CN202651195U - 一种大功率led芯片 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种大功率LED芯片，本实用新型包括陶瓷基板、线路层、LED芯片、荧光粉涂层和硅胶型体，所述硅胶型体在所述线路层上围成首尾相连的闭合形状，所述LED芯片设置于线路层上，所述线路层设置于陶瓷基板上，所述荧光粉涂层通过粘合剂涂敷于LED芯片表面,LED芯片及荧光粉涂层均限位于硅胶型体围成的闭合形状内。上述结构中采用陶瓷基板取代普通的铝基板使得本结构散热效果好、稳定性不高；本结构的硅胶型体为高粘度的硅胶在印制线路层上画出的几何图形的支架，使材料成本大大降低，而且本实用新型使LED在封装的时候，荧光胶涂敷在芯片表面，由于处于硅胶范围内，不会四处流动，影响外观及发光颜色。

Description

一种大功率LED芯片
技术领域
本实用新型涉及一种LED灯，特别是一种大功率LED芯片。
背景技术
LED光源以寿命长，无污染，光效高、多光色及一次配光定向照射功能，可在安全电压下工作等诸多优势，成为新一代光源的发展趋势。基于上述的优点，很多灯具都采用LED光源作为照明光源。一些大功率LED芯片通常是将多个LED芯片单元直接固定在铝基板上然后封装的方式，上述结构的大功率LED芯片散热性不够好、稳定性不高。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种散热效果好、稳定性高的LED芯片。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种大功率LED芯片，其特征在于：包括陶瓷基板、线路层、LED芯片、荧光粉涂层和硅胶型体，所述硅胶型体在所述线路层上围成首尾相连的闭合形状，所述LED芯片设置于线路层上，所述线路层设置于陶瓷基板上，所述荧光粉涂层通过粘合剂涂敷于LED芯片表面, LED芯片及荧光粉涂层均限位于硅胶型体围成的闭合形状内。
所述硅胶型体为硅胶在线路层上画出的闭合图形，该图形包括圆形或矩形，圆形直径为3一100mm，矩形尺寸为长4一120mm,宽4一120mm。
所述陶瓷基板为氮化铝陶瓷基板。
本实用新型的有益效果是：本实用新型包括陶瓷基板、线路层、LED芯片、荧光粉涂层和硅胶型体，所述硅胶型体在所述线路层上围成首尾相连的闭合形状，所述LED芯片设置于线路层上，所述线路层设置于陶瓷基板上，所述荧光粉涂层通过粘合剂涂敷于LED芯片表面, LED芯片及荧光粉涂层均限位于硅胶型体围成的闭合形状内。上述结构中采用陶瓷基板取代普通的铝基板使得本结构散热效果好、稳定性不高；本结构的硅胶型体为高粘度的硅胶在印制线路层上画出的几何图形的支架，因而使材料成本大大降低，而且LED在封装的时候，荧光胶涂敷在芯片表面，由于处于硅胶范围内，不会四处流动，影响外观及发光颜色。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明：
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
参照图1，本实用新型公开了一种大功率LED芯片，包括陶瓷基板1、线路层（图中未示出）、LED芯片2、荧光粉涂层3和硅胶型体4，所述硅胶型体4在所述线路层上围成首尾相连的闭合形状，所述LED芯片2设置于线路层上，所述线路层设置于陶瓷基板1上，所述荧光粉涂层3通过粘合剂涂敷于LED芯片2表面, LED芯片2及荧光粉涂层3均限位于硅胶型体4围成的闭合形状内。
作为本实用新型的优选方案，陶瓷基板1为氮化铝陶瓷基板，因为氮化铝陶瓷具有热导率高、膨胀系数低、强度高、耐高温、耐化学腐蚀、电阻率高、介电损耗小等优点，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
硅胶在线路层上画出的硅胶型体4包括圆形或矩形，当然也包括其它形状，圆形直径为3一100mm，矩形尺寸为长4一120mm,宽4一120mm。其它形状包括还包括菱形、半圆形、平行四边形或其他不规则图形， LED的封装结构通过硅胶形状来确定不同形状的发光区。
上述只是对本发明的一些优选实施例进行了图示和描述，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，只要其以基本相同的手段达到本发明的技术效果，都应属于本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种大功率LED芯片，其特征在于：包括陶瓷基板（1）、线路层、LED芯片(2)、荧光粉涂层(3)和硅胶型体(4)，所述硅胶型体(4)在所述线路层(l)上围成首尾相连的闭合形状，所述LED芯片(2)设置于线路层上，所述线路层设置于陶瓷基板（1）上，所述荧光粉涂层(3)通过粘合剂涂敷于LED芯片(2)表面, LED芯片(2)及荧光粉涂层(3)均限位于硅胶型体(4)围成的闭合形状内。
2.根据权利要求1所述的一种大功率LED芯片，其特征在于:所述硅胶型体(4)为硅胶在线路层上画出的闭合图形，该图形包括圆形或矩形，圆形直径为3一100mm，矩形尺寸为长4一120mm,宽4一120mm。
3.根据权利要求1所述的一种大功率LED芯片，其特征在于:所述陶瓷基板（1）为氮化铝陶瓷基板。
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