CN202796969U - 一种薄膜太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种薄膜太阳能电池,阻隔层设置在玻璃面上;超薄金属银膜沉积在阻隔层上;第一AZO或GZO薄膜溅射在超薄金属银膜上;吸收层沉积在第一AZO或GZO薄膜上;第二AZO或GZO薄膜溅射在吸收层上;金属膜或透明导电薄膜沉积在第二AZO或GZO薄膜上;背板玻璃通过胶膜层粘贴在金属膜或透明导电薄膜上。本实用新型的超薄金属银膜沉积在阻隔层上,可以降低电阻率,降低TCO前电极的厚度,有效解决目前TCO前电极玻璃主要以CVD方法制备,且膜层后期不易控制,对于薄膜电池制备工艺调试有一定限制的缺点;同时由于超薄金属银膜对可见光具有透过性,但对红外光具有反射性,因此还能有效减少原料消耗和制程周期。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种薄膜太阳能电池。
背景技术
目前常见的薄膜太阳能电池大多都是以AZO ,BZO,FTO作为电池的前电极,由于在目前薄膜电池生产中对TCO薄膜高透射率与低电阻率有一定的要求,所以一般该TCO层均较厚,有一定的制程要求,BZO及FTO均只能通过CVD 制程完成,需消耗大量的气源。如果制备具有一定透射率的薄膜电池组件,可以考虑采用仅仅沉积非晶硅单结薄膜电池,减少吸收层对光的吸收,增大透射,如此可以制备得到see-through薄膜太阳能组件。
AZO是铝掺杂的氧化锌(ZnO)透明导电玻璃。
BZO是硼掺杂的氧化锌(ZnO)透明导电玻璃。
FTO导电玻璃为掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(SnO2:F),简称为FTO。
CVD(Chemical Vapor Deposition)即化学气相沉积,指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种薄膜太阳能电池,解决目前TCO前电极玻璃主要以CVD方法制备,且膜层后期不易控制,对于薄膜电池制备工艺调试有一定限制的缺点,同时还能制备出不同颜色的薄膜电池组件。
为了解决上述技术问题,本实用新型所提供的技术方案是:一种薄膜太阳能电池,包括玻璃面、阻隔层、超薄金属银膜、第一AZO或GZO薄膜、吸收层、第二AZO或GZO薄膜、金属膜或透明导电薄膜、胶膜层和背板玻璃;所述阻隔层设置在玻璃面上;所述超薄金属银膜沉积在阻隔层上;所述第一AZO或GZO薄膜溅射在超薄金属银膜上;所述吸收层沉积在第一AZO或GZO薄膜上;所述第二AZO或GZO薄膜溅射在吸收层上;所述金属膜或透明导电薄膜沉积在第二AZO或GZO薄膜上;所述背板玻璃通过胶膜层粘贴在金属膜或透明导电薄膜上。
所述阻隔层为氧化硅或氧化钽或氧化铝或氧化钛。
所述超薄金属银膜的厚度为1~20nm。
所述第一AZO或GZO薄膜的厚度为50~800nm。
所述吸收层为单节非晶硅薄膜。
所述第二AZO或GZO薄膜的厚度为50~300nm。
所述金属膜或透明导电薄膜为银薄膜或铝薄膜或铜薄膜或镍铬薄膜或铬薄膜或铟锡氧化物半导体透明导电膜或AZO薄膜或GZO薄膜。
所述胶膜层为PVB或EVA胶膜。
采用了上述技术方案后,本实用新型具有以下的有益效果:(1)本实用新型的超薄金属银膜沉积在阻隔层上,可以降低电阻率,降低TCO前电极的厚度,有效解决目前TCO前电极玻璃主要以CVD方法制备,且膜层后期不易控制,对于薄膜电池制备工艺调试有一定限制的缺点;同时由于超薄金属银膜对可见光具有透过性,但对红外光具有反射性,因此还能有效减少原料消耗和制程周期。
(2)本实用新型的吸收层为单节非晶硅薄膜,由于单节非晶硅薄膜对可见光波段有吸收,但对红外波段不敏感,因此通过调节阻隔层、超薄金属银膜、第一AZO或GZO薄膜、以及第二AZO或GZO薄膜的厚度搭配,再结合吸收层可以制备出显示不同颜色的薄膜电池组件。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中
图1为本实用新型的结构示意图。
附图中的标号为:
玻璃面1、阻隔层2、超薄金属银膜3、第一AZO或GZO薄膜4、吸收层5、第二AZO或GZO薄膜6、金属膜或透明导电薄膜7、胶膜层8、背板玻璃9。
具体实施方式
(实施例1)
见图1,本实施例的薄膜太阳能电池包括玻璃面1、阻隔层2、超薄金属银膜3、第一AZO或GZO薄膜4、吸收层5、第二AZO或GZO薄膜6、金属膜或透明导电薄膜7、胶膜层8和背板玻璃9。
阻隔层2设置在玻璃面1上。超薄金属银膜3沉积在阻隔层2上。第一AZO或GZO薄膜4溅射在超薄金属银膜3上。吸收层5沉积在第一AZO或GZO薄膜4上。第二AZO或GZO薄膜6溅射在吸收层5上。金属膜或透明导电薄膜7沉积在第二AZO或GZO薄膜6上。;背板玻璃9通过胶膜层8粘贴在金属膜或透明导电薄膜7上。阻隔层2为氧化硅或氧化钽或氧化铝或氧化钛。超薄金属银膜3的厚度为1~20nm。第一AZO或GZO薄膜4的厚度为50~800nm。吸收层5为单节非晶硅薄膜,单节非晶硅薄膜对可见光波段有吸收,但对红外波段不敏感。第二AZO或GZO薄膜6的厚度为50~300nm。金属膜或透明导电薄膜7为银薄膜或铝薄膜或铜薄膜或镍铬薄膜或铬薄膜或铟锡氧化物半导体透明导电膜或AZO薄膜或GZO薄膜。胶膜层8为PVB或EVA胶膜。
通过调节阻隔层2、超薄金属银膜3、第一AZO或GZO薄膜4、以及第二AZO或GZO薄膜6的厚度搭配,再结合吸收层5可以制备出显示不同颜色的薄膜电池组件。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种薄膜太阳能电池,其特征在于:包括玻璃面(1)、阻隔层(2)、超薄金属银膜(3)、第一AZO或GZO薄膜(4)、吸收层(5)、第二AZO或GZO薄膜(6)、金属膜或透明导电薄膜(7)、胶膜层(8)和背板玻璃(9);所述阻隔层(2)设置在玻璃面(1)上;所述超薄金属银膜(3)沉积在阻隔层(2)上;所述第一AZO或GZO薄膜(4)溅射在超薄金属银膜(3)上;所述吸收层(5)沉积在第一AZO或GZO薄膜(4)上;所述第二AZO或GZO薄膜(6)溅射在吸收层(5)上;所述金属膜或透明导电薄膜(7)沉积在第二AZO或GZO薄膜(6)上;所述背板玻璃(9)通过胶膜层(8)粘贴在金属膜或透明导电薄膜(7)上。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池,其特征在于:所述阻隔层(2)为氧化硅或氧化钽或氧化铝或氧化钛。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池,其特征在于:所述超薄金属银膜(3)的厚度为1~20nm。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池,其特征在于:所述第一AZO或GZO薄膜(4)的厚度为50~800nm。
5.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池,其特征在于:所述吸收层(5)为单节非晶硅薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池,其特征在于:所述第二AZO或GZO薄膜(6)的厚度为50~300nm。
7.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池,其特征在于:所述金属膜或透明导电薄膜(7)为银薄膜或铝薄膜或铜薄膜或镍铬薄膜或铬薄膜或铟锡氧化物半导体透明导电膜或AZO薄膜或GZO薄膜。
8.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池,其特征在于:所述胶膜层(8)为PVB或EVA胶膜。
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