CN202307907U - 一种硅基薄膜太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种硅基薄膜太阳能电池，包括透明基板（1）、透明前电极（3）、硅基电池（3）、背电极（10）、背板（8）以及接线盒（9），其特征为所述的背电极（10）是由第一层透明导电氧化物薄膜（4）、透明金属膜（5）、第二层透明导电氧化物薄膜（6）构成，在第二层透明导电氧化物薄膜（6）上覆盖一层白色PVB封装膜（7）。本实用新型在降低贵金属用量的基础上维持较高的电池性能，其加工方法简单，成本低，便于操作。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种硅基薄膜太阳能电池，尤其是一种具有低成本高功率特性的硅基薄膜太阳能电池。
背景技术
硅基薄膜太阳能电池由于原材料广泛、生产成本低、便于大规模生产而具有广泛的市场前景。但作为电流导出部分的背电极，通常使用厚度大于200nm的贵金属Ag，因而不仅造成背电极不透明，而且成本较高，若通过减薄金属Ag层厚度进一步降低成本，将会因反射性能降低而导致组件功率降低。
发明内容
本实用新型的目的是想提供一种新的硅基薄膜太阳能电池，该太阳能电池能在降低贵金属用量的基础上维持较高的电池性能，其加工方法简单，便于操作。
为实现本实用新型的上述目的所采用的技术方案是：一种硅基薄膜太阳能电池，包括透明基板、透明前电极、硅基电池、背电极、背板以及接线盒，其结构特点为所述的背电极是由第一层透明导电氧化物薄膜、厚度为10~30nm的透明金属膜、第二层透明导电氧化物薄膜构成，在第二层透明导电氧化物薄膜上覆盖一层白色PVB封装膜。
所述的第一层透明导电氧化物薄膜的厚度为10~100nm，所述的第二层透明导电氧化物的厚度为1~100nm。
本实用新型由于背电极采用厚度为10~30nm的较薄的金属膜，该金属膜呈透明状态，因而透光性好，成本低，而在第二层透明导电氧化物薄膜上覆盖一层白色PVB封装膜，可有效弥补因金属层变薄而造成的反射性能的降低问题，在不降低电池功率的基础上可使电池成本进一步降低。本实用新型加工方法简单，便于操作。
附图说明
图1为实用新型一种实施例的结构示意图。
具体实施方式
1
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细的描述。
由图1可以看出，本实用新型包含透明基板1、透明前电极2、硅基电池3、透明背电极10、背板8以及接线盒9，透明背电极10由厚度为10~100nm的第一层透明导电氧化物薄膜4、厚度为10~30nm的透明金属膜5、厚度为1~100nm的第二层透明导电氧化物薄膜6构成，在第二层透明导电氧化物薄膜6上覆盖一层白色PVB封装膜7，在白色PVB封装膜7上覆盖背板8，背板8上装有接线盒9。
所述的透明导电膜可以是采用三氧化二铟掺锡、二氧化锡掺氟、氧化锌掺铝（或掺镓、硼）、氧化锌金属氧化物的至少一种；所述的金属膜采用银、铝、铜或银铜合金导电金属的至少一种。
Claims (3)
1.一种硅基薄膜太阳能电池，包括透明基板（1）、透明前电极（3）、硅基电池（3）、背电极（10）、背板（8）以及接线盒（9），其特征为所述的背电极（10）是由第一层透明导电氧化物薄膜（4）、透明金属膜（5）、第二层透明导电氧化物薄膜（6）构成，在第二层透明导电氧化物薄膜（6）上覆盖一层白色PVB封装膜（7）。
2.按照权利要求1所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征是所述的透明金属膜（5）的厚度为10~30nm。
3.按照权利要求1所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征是所述的第一层透明导电氧化物薄膜（4）的厚度为10~100nm，所述的第二层透明导电氧化物薄膜（6）的厚度为1~100nm。
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