CN202651188U - 高功率led器件玻璃金属封装基座 - Google Patents
高功率led器件玻璃金属封装基座 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202651188U CN202651188U CN 201120242685 CN201120242685U CN202651188U CN 202651188 U CN202651188 U CN 202651188U CN 201120242685 CN201120242685 CN 201120242685 CN 201120242685 U CN201120242685 U CN 201120242685U CN 202651188 U CN202651188 U CN 202651188U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ceramic
- red copper
- led device
- glass metal
- pottery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种高功率LED器件玻璃金属封装基座，它是由由陶瓷框架、紫铜底板和引线三部分组成。陶瓷框分陶瓷上件和陶瓷下件，陶瓷上件为碗状陶瓷腔体，陶瓷上件提供基座的反射腔。陶瓷下件为线路底板，陶瓷下件中央设有圆孔，四面经金属化工艺印刷布线为陶瓷金属化电极板。紫铜基板经镀金或镀银后为基座基板，紫铜基板中央区域为座芯，座芯为芯片安装区和二次光学组件安装区，芯片热沉共晶焊于座芯。
Description
所属技术领域
本实用新型涉及一种高功率LED器件玻璃金属封装基座，尤其是能够适用10W-20W大功率LED半导体照明器件散热技术的玻璃金属封装基座。
背景技术
功率型LED的功率为瓦(W)级。在大功率领域，LED封装向大功率方向发展迅猛，目前比较成熟的商品化的大功率LED输入功率一般为1W，芯片面积1mmX1m1mm，其热流密度达到了100W/cm2，如此高的热流密度如不采取有效的导热、散热措施，就会使LED芯片结温过高，芯片出射光子减少，发光效率降低。另一方面，结温的升高还会使芯片的发射光谱峰值波长偏离，导致单色光颜色或白光色温出现变化。随着温度的升高，LED的光效不断下降，寿命也随之大幅度缩短。LED的工作温度越低越好，因此，解决LED芯片的散热问题已成为功率型LED封装和LED照明应用的先决条件和关键问题。目前，已经进入市场的高功率LED照明器件基座主要由台湾地区和广东一些企业生产，基本采用的是两种结构形式：一种是用金属引线与工程塑料成型，表面镀银；一种是印制线路板板与工程塑料成型。他们大都是模仿美国飞利浦和德国欧司朗的基座结构。两种基座虽然发展迅速，广泛使用，但一般使用的功率或是低功率LED封装，无法乘载高功率的热能，仍然有许多不足和急需解决的问题，最突出的是基座的导热通路以及由此而导致的劣化问题，因其散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。
发明内容
为了克服现有功率型LED器件封装基座的散热缺陷，本实用新型提供一种高功率LED器件玻璃金属封装基座，该基座不仅有效地提高了大功率LED高温散热性能，而且有效解决了大功率LED的高温散热技术目前所无法突破的技术瓶颈。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：封装基座由陶瓷框架、紫铜基板和引线三部分组成。所述的陶瓷框架选用氧化铝陶瓷超细Al2O3微粉(颗粒为20um__30um)为基本材料，同时配置适量比例的金属氧化物材料，制成Al2O3陶瓷框架，分别烧结制成陶瓷上件和陶瓷下件。在氧化铝陶瓷配方中加入了一定数量超细Al2O3瓷粉(μ级微粉)配置多种金属氧化物材料，不仅利于提高瓷体的韧性及与金属化线路的结劲，而且达到了瓷质的平整度、致密性、细腻性、绝缘度、导热、传热，提高了瓷体的导热性能及膨胀系数，实现了散热快的效果。所述的陶瓷上件为碗状陶瓷腔体，陶瓷上件提供基座的反射腔。所述的陶瓷下件为线路 底板，陶瓷下件中央设有圆孔，四面经金属化工艺印刷布线为陶瓷金属化电极板，所述的紫铜基板经镀金或镀银后为基座基板，紫铜基板中央区域为座芯，所述座芯为芯片安装区和二次光学组件安装区，芯片热沉共晶焊于座芯。
本实用新型的有益效果是：基座由于使用的主要原材料氧化铝陶瓷、紫铜，并在特制氧化铝陶瓷基板上进行金属化工艺印刷电极，氧化铝陶瓷金属化电极板应用环境范围宽(40℃～+180℃)、不变形、不老化，电极绝缘电阻达1×1010Ω，抗机械强度高，引线电阻小于0.3Ω/cm2；紫铜基板经镀金或镀银后，器件封装芯片热沉共晶焊于座芯端面，且紫铜基板四面留有安装孔，基座通过安装孔紧贴于散热器，以充分保证快速传导热，突出解决了器件的热能导，提高了大功率型LED器件散热性能，改善因温升导致LED芯片光衰大及寿命下降的问题，增强了LED产品耐高低温度冲击性能，提高了产品的可靠性、稳定性，降低生产成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的外形结构纵剖面构造图。
图2是本实用新型外型结构俯视图。
图中1.紫铜基板，2.陶瓷下件，3.陶瓷上件
具体实施方式
在图1中，陶瓷上件(3)采用特殊配方制成的Al2O3作反射腔，出光角大于110°，陶瓷下件(2)采用特殊配方制成的Al2O3陶瓷板，应用陶瓷金属化工艺，在陶瓷板上进行设计布线，电板引出线可直接与外导线焊接，紫铜基板(1)采用1.5mm无氧铜，表面镀金或镀银，基板中央区域为座芯，芯片热沉共晶焊于座芯。陶瓷上件(3)无缝紧扣于陶瓷下件(2)，并应用银铜焊料与紫铜基板(1)进行高温共钎焊。
Claims (3)
1.一种高功率LED器件玻璃金属封装基座，它是由由陶瓷框架、紫铜底板和引线三部分组成，其特征是：陶瓷框架分为陶瓷上件(3)和陶瓷下件(2)，紫铜基板(1)为基座基板，陶瓷上件(3)、陶瓷下件(2)与紫铜基板(1)顺序紧配共同钎焊。
2.根据权利要求1所述的高功率LED器件玻璃金属封装基座，其特征是：陶瓷上件(3)为碗状陶瓷腔体，陶瓷上件(3)提供基座的反射腔，陶瓷下件(2)为线路底板，陶瓷下件(2)中央设有圆孔，四面经金属化工艺印刷布线为陶瓷金属化电极板。
3.根据权利要求1所述的高功率LED器件玻璃金属封装基座，其特征是：紫铜基板(1)为镀金或镀银基座基板，紫铜基板(1)中央区域为座芯，所述座芯为芯片安装区和二次光学组件安装区，芯片热沉共晶焊于座芯。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201120242685 CN202651188U (zh) | 2011-07-11 | 2011-07-11 | 高功率led器件玻璃金属封装基座 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201120242685 CN202651188U (zh) | 2011-07-11 | 2011-07-11 | 高功率led器件玻璃金属封装基座 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202651188U true CN202651188U (zh) | 2013-01-02 |
Family
ID=47420245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201120242685 Expired - Fee Related CN202651188U (zh) | 2011-07-11 | 2011-07-11 | 高功率led器件玻璃金属封装基座 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202651188U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103354269A (zh) * | 2013-06-17 | 2013-10-16 | 苏州晶品光电科技有限公司 | 高可靠性smd led封装结构 |
-
2011
- 2011-07-11 CN CN 201120242685 patent/CN202651188U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103354269A (zh) * | 2013-06-17 | 2013-10-16 | 苏州晶品光电科技有限公司 | 高可靠性smd led封装结构 |
| CN103354269B (zh) * | 2013-06-17 | 2016-01-13 | 苏州晶品光电科技有限公司 | 高可靠性smd led封装结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201117676Y (zh) | 集成微结构的大功率发光二极管封装结构 | |
| US20120061716A1 (en) | Manufacturing method for power led head-dissipating substrate and power led product and the products thereof | |
| CN100380694C (zh) | 一种倒装led芯片的封装方法 | |
| CN201412704Y (zh) | 一种集成led芯片的光源 | |
| CN201787386U (zh) | 一种照明用金属基板led模组 | |
| CN204732388U (zh) | 引线由侧面引出的陶瓷封装外壳 | |
| CN1971952A (zh) | 大功率led芯片倒焊装方法 | |
| CN203055978U (zh) | 倒装基板及基于该倒装基板的led封装结构 | |
| CN103022332B (zh) | 倒装基板及其制造方法及基于该倒装基板的led封装结构 | |
| CN202018960U (zh) | 绝缘底板发光芯片封装结构 | |
| CN202651188U (zh) | 高功率led器件玻璃金属封装基座 | |
| CN201655833U (zh) | 一种大功率led封装基座 | |
| CN102339929A (zh) | Led发光组件的制造方法 | |
| CN204167364U (zh) | 高导热氮化铝全瓷led封装外壳 | |
| CN202616297U (zh) | 一种高功率led散热陶瓷基板 | |
| CN102903838A (zh) | 带散热结构的封装led光源及其制备方法 | |
| CN216133873U (zh) | 抗冷热冲击性能优良的金属围坝陶瓷封装基板 | |
| CN203013791U (zh) | 一种基于dfn、qfn的新型led封装件 | |
| CN202758927U (zh) | 功率型led器件陶瓷封装基座 | |
| CN201435407Y (zh) | 一种新型led封装用基板 | |
| CN201022077Y (zh) | 硅衬底平面led集成芯片 | |
| CN103022335B (zh) | Led倒装芯片dpc陶瓷基板电子制冷一体化模组及其制作方法 | |
| CN103247742A (zh) | 一种led散热基板及其制造方法 | |
| CN103107264A (zh) | 集成led光源封装支架 | |
| CN103887396A (zh) | 一种led芯片直接焊接到铜热沉表面的发光组件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130102 Termination date: 20150711 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |