CN105244432A - 一种led点状式cob模组及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种LED点状式COB模组，包括基板和印刷线路层，基板上设有至少一个以上LED发光点，LED发光点内设有LED发光芯片，每个LED发光点的外层均涂覆有荧光胶，LED发光芯片与印刷线路层导通，印刷线路层设有两个电极。一种LED点状式COB模组的制造方法，通过电镀或烧结的方式在基板上布置印刷线路层，对布置有印刷线路层的基板进行清洗和干燥，然后将LED发光芯片通过烘烤定型或回流焊方式固定在设置好的印刷线路层上，通过点胶方式涂覆在LED发光芯片的表面并烘烤定型。本发明的优点是：通过上述的方案设计，将LED发光芯片和高导热材料的基板直接复合在一起，省去了支架，减少了中间的热阻环节，能够较好的改善LED的散热问题，保证了LED的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED点状式COB模组及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LightEmittinDiode，LED)作为新一代固态光源，具有寿命长、高效节能、绿色环保等众多优点，被广泛地应用到显示！照明领域中随着科技发展，先进技术不断地应用于半导体生产中，以使LED的发光效率不断提升，成本持续下降。
LED的核心部分是PN结，注人的电子与空穴在PN结复合时把电能直接转换为光能，但是并不是所有转换的光能都够发射到LED外，它会在PN结和环氧树脂/硅胶内部被吸收片转化热能这种热能是对灯具产生巨大副作用，如果不能有效散热，会使LED内部温度升高，温度越高，LED的发光效率越低，且LED的寿命越短，严重情况下，会导致LED晶片立刻失效，所以散热问题仍是LED全面应用的巨大障碍。目前的技术应用主要是LED贴片和COB，通过材料的创新和研发，减少了热阻，但是，通过支架、基板等多道热阻屏障，散热还是有很大的改进空间。所以，减少热阻能够较好的改善LED的散热问题成为我们研发该产品的基础。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED点状式COB模组及其制造方法，能够有效解决现有LED发光芯片和基板之热阻高的问题。
为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：一种LED点状式COB模组，包括基板和附着在基板上的印刷线路层，所述基板上设有至少一个以上LED发光点，所述LED发光点内设有一个或一个以上LED发光芯片，每个所述LED发光点的外层均涂覆有荧光胶，所述LED发光芯片与印刷线路层导通，所述印刷线路层设有两个电极。
优选的，所述印刷线路层与基板之间通过电镀或烧结形式附着在一起，所述基板为金属基板、陶瓷基板、玻璃基板或蓝宝石基板中的一种；保证LED发光芯片良好的散热性能。
优选的，所述LED发光芯片为倒装芯片；保证LED发光芯片的发光率。
优选的，每个LED发光点的直径大小为1.5mm至5mm；保证整个LED发光的均匀性和高光效。
优选的，所述LED芯片通过导电锡膏或导电银浆粘结在基板上；粘接牢固易于操作。
一种LED点状式COB模组的制造方法，依次包括以下步骤：
A.通过电镀或烧结的方式在基板上布置印刷线路层，作为LED发光芯片的导电层和连接层；
B.对布置有印刷线路层的基板进行清洗和干燥，然后通过导电锡膏或导电银浆将LED发光芯片通过烘烤定型或回流焊方式固定在设置好的印刷线路层上；
C.将荧光胶进行真空脱泡后，通过点胶方式涂覆在LED发光芯片的表面并烘烤定型，形成点状式的荧光胶层。
优选的，所述步骤B中，当采用回流焊方式固定时，回流焊温度将依次经历210℃、235℃、245℃、250℃和230℃共5个温度，在每一个温度值上停留的时间为45～60秒；能保证焊接的稳固性。
优选的，所述步骤C中，通过点胶方式涂覆在LED发光芯片的表面并烘烤定型，先采用80℃恒温1小时，再升温到150℃恒温3小时，最后降温到110℃恒温1小时；保证点胶的稳定性。
与现有技术相比，本发明的优点是：通过上述的方案设计，将LED发光芯片和高导热材料的基板直接复合在一起，省去了支架，减少了中间的热阻环节，能够较好的改善LED的散热问题，提升了光效率，保证了LED的使用寿命。
附图说明
图1为本发明一种LED点状式COB模组的结构示意图；
图2为本发明一种LED点状式COB模组中LED发光点的结构示意图；
图3为本发明一种LED点状式COB模组中印刷电路层的结构示意图。
具体实施方式
参阅图1、图3，一种LED点状式COB模组，包括基板1和附着在基板1上的印刷线路层2，所述印刷线路层2与基板1之间通过电镀或烧结形式附着在一起，所述基板为金属基板、陶瓷基板、玻璃基板或蓝宝石基板中的一种，所述基板1上设有至少一个以上LED发光点3，如图2所示，所述LED发光点3内设有一个或一个以上LED发光芯片4，所述LED发光芯片为倒装芯片，每个所述LED发光点3的外层均涂覆有荧光胶5，每个LED发光点3的直径大小为1.5mm至5mm，所述LED发光芯片4与印刷线路层2导通，所述印刷线路层2设有两个电极6，所述LED芯片通过导电锡膏或导电银浆粘结在基板上。
一种LED点状式COB模组的制造方法，依次包括以下步骤：
A.通过电镀或烧结的方式在基板1上布置印刷线路层2，作为LED发光芯片的导电层和连接层；
B.对布置有印刷线路层2的基板1进行清洗和干燥，然后通过导电锡膏或导电银浆将LED发光芯片通过回流焊方式固定在设置好的印刷线路层上，回流焊温度将依次经历210℃、235℃、245℃、250℃和230℃共5个温度，在每一个温度值上停留的时间为45～60秒；
C.将荧光胶进行真空脱泡后，通过点胶方式涂覆在LED发光芯片的表面并烘烤定型，先采用80℃恒温1小时，再升温到150℃恒温3小时，最后降温到110℃恒温1小时形成点状式的荧光胶层4。
通过上述的方案设计，将LED发光芯片和高导热材料的基板直接复合在一起，省去了支架，减少了中间的热阻环节，能够较好的改善LED的散热问题，提升了光效率，保证了LED的使用寿命。
以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的技术特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围之中。
Claims (8)
1.一种LED点状式COB模组，其特征在于：包括基板(1)和附着在基板(1)上的印刷线路层(2)，所述基板(1)上设有至少一个以上LED发光点(3)，所述LED发光点(3)内设有一个或一个以上LED发光芯片(4)，每个所述LED发光点(3)的外层均涂覆有荧光胶(5)，所述LED发光芯片(4)与印刷线路层(2)导通，所述印刷线路层(2)设有两个电极(6)。
2.如权利要求1所述的一种LED点状式COB模组，其特征在于：所述印刷线路层(2)与基板(1)之间通过电镀或烧结形式附着在一起，所述基板为金属基板、陶瓷基板、玻璃基板或蓝宝石基板中的一种。
3.如权利要求1所述的一种LED点状式COB模组，其特征在于：所述LED发光芯片为倒装芯片。
4.如权利要求1所述的一种LED点状式COB模组，其特征在于：每个LED发光点(3)的直径大小为1.5mm至5mm。
5.如权利要求1所述的一种LED点状式COB模组，其特征在于：所述LED芯片通过导电锡膏或导电银浆粘结在基板上。
6.一种如权利要求1所述一种LED点状式COB模组的制造方法，其特征在于：依次包括以下步骤：
A.通过电镀或烧结的方式在基板(1)上布置印刷线路层(2)，作为LED发光芯片的导电层和连接层；
B.对布置有印刷线路层(2)的基板(1)进行清洗和干燥，然后通过导电锡膏或导电银浆将LED发光芯片通过烘烤定型或回流焊方式固定在设置好的印刷线路层上；
C.将荧光胶进行真空脱泡后，通过点胶方式涂覆在LED发光芯片的表面并烘烤定型，形成点状式的荧光胶层(4)。
7.如权利要求6所述的一种一种LED点状式COB模组的制造方法，其特征在于：所述步骤B中，当采用回流焊方式固定时，回流焊温度将依次经历210℃、235℃、245℃、250℃和230℃共5个温度，在每一个温度值上停留的时间为45～60秒。
8.如权利要求6所述的一种一种LED点状式COB模组的制造方法，其特征在于：所述步骤C中，通过点胶方式涂覆在LED发光芯片的表面并烘烤定型，先采用80℃恒温1小时，再升温到150℃恒温3小时，最后降温到110℃恒温1小时。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105715978A (zh) * | 2016-04-26 | 2016-06-29 | 广州市尤特新材料有限公司 | 一种led光源 |
| CN113448074A (zh) * | 2020-03-25 | 2021-09-28 | 北京威斯顿亚太光电仪器有限公司 | 一种一次性硬管镜的照明光源 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102290504A (zh) * | 2011-09-07 | 2011-12-21 | 惠州市西顿工业发展有限公司 | 基于高导热基板倒装焊技术的cob封装led模块和生产方法 |
| CN104037314A (zh) * | 2014-05-21 | 2014-09-10 | 深圳市格天光电有限公司 | 舞台灯覆晶cob光源及其生产工艺 |
| CN204271132U (zh) * | 2014-11-07 | 2015-04-15 | 深圳市新月光电有限公司 | 前端保护封装光源模组 |
| CN205069686U (zh) * | 2015-10-29 | 2016-03-02 | 杭州恒星高虹光电科技股份有限公司 | 一种led点状式cob模组 |
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2015
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102290504A (zh) * | 2011-09-07 | 2011-12-21 | 惠州市西顿工业发展有限公司 | 基于高导热基板倒装焊技术的cob封装led模块和生产方法 |
| CN104037314A (zh) * | 2014-05-21 | 2014-09-10 | 深圳市格天光电有限公司 | 舞台灯覆晶cob光源及其生产工艺 |
| CN204271132U (zh) * | 2014-11-07 | 2015-04-15 | 深圳市新月光电有限公司 | 前端保护封装光源模组 |
| CN205069686U (zh) * | 2015-10-29 | 2016-03-02 | 杭州恒星高虹光电科技股份有限公司 | 一种led点状式cob模组 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105715978A (zh) * | 2016-04-26 | 2016-06-29 | 广州市尤特新材料有限公司 | 一种led光源 |
| CN113448074A (zh) * | 2020-03-25 | 2021-09-28 | 北京威斯顿亚太光电仪器有限公司 | 一种一次性硬管镜的照明光源 |
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