（N1）、第二NPN双极型晶体管（N2）、第一PNP双极型晶体管（P1）、第二PNP双极型晶体管（P2）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管（D1）、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管（D2）。本实用新型的有益效果是：电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，减少坏点风险。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种过压保护电路。
背景技术
便携式电子产品所需要的电压一般比较低，一般情况下为1.5V、2.5V、3.3V或5V电压。在电路中，由于电路信号受到干扰、短路或供电电压不稳定等因素，可能会造成电压突然升高的情况，过高的电压会影响电路的性能，还有烧坏电路的风险。
过压保护电路是解决过压的问题的必要电路，现有技术的电路的结构比较复杂，所需器件和节点较多，器件多造成成本和功耗较高，节点较多造成坏点的风险大。
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种结构简单、节点少的过压保护电路。
本实用新型采用的技术方案是这样的：一种过压保护电路，包括电压输入端和电压输出端，在电压输入端和电压输出端之间串接一第一电阻，还包括与所述第一电阻并联一调压电路，所述调压电路包括第一NPN双极型三极管、第二NPN双极型晶体管、第一PNP双极型晶体管、第二PNP双极型晶体管、第二电阻、第三电阻、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管。
所述第二电阻串接于第一NPN双极型晶体管的源极和基极之间；所述第三电阻串接于第一PNP双极型晶体管的源极和基极之间；所述电压输入端连接至第一NPN双极型晶体管的基极、第二PNP双极型晶体管的集电极、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管的正极端、第二PNP双极型晶体管的基极和第二NPN双极型晶体管的集电极；所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管的负极端连接至第一NPN双极型晶体管的集电极和第二PNP双极型晶体管的基极；所述电压输出端连接至第一NPN双极型晶体管的源电极和第一PNP双极型晶体管的源极；第二雪崩二极管或第二齐纳二极管的正极端连接至第二PNN双极型晶体管的基极和第一PNP双极型晶体管的集电极，负极端连接至第一PNP双极型晶体管的基极和第二NPN双极型晶体管的集电极；所述第二NPN双极型晶体管的源极和第二PNP双极型晶体管的源极均接地。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，以及减少坏点风险。
附图说明
图1是本实用新型过压保护电路的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
如图1所示，是本实用新型过压保护电路的电路原理图。
本实用新型的一种过压保护电路，包括电压输入端VIN和电压输出端VOUT，在电压输入端VIN和电压输出端VOUT之间串接一第一电阻R1，还包括与所述第一电阻R1并联一调压电路，所述调压电路包括第一NPN双极型三极管N1、第二NPN双极型晶体管N2、第一PNP双极型晶体管P1、第二PNP双极型晶体管P2、第二电阻R2、第三电阻R3、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管D1、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管D2。
下面结合附图1对本实用新型上述电子元器件间的连接关系做详细的说明：所述第二电阻R2串接于第一NPN双极型晶体管N1的源极和基极之间；所述第三电阻R3串接于第一PNP双极型晶体管P1的源极和基极之间；所述电压输入端VIN连接至第一NPN双极型晶体管N1的基极、第二PNP双极型晶体管P2的集电极、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管D1的正极端、第二PNP双极型晶体管P2的基极和第二NPN双极型晶体管N2的集电极；所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管D1的负极端连接至第一NPN双极型晶体管N1的集电极和第二PNP双极型晶体管P2的基极；所述电压输出端VOUT连接至第一NPN双极型晶体管N1的源电极和第一PNP双极型晶体管P1的源极；第二雪崩二极管或第二齐纳二极管D2的正极端连接至第二PNN双极型晶体管P2的基极和第一PNP双极型晶体管P1的集电极，负极端连接至第一PNP双极型晶体管P1的基极和第二NPN双极型晶体管N2的集电极；所述第二NPN双极型晶体管N2的源极和第二PNP双极型晶体管P2的源极均接地。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种过压保护电路，包括电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT），在电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT）之间串接一第一电阻（R1），其特征在于，还包括与所述第一电阻（R1）并联一调压电路，所述调压电路包括第一NPN双极型三极管（N1）、第二NPN双极型晶体管（N2）、第一PNP双极型晶体管（P1）、第二PNP双极型晶体管（P2）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管（D1）、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管（D2）；
所述第二电阻（R2）串接于第一NPN双极型晶体管（N1）的源极和基极之间；所述第三电阻（R3）串接于第一PNP双极型晶体管（P1）的源极和基极之间；所述电压输入端（VIN）连接至第一NPN双极型晶体管（N1）的基极、第二PNP双极型晶体管（P2）的集电极、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管（D1）的正极端、第二PNP双极型晶体管（P2）的基极和第二NPN双极型晶体管（N2）的集电极；所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管（D1）的负极端连接至第一NPN双极型晶体管（N1）的集电极和第二PNP双极型晶体管（P2）的基极；所述电压输出端（VOUT）连接至第一NPN双极型晶体管（N1）的源电极和第一PNP双极型晶体管（P1）的源极；第二雪崩二极管或第二齐纳二极管（D2）的正极端连接至第二PNN双极型晶体管（P2）的基极和第一PNP双极型晶体管（P1）的集电极，负极端连接至第一PNP双极型晶体管（P1）的基极和第二NPN双极型晶体管（N2）的集电极；所述第二NPN双极型晶体管（N2）的源极和第二PNP双极型晶体管（P2）的源极均接地。
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