CN202797947U - 一种过压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种过压保护电路。该电路包括电压输入端和电压输出端之间串接第一电阻以及与第一电阻并联一调压电路；所述调压电路包括：第二电阻串接于第一双极型晶体管的源极和基极之间，电压输入端连接至第一双极型晶体管的基极、第二双极型晶体管的集电极和雪崩二极管或齐纳二极管的正极端；电压输出端连接至第一双极型晶体管的源极和二极管的正极端；第二双极型晶体管的源极接地，基极连接至雪崩二极管或齐纳二极管的负极端和第一双极型晶体管的集电极；二极管的负极端接地；第三双极型晶体管的源极连接至电压输如端，基极连接至电压输出端，集电极接地。有益效果是：电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，减少坏点风险。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种过压保护电路。
背景技术
便携式电子产品所需要的电压一般比较低，一般情况下为1.5V、2.5V、3.3V或5V电压。在电路中，由于电路信号受到干扰、短路或供电电压不稳定等因素，可能会造成电压突然升高的情况，过高的电压会影响电路的性能，还有烧坏电路的风险。
过压保护电路是解决过压的问题的必要电路，现有技术的电路的结构比较复杂，所需器件和节点较多，器件多造成成本和功耗较高，节点较多造成坏点的风险大。
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种结构简单、节点少的过压保护电路。
本实用新型采用的技术方案是这样的：一种过压保护电路，包括电压输入端和电压输出端，在电压输入端和电压输出端之间串接一第一电阻，与所述第一电阻并联一调压电路，所述调压电路包括第二电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管、雪崩二极管或齐纳二极管和二极管。所述电压输入端连接至第一双极型晶体管的基极、第二双极型晶体管的集电极、第三双极型晶体管的源极和雪崩二极管或齐纳二极管的正极端；所述电压输出端连接至第一双极型晶体管的源极、二极管的正极端和第三双极型晶体管的基极；所述第二双极型晶体管的源极接地，基极连接至雪崩二极管或齐纳二极管的负极端和第一双极型晶体管的集电极；所述第三双极型晶体管的集电极和二极管的负极端接地。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，以及减少坏点风险。
附图说明
图1是本实用新型过压保护电路的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
如图1所示，是本实用新型过压保护电路的电路原理图。
本实用新型的一种过压保护电路，包括电压输入端VIN和电压输出端VOUT，在电压输入端VIN和电压输出端VOUT之间串接一第一电阻R1，与所述第一电阻R1并联一调压电路，所述调压电路包括第二电阻R2、第一双极型晶体管NPN1、第二双极型晶体管PNP、第三双极型晶体管NPN2、雪崩二极管或齐纳二极管D1和二极管D2。
下面结合附图1对本实用新型上述电子元器件间的连接关系做详细的说明：所述第二电阻R2串接于第一双极型晶体管NPN1的源极和基极之间；所述电压输入端VIN连接至第一双极型晶体管NPN1的基极、第二双极型晶体管PNP的集电极、第三双极型晶体管NPN2的源极和雪崩二极管或齐纳二极管D1的正极端；所述电压输出端VOUT连接至第一双极型晶体管NPN1的源极、二极管D2的正极端和第三双极型晶体管NPN2的基极；所述第二双极型晶体管PNP的源极接地，基极连接至雪崩二极管或齐纳二极管D1的负极端和第一双极型晶体管NPN1的集电极；所述第三双极型晶体管NPN2的集电极和二极管D2的负极端接地。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种过压保护电路，包括电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT），在电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT）之间串接一第一电阻（R1），其特征在于，与所述第一电阻（R1）并联一调压电路，所述调压电路包括第二电阻（R2）、第一双极型晶体管（NPN1）、第二双极型晶体管（PNP）、第三双极型晶体管（NPN2）、雪崩二极管或齐纳二极管（D1）和二极管（D2）；所述第二电阻（R2）串接于第一双极型晶体管（NPN1）的源极和基极之间；所述电压输入端（VIN）连接至第一双极型晶体管（NPN1）的基极、第二双极型晶体管（PNP）的集电极、第三双极型晶体管（NPN2）的源极和雪崩二极管或齐纳二极管（D1）的正极端；所述电压输出端（VOUT）连接至第一双极型晶体管（NPN1）的源极、二极管（D2）的正极端和第三双极型晶体管（NPN2）的基极；所述第二双极型晶体管（PNP）的源极接地，基极连接至雪崩二极管或齐纳二极管（D1）的负极端和第一双极型晶体管（NPN1）的集电极；所述第三双极型晶体管（NPN2）的集电极和二极管（D2）的负极端接地。
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2012
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
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Granted publication date: 20130313 Termination date: 20130918 |