CN105070770B - 背电极及其制作方法和电池组件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种背电极及其制作方法和电池组件。其中，该背电极包括：第一透明导电氧化物层，其中，第一透明导电氧化物层为掺杂有金属元素的薄膜材料层，第一透明导电氧化物层用于控制背电极的颜色。本发明解决了由于太阳能电池组件的颜色单一造成的太阳能电池组件与建筑结合时不便利的技术问题。

Description

背电极及其制作方法和电池组件
技术领域
本发明涉及太阳能电池光伏技术领域，具体而言，涉及一种背电极及其制作方法和电池组件。
背景技术
太阳能电池组件可以用作光伏建筑一体化(Building IntegratedPhotovoltaic，简称为BIPV)产品上。在BIPV应用中，太阳能电池组件的颜色是一项很重要的性能参数，颜色的可变范围决定了光伏组件在与建筑设计结合时的便利程度。现有的太阳能电池组件通常为灰黑色，颜色单一，造成太阳能电池组件与建筑设计结合时不便利。
针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
发明内容
本发明实施例提供了一种背电极及其制作方法和电池组件，以至少解决由于太阳能电池组件的颜色单一造成的太阳能电池组件与建筑结合时不便利的技术问题。
根据本发明实施例的一个方面，提供了一种背电极，包括：第一透明导电氧化物层，其中，第一透明导电氧化物层为掺杂有金属元素的薄膜材料层，第一透明导电氧化物层用于控制背电极的颜色。
进一步地，该金属元素的掺杂浓度为0.5％～3.0％。
进一步地，第一透明导电氧化物层掺杂的金属元素为铝或镓或硼。
进一步地，第一透明导电氧化物层为掺杂铝的氧化锌层。
进一步地，第一透明导电氧化物层的厚度范围为5nm～300nm。
进一步地，该背电极还包括：金属层，第一面与第一透明导电氧化物层贴合设置,其中，金属层用于控制背电极的颜色。
进一步地，该金属层的材料为银或铝或镍铬合金。
进一步地，金属层的厚度不大于20nm。
进一步地，该背电极还包括：第二透明导电氧化物层，与金属层的第二面贴合设置，其中，第二透明导电氧化物层为掺杂有金属元素的薄膜材料层，第二透明导电氧化物层用于控制背电极的颜色。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种电池组件，包括上述背电极。
根据本发明实施例的又一方面，还提供了一种背电极的制作方法，背电极包括第一透明导电氧化物层，第一透明导电氧化物层用于控制背电极的颜色，方法包括：在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层。
进一步地，在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层之前，该方法还包括：确定背电极的目标颜色参数；以及根据目标颜色参数计算背电极的厚度参数，其中，厚度参数包括第一厚度、第二厚度和第三厚度，第一厚度为第一透明导电氧化物层的厚度，第二厚度为金属层的厚度，第三厚度为第二透明导电氧化物层的厚度，在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层包括：根据第一厚度在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层，在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层之后，方法还包括：判断第二厚度是否为0；在判断出第二厚度不为0时，根据第二厚度在第一透明导电氧化物层上沉积金属层；判断第三厚度是否为0；以及在判断出第三厚度不为0时，根据第三厚度在金属层上沉积第二透明导电氧化物层。
在本发明实施例中，采用包括如下结构的背电极：第一透明导电氧化物层，其中，第一透明导电氧化物层为掺杂有金属元素的薄膜材料层，第一透明导电氧化物层用于控制背电极的颜色，通过控制第一透明导电氧化物层的厚度得到不同颜色的背电极，从而实现了提高太阳能电池组件与建筑结合的便利性的技术效果，进而解决了由于太阳能电池组件的颜色单一造成的太阳能电池组件与建筑结合时不便利的技术问题。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是根据本发明实施例的背电极的示意图；
图2是根据本发明第一实施例的电池组件的示意图；
图3是根据本发明第二实施例的电池组件的示意图；以及
图4是根据本发明实施例的背电极的制作方法的流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
视觉所产生的颜色效果取决于物体表面反射的光对人眼中的三种锥形细胞产生的刺激程度。三种锥形细胞对不同波长λ的光所产生的刺激相应函数分别为R(λ),G(λ),B(λ)，当人眼接收到的物体表面反射光谱为S(λ)时，该物体所变现出来的颜色为(R，G，B)：
其中，R表示三原色中的红色分量，G表示三原色中绿色分量，B表示三原色中蓝色分量。从上述公式可知，当调节物体表面反射光谱S(λ)时，R、G和B三个分量的值相应改变，从而物体表现出来的颜色就会发生改变。因此，通过调节太阳能电池组件表面的反射光谱就可以得到目标颜色的太阳能电池组件，优选地，本发明实施例通过调节太阳能电池组件的背电极的厚度来调节太阳能电池组件表面的反射光谱，从而得到目标颜色的太阳能电池组件。
由于国际上通用的颜色表示方法遵照CIELAB系统，它是一个均匀的颜色空间，每种颜色表示为(L，a，b),其中，L显示的是光的强度，a表示红/黄的程度，b表示蓝/绿的程度。(L，a，b)可由(R，G，B)通过线性变换得到。因此，为了与国际通用标准保持一致，本发明实施例所用的颜色测量均使用CIELAB方法。
根据本发明实施例，提供了一种背电极，图1是根据本发明实施例的背电极的示意图。
如图1所示，该背电极包括：第一透明导电氧化物层101，其中，第一透明导电氧化物层101为掺杂有金属元素的薄膜材料层，第一透明导电氧化物层101用于控制背电极的颜色。
本发明实施例的第一透明导电氧化物层101中掺杂的金属元素的浓度可以任意选择，优选地，第一透明导电氧化物层101中金属元素的掺杂浓度为0.5％～3.0％。可选地，第一透明导电氧化物层掺杂的金属元素可以为铝或镓或硼等。具体地，第一透明导电氧化物层101可以是掺杂铝的氧化锌层(AZO)、掺杂镓的氧化锌层或是掺杂锡的氧化铟层等，本发明实施例中优选为掺杂铝的氧化锌层。
具体地，如下表1所示：
表1
由表1可以看出，AZO掺杂浓度分别为0.5％、1.5％和3.0％，背电极的颜色分别为(34.73，12.00，-9.82)、(35.43，11.03，-8.99)和(37.93，12.21，-9.43)，背电极的颜色变化很小，背电极的填充因子分别为0.58、0.59和0.61。由于填充因子越高，则载流子在电极内的平行收集越容易，电池组件的电导率和发电效率越好。由上可以看出，AZO掺杂浓度越高，填充因子越大，相应的电池组件的电导率和发电效率越好。在保证背电极的颜色符合要求时，AZO掺杂浓度越大电池组件的电导率和发电效率越好，但是，为了控制成本，本发明实施例中第一透明导电氧化物层101中金属元素的掺杂浓度优选为0.5％～3.0％。
本发明实施例通过控制第一透明导电氧化物层101处于不同的厚度以改变本发明实施例的背电极的反射光谱，从而可以得到不同颜色的背电极。以下以第一透明导电氧化物层101为掺杂铝的氧化锌层、铝掺杂浓度为1.5％为例对本发明实施例进行说明，当第一透明导电氧化物层101的厚度为200nm时，背电极的颜色为(37.75，-24.37，-23.82)；当第一透明导电氧化物层101的厚度为300nm时，背电极的颜色为(48.09，-30.73，18.59)。由此可以看出，当第一透明导电氧化物层101设为厚度不同时，背电极的颜色也相应地改变。
本发明实施例的背电极包括第一透明导电氧化物层101，其中，第一透明导电氧化物层101为掺杂有金属元素的薄膜材料层，第一透明导电氧化物层101用于控制背电极的颜色。本发明实施例的背电极通过控制第一透明导电氧化物层101的厚度以获得不同颜色的背电极，从而可以极大地方便了太阳能电池组件与建筑的结合，解决了由于太阳能电池组件的颜色单一造成的太阳能电池组件与建筑结合时不便利的技术问题。
可选地，本发明实施例的背电极还包括：金属层，第一面与第一透明导电氧化物层贴合设置,其中，金属层用于控制背电极的颜色。
本发明实施例的金属层的材料可以是银、铝、镍铬合金等，为了提高背电极的折射率，金属层优选为银。该金属层可以是一层，也可以是多层，该金属层为多层时，金属层可组合沉积在第一透明导电氧化物层101上。本发明实施例通过控制第一透明导电氧化物层101的厚度和金属层的厚度共同来控制背电极的颜色，从而可以得到不同颜色的背电极。
可选地，该背电极还包括：第二透明导电氧化物层，与金属层的第二面贴合设置，其中，第二透明导电氧化物层为掺杂有金属元素的薄膜材料层，第二透明导电氧化物层用于控制背电极的颜色。
本发明实施例的第二透明导电氧化物层可以是和第一透明导电氧化物层101相同的薄膜材料层，也可以是和第一透明导电氧化物层101不同的薄膜材料层。优选地，第二透明导电氧化物层中金属元素的掺杂浓度为0.5％～3.0％。第二透明导电氧化物层掺杂的金属元素可以为铝或镓或硼等。具体地，本发明实施例的第二透明导电氧化物层可以是掺杂铝的氧化锌层(俗称AZO)、掺杂镓的氧化锌层或是掺杂锡的氧化铟层等，本发明实施例中优选为掺杂铝的氧化锌层。
本发明实施例通过控制第一透明导电氧化物层101的厚度、金属层的厚度和第二透明导电氧化物层的厚度共同来控制背电极的颜色，从而可以得到不同颜色的背电极。
实际情况中，一些十分接近的颜色人眼是很难区分的，因此，可以用一些相近的颜色替代目标颜色，此外，对于某一目标颜色，背电极的不同薄膜层可能存在多种厚度组合。优选地，为了节省成本，本发明实施例的第一透明导电氧化物层的厚度范围为5nm～300nm，金属层的厚度不大于20nm，第二透明导电氧化物层的厚度范围为5nm～300nm。
表2是根据本发明实施例的背电极的结构和颜色对应表，其中，d1表示第一透明导电氧化物层的厚度，第一透明导电氧化物层为AZO，d2表示金属层的厚度，金属层为Ag，d3表示第二透明导电氧化物层的厚度，第二透明导电氧化物层为AZO。从表2可以看出，在背电极的不同薄膜层为不同厚度时，背电极为不同颜色。因此，通过调节背电极的各个薄膜层的厚度可以得到不同颜色的背电极。
表2背电极结构和颜色对应表
非晶硅层 d1 d2 d3 (L，a，b)
双结 80 15 20 (50.53，22.43，7.59)
双结 30 10 30 (46.82，15.47，36.67)
双结 10 10 90 (72.49，-2.90，12.55)
双结 20 10 80 (64.26，-9.83，-10.62)
双结 55 10 55 (48.20，-3.19，-7.99)
双结 80 10 80 (55.16，10.28，3.48)
双结 80 10 20 (29.35，31.26，-4.08)
单结 56 10 56 (40.49，5.98，-15.03)
单结 300 0 0 (48.09，-30.73，18.59)
单结 200 0 0 (37.75，-24.37，-23.82)
单结 5 3 300 (81.35，6.36，20.71)
单结 50 20 5 (53.93，-11.03，42.83)
本发明实施例还提供了一种电池组件，该电池组件包括上述任意一种背电极。图2是根据本发明第一实施例的电池组件的示意图。如图2所示，该电池组件包括背电极1、非晶硅层2和前电极3，其中，背电极1为上述任意一种背电极。
本发明实施例的电池组件，通过前电极3与非晶硅层2连接，非晶硅层2与背电极1连接，用于将前电极3导入的光转换为电流，背电极1用于将电流导出。具体地，前电极3可以是掺杂氟的氧化锡(俗称FTO)，非晶硅层2可以是单结电池或是双结电池，本发明实施例的电池组件可以是薄膜硅太阳能电池组件。本发明实施例的电池组件通过改变背电极的厚度得到不同颜色的背电极，解决了相关技术中由于太阳能电池组件的颜色单一造成的太阳能电池组件与建筑结合时不便利的技术问题。
优选地，本发明实施例的电池组件中背电极包括第一透明导电氧化物层101、金属层102和第二透明导电氧化物层103。图3是根据本发明第二实施例的电池组件的示意图，如图3所示，第一透明导电氧化物层101可以为AZO，金属层102可以为银，第二透明导电氧化物层103可以为AZO。
本发明实施例还提供了一种背电极的制作方法。本发明实施例的背电极包括第一透明导电氧化物层，其中，第一透明导电氧化物层用于控制该背电极的颜色。图4是根据本发明实施例的背电极的制作方法的流程图，如图4所示，该方法包括步骤S402：在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层。
例如，使用磁控溅射设备，中频溅射掺杂有铝的氧化锌，通过溅射功率和传动轮的速率来控制第一透明导电氧化物层的厚度。
可选地，在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层之前，该方法还包括：确定背电极的目标颜色参数；以及根据目标颜色参数计算背电极的厚度参数，其中，厚度参数包括第一厚度、第二厚度和第三厚度，第一厚度为第一透明导电氧化物层的厚度，第二厚度为金属层的厚度，第三厚度为第二透明导电氧化物层的厚度，在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层包括：根据第一厚度在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层，在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层之后，方法还包括：判断第二厚度是否为0；在判断出第二厚度不为0时，根据第二厚度在第一透明导电氧化物层上沉积金属层；判断第三厚度是否为0；以及在判断出第三厚度不为0时，根据第三厚度在金属层上沉积第二透明导电氧化物层。
本发明实施例在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层之前，先确定背电极的目标颜色参数。目标颜色参数根据实际需求进行确定，例如，当前需要颜色为(29.35，31.26，-4.08)的背电极，则目标颜色参数为(29.35，31.26，-4.08)。以下以目标颜色参数为(29.35，31.26，-4.08)、第一透明导电氧化物层为AZO、金属层为Ag、第二透明导电氧化物层为AZO为例对本发明实施例进行说明。
本发明实施例根据目标颜色参数(29.35，31.26，-4.08)计算得到背电极中各个薄膜层的厚度参数，例如，第一透明导电氧化物层的厚度为80nm，金属层厚度为10nm，第二透明导电氧化物层的厚度为20nm。首先，在非晶硅层上沉积厚度为80nm第一透明导电氧化物层；其次，由于金属层厚度不为0，在第一透明导电氧化物层上沉积厚度为10nm的金属层，其中，可以通过直流溅射Ag；最后，由于第二透明导电氧化物层的厚度不为0，在金属层上沉积厚度为80nm的第二透明导电氧化物层。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如所述单元的划分，可以为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (1)

1.一种背电极的制作方法，其特征在于，背电极包括第一透明导电氧化物层，所述第一透明导电氧化物层用于控制所述背电极的颜色，所述方法包括：
在非晶硅层上沉积所述第一透明导电氧化物层；
在非晶硅层上沉积所述第一透明导电氧化物层之前，所述方法还包括：
确定所述背电极的目标颜色参数；以及根据所述目标颜色参数计算所述背电极的厚度参数，其中，所述厚度参数包括第一厚度、第二厚度和第三厚度，所述第一厚度为所述第一透明导电氧化物层的厚度，所述第二厚度为金属层的厚度，所述第三厚度为第二透明导电氧化物层的厚度，
在非晶硅层上沉积所述第一透明导电氧化物层包括：根据所述第一厚度在所述非晶硅层上沉积所述第一透明导电氧化物层，
在非晶硅层上沉积所述第一透明导电氧化物层之后，所述方法还包括：
判断所述第二厚度是否为0；
在判断出所述第二厚度不为0时，根据所述第二厚度在所述第一透明导电氧化物层上沉积所述金属层；
判断所述第三厚度是否为0；以及
在判断出所述第三厚度不为0时，根据所述第三厚度在所述金属层上沉积所述第二透明导电氧化物层。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202307907U (zh) * 2011-10-24 2012-07-04 通用光伏能源(烟台)有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池
CN202749383U (zh) * 2012-09-28 2013-02-20 尤怀恩 彩色半透明分光非晶硅薄膜太阳能电池
CN202796969U (zh) * 2012-08-07 2013-03-13 江苏武进汉能光伏有限公司 一种薄膜太阳能电池
CN103618010A (zh) * 2013-10-21 2014-03-05 福建铂阳精工设备有限公司 硅基薄膜太阳能电池背电极及制造方法、硅基薄膜太阳能电池
CN103966565A (zh) * 2013-12-13 2014-08-06 云南师范大学 一种用于彩色薄膜太阳电池表面涂层的制备方法
CN105140311A (zh) * 2015-07-10 2015-12-09 福建铂阳精工设备有限公司 背电极及其制作方法和电池组件

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101908582A (zh) * 2010-06-29 2010-12-08 通用光伏能源(烟台)有限公司 一种透光型薄膜太阳能电池组件的制作方法
JP5774204B2 (ja) * 2012-03-29 2015-09-09 三菱電機株式会社 光起電力素子およびその製造方法、太陽電池モジュール

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202307907U (zh) * 2011-10-24 2012-07-04 通用光伏能源(烟台)有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池
CN202796969U (zh) * 2012-08-07 2013-03-13 江苏武进汉能光伏有限公司 一种薄膜太阳能电池
CN202749383U (zh) * 2012-09-28 2013-02-20 尤怀恩 彩色半透明分光非晶硅薄膜太阳能电池
CN103618010A (zh) * 2013-10-21 2014-03-05 福建铂阳精工设备有限公司 硅基薄膜太阳能电池背电极及制造方法、硅基薄膜太阳能电池
CN103966565A (zh) * 2013-12-13 2014-08-06 云南师范大学 一种用于彩色薄膜太阳电池表面涂层的制备方法
CN105140311A (zh) * 2015-07-10 2015-12-09 福建铂阳精工设备有限公司 背电极及其制作方法和电池组件

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