实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有的Dickson电荷泵受NMOS阈值电压的影响工作效率偏低的缺陷。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种电荷泵单级电路,包括第一传输单元和第二传输单元,其中:
所述第一传输单元包括第一时钟接入端、第一输入端及第一输出端,所述第一输入端用于接入第一输入信号,所述第一输出端用于输出第一输出信号;
所述第二传输单元包括第二时钟接入端、第二输入端及第二输出端,所述第二输入端用于接入第二输入信号,所述第二输出端用于输出第二输出信号;
所述第一时钟接入端及第二时钟接入端分别接入两相互补时钟信号中的 其中一相,所述第一传输单元用于跟随所接入的时钟信号将电荷从所述第一输入端传输至第一输出端,所述第二传输单元用于跟随所接入的时钟信号将电荷从所述第二输入端传输至第二输出端。
优选地,所述第一传输单元包括第一传输电路及包括四个控制端的第一输出控制电路;其中:
所述第一传输电路包括所述第一时钟接入端、第一输入端及第一输出端,还包括第一输入控制端及第一输出控制端;
所述第一输出控制电路的第一控制端连接所述第一输出端,第二控制端连接所述第一时钟接入端,第三控制端连接所述第一输出控制端;
所述第一输入控制端及第一输出控制电路的第四控制端分别连接所述第二传输单元,用于跟随所述第一时钟接入端接入的时钟信号关断或者开启所述第二传输单元传输电荷。
优选地,所述第一传输电路包括第一传输NMOS管Nt1、第一传输PMOS管Pt1以及第一传输电容Ct1,其中:
所述第一传输NMOS管Nt1的漏极为所述第一输入端,栅极为所述第一输入控制端,源极连接所述第一传输电容Ct1的第一端及所述第一传输PMOS管Pt1的漏极;
所述第一传输电容Ct1的第二端为所述第一时钟接入端;
所述第一传输PMOS管Pt1的栅极为所述第一输出控制端,源极和衬底连接在一起,为所述第一输出端。
优选地,所述第一输出控制电路包括第一充电PMOS管Pc1及第一PMOS管控制电容Cp1,其中:
所述第一充电PMOS管Pc1的源极和衬底连接在一起,为所述第一输出控制电路的第一控制端,栅极为所述第一输出控制电路的第三控制端,漏极为所述第一输出控制电路的第四控制端;
第一PMOS管控制电容Cp1的第一端连接所述第一充电PMOS管Pc1的漏极,第二端为所述第一输出控制电路的第二控制端。
优选地,所述第二传输单元包括第二传输电路及包括四个控制端的第二 输出控制电路;其中:
所述第二传输电路包括所述第二时钟接入端、第二输入端及第二输出端,还包括第二输入控制端及第二输出控制端;
所述第二输出控制电路的第一控制端连接所述第二输出端,第二控制端连接所述第一时钟接入端,第三控制端连接所述第二输出控制端;
所述第二输入控制端及第二输出控制电路的第四控制端分别连接所述第一传输单元,用于跟随所述第二时钟接入端接入的时钟信号关断或者开启所述第一传输单元传输电荷。
优选地,所述第二传输电路包括第二传输NMOS管Nt1’、第二传输PMOS管Pt1’以及第二传输电容Ct1’,其中:
所述第二传输NMOS管Nt1’的漏极为所述第二输入端,栅极为所述第二输入控制端,源极连接所述第二传输电容Ct1’的第一端及所述第二传输PMOS管Pt1’的漏极;
所述第二传输电容Ct1’的第二端为所述第二时钟接入端;
所述第二传输PMOS管Pt1’的栅极为所述第二输出控制端,源极和衬底连接在一起,为所述第二输出端。
优选地,所述第二输出控制电路包括第二充电PMOS管Pc1’及第二PMOS管控制电容Cp1’,其中:
所述第二充电PMOS管Pc1’的源极和衬底连接在一起,为所述第二输出控制电路的第一控制端,栅极为所述第二输出控制电路的第三控制端,漏极为所述第二输出控制电路的第四控制端;
第二PMOS管控制电容Cp1’的第一端连接所述第二充电PMOS管Pc1’的漏极,第二端为所述第二输出控制电路的第二控制端。
本实用新型还通过了一种电荷泵电路,包括至少两级如前所述的单级电路,其中:
第一级单级电路的第一输入端及第二输入端连接在一起,为所述电荷泵电路的输入端;最后一级单级电路的第一输出端及第二输出端连接在一起,为所述电荷泵电路的输出端,且经输出电容接地;
所述电荷泵电路的级数x大于2时,第i级单级电路的第一输入端连接第i-1级单级电路的第一输出端,第二输入端连接第i-1级单级电路的第二输出端;其中,i大于等于2小于等于x-1,第x级单级电路为所述最后一级单级电路;
相邻两级的单级电路的第一传输单元接入的时钟信号互补。
与现有技术相比,本实用新型的实施例有效消除了目前Dickson电荷泵受NMOS管阈值电压的影响,并减小了开关管的导通电阻,从而显著提高了电荷泵的单级电压增益和电荷传输的效率。本实用新型的实施例比现有的Dickson电荷泵更适合工作在低输入电压下(1.2V甚至更低)。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本实用新型的实施方式,借此对本实用新型如何应用技术手段来解决技术问题,并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。
图4是本实用新型实施例提供的一种电荷泵单级电路。如图4所示,本实施例电荷泵单级电路包括第一传输单元410和第二传输单元420。
第一传输单元包括第一时钟接入端、第一输入端及第一输出端,第一输入端用于接入第一输入信号,第一输出端用于输出第一输出信号;
第二传输单元包括第二时钟接入端、第二输入端及第二输出端,第二输入端用于接入第二输入信号,第二输出端用于输出第二输出信号;
第一时钟接入端及第二时钟接入端分别接入两相互补时钟信号中的其中一相,第一传输单元用于跟随所接入的时钟信号将电荷从第一输入端传输至第一输出端,第二传输单元用于跟随所接入的时钟信号将电荷从第二输入端传输至第二输出端。
本实用新型的实施例中,第一传输单元包括第一传输电路及包括四个控制端的第一输出控制电路;其中:
第一传输电路包括第一时钟接入端、第一输入端及第一输出端,还包括第一输入控制端及第一输出控制端;
第一输出控制电路的第一控制端连接第一输出端,第二控制端连接第一时钟接入端,第三控制端连接第一输出控制端;
第一输入控制端及第一输出控制电路的第四控制端分别连接第二传输单元,用于跟随第一时钟接入端接入的时钟信号关断或者开启第二传输单元传输电荷。
本实用新型的实施例中,第一传输电路包括第一传输NMOS管Nt1、第一传输PMOS管Pt1以及第一传输电容Ct1,其中:
第一传输NMOS管Nt1的漏极为第一输入端,栅极为第一输入控制端,源极连接第一传输电容Ct1的第一端及第一传输PMOS管Pt1的漏极;
第一传输电容Ct1的第二端为第一时钟接入端;
第一传输PMOS管Pt1的栅极为第一输出控制端,源极和衬底连接在一起,为第一输出端。
本实用新型的实施例中,第一输出控制电路包括第一充电PMOS管Pc1及第一PMOS管控制电容Cp1,其中:
第一充电PMOS管Pc1的源极和衬底连接在一起,为第一输出控制电路的第一控制端,栅极为第一输出控制电路的第三控制端,漏极为第一输出控制电路的第四控制端;
第一PMOS管控制电容Cp1的第一端连接第一充电PMOS管Pc1的漏极,第二端为第一输出控制电路的第二控制端。
本实用新型的实施例中,第二传输单元包括第二传输电路及包括四个控 制端的第二输出控制电路;其中:
第二传输电路包括第二时钟接入端、第二输入端及第二输出端,还包括第二输入控制端及第二输出控制端;
第二输出控制电路的第一控制端连接第二输出端,第二控制端连接第一时钟接入端,第三控制端连接第二输出控制端;
第二输入控制端及第二输出控制电路的第四控制端分别连接第一传输单元,用于跟随第二时钟接入端接入的时钟信号关断或者开启第一传输单元传输电荷。
本实用新型的实施例中,第二传输电路包括第二传输NMOS管Nt1’、第二传输PMOS管Pt1’以及第二传输电容Ct1’,其中:
第二传输NMOS管Nt1’的漏极为第二输入端,栅极为第二输入控制端,源极连接第二传输电容Ct1’的第一端及第二传输PMOS管Pt1’的漏极;
第二传输电容Ct1’的第二端为第二时钟接入端;
第二传输PMOS管Pt1’的栅极为第二输出控制端,源极和衬底连接在一起,为第二输出端。
本实用新型的实施例中,第二输出控制电路包括第二充电PMOS管Pc1’及第二PMOS管控制电容Cp1’,其中:
第二充电PMOS管Pc1’的源极和衬底连接在一起,为第二输出控制电路的第一控制端,栅极为第二输出控制电路的第三控制端,漏极为第二输出控制电路的第四控制端;
第二PMOS管控制电容Cp1’的第一端连接第二充电PMOS管Pc1’的漏极,第二端为第二输出控制电路的第二控制端。
如图4所示,本实用新型的实施例中,第一传输单元410包括第一传输NMOS管Nt1(N型MOS管)、第一充电PMOS管Pc1(P型MOS管)、第一传输PMOS管Pt1(P型MOS管)、第一PMOS管控制电容Cp1以及第一传输电容Ct1。
在第一传输单元410中,第一传输NMOS管Nt1的漏极为第一输入端,接入第一输入信号Vin,源极连接第一传输电容Ct1的第一端以及第一传输 PMOS管Pt1的漏极。第一传输PMOS管Pt1的栅极连接第一充电PMOS管Pc1的栅极,源极和衬底连接在一起,并连接第一充电PMOS管Pc1的源极和衬底,为第一输出端,输出第一输出信号Vo1。第一充电PMOS管Pc1的漏极连接第一PMOS管控制电容Cp1的第一端。第一传输电容Ct1以及第一PMOS管控制电容Cp1的第二端连接在一起,接入第一相时钟信号clka。
如图4所示,本实用新型的实施例中,第二传输单元420包括第二传输NMOS管Nt1’(N型MOS管)、第二充电PMOS管Pc1’(P型MOS管)、第二传输PMOS管Pt1’(P型MOS管)、第二PMOS管控制电容Cp1’以及第二传输电容Ct1’。
在第二传输单元420中,第二传输NMOS管Nt1’的漏极为第二输入端,接入第二输入信号Vin’,源极连接第二传输电容Ct1’的第一端以及第二传输PMOS管Pt1’的漏极。第二传输PMOS管Pt1’的栅极连接第二充电PMOS管Pc1’的栅极,源极和衬底连接在一起,并连接第二充电PMOS管Pc1’的源极和衬底,为第二输出端,输出第二输出信号Vo1’。第二充电PMOS管Pc1’的漏极连接第二PMOS管控制电容Cp1’的第一端。第二传输电容Ct1’以及第二PMOS管控制电容Cp1’的第二端连接在一起,接入第二相时钟信号clka’。
并且,第一传输单元410中的第一传输NMOS管Nt1的栅极,还连接第二传输单元420中的第二传输NMOS管Nt1’的源极、第二传输电容Ct1’的第一端以及第二传输PMOS管Pt1’的漏极。第二传输单元420中的第二传输NMOS管Nt1’的栅极,还连接第一传输NMOS管Nt1的源极、第一传输电容Ct1的第一端以及第一传输PMOS管Pt1的漏极。
第一传输单元410中的第一传输PMOS管Pt1的栅极以及第一充电PMOS管Pc1的栅极,还连接第二传输单元420中的第二充电PMOS管Pc1’的漏极以及第二PMOS管控制电容Cp1’的第一端。第二传输单元420中的第二传输PMOS管Pt1’的栅极以及第二充电PMOS管Pc1’的栅极,还连接第一传输单元410中的第一充电PMOS管Pc1的漏极及第一PMOS管控制电容Cp1的第一端。
图4所示的实施例,第一PMOS管控制电容Cp1是第二充电PMOS管Pc1’和第二传输PMOS管Pt1’的控制电容,第二PMOS管控制电容Cp1’是第 一充电PMOS管Pc1和第一传输PMOS管Pt1的控制电容。第一传输NMOS管Nt1和第二传输NMOS管Nt1’是电荷传输路径上的NMOS管,第一传输PMOS管Pt1和第二传输PMOS管Pt1’是电荷传输路径上的PMOS管。第一充电PMOS管Pc1用于为第一PMOS管控制电容Cp1充电,第二充电PMOS管Pc1’用于为第二PMOS管控制电容Cp1’充电。第一传输电容Ct1和第二传输电容Ct1’主要用来向下一级传输电荷。
第一相时钟信号clka和第二相时钟信号clka’为如图3所示的两相互补时钟信号,可使得在任一时刻,第一传输NMOS管Nt1(N型MOS管)、第一传输PMOS管Pt1、第二传输NMOS管Nt1’以及第二传输PMOS管Pt1’中均有两个MOS管处于工作状态(请参考后述的详细分析),提高了电荷泵单级电路中电荷传输的效率。
图5是本实用新型实施例提供的一种电荷泵电路。如图5所示,其包含逐级相连的多级(两级或者两级以上)如图4所示的电荷泵单级电路,图中标识的数字表示各级电荷泵单级电路位于电荷泵电路中的级数(第几级),x为整数,表示电荷泵单级电路的数量,同时也表示本实施例中电荷泵电路的级数。
如图5所示,本实施例的电荷泵电路,在第一级电荷泵单级电路中,第一输入端和第二输入端连接在一起,作为整个电荷泵电路的输入端,接入输入电压Vdd。在第x级(第x级为最后一级)电荷泵单级电路中,第一输出端和第二输出端连接在一起,连接输出电容Cout的第一端,且作为整个电荷泵电路的输出端,提供输出电压Vout;输出电容Cout的第二端接地。
在电荷泵电路的级数x大于2时,除第一级及最后一级的电荷泵单级电路之外,其余各级电荷泵单级电路中,第i级单级电路的第一输入端连接第i-1级的第一输出端,第二输入端连接第i-1级的第二输出端;第一输出端连接第i+1级的第一输入端,第二输出端连接第i+1级的第二输入端;其中,i为大于等于2且小于等于x-1的整数,第x级单级电路为最后一级单级电路。比如第二级电荷泵单级电路的第一输入端连接第一级电荷泵单级电路的第一输出端,第二输入端连接第一级电荷泵单级电路的第二输出端;又如第三级电荷泵单级电路的第一输入端连接第二级电荷泵单级电路的第一输出端,第 二输入端连接第二级电荷泵单级电路的第二输出端;等等,以此类推,各级电荷泵单级电路串接在一起,形成本实施例的电荷泵电路。
如图5所示,相邻两级的单级电路的第一传输单元所接入的时钟信号互补(同时,相邻两级的单级电路的第二传输单元所接入的时钟信号也互补)。各级单级电路中的第一传输单元交替性地接入两相互补时钟信号,同时各级单级电路中的第二传输单元也交替性地接入该两相互补时钟信号。
如图5所示的实施例,共有上下两条电荷传输路径,下面一条的第一电荷传输路径中,电荷依次经由电源Vdd,第一级电荷泵单级电路第一传输NMOS管Nt1、第一传输电容Ct1及第一传输PMOS管Pt1,第二级电荷泵单级电路第一传输NMOS管Nt2、第一传输电容Ct2及第一传输PMOS管Pt2,......,第x级电荷泵单级电路第一传输NMOS管Ntx、第一传输电容Ctx及第一传输PMOS管Ptx,最后传输至输出端。上面一条的第二电荷传输路径中电荷的传输与下面一条的第一电荷传输路径中电荷的传输相对应,依次经由电源Vdd,第一级电荷泵单级电路第二传输NMOS管Nt1’、第二传输电容Ct1’及第二传输PMOS管Pt1’,第二级电荷泵单级电路第二传输NMOS管Nt2’、第二传输电容Ct2’及第二传输PMOS管Pt2’,......,第x级电荷泵单级电路第二传输NMOS管Ntx’、第二传输电容Ctx’及第二传输PMOS管Ptx’,最后传输至输出端。两条电荷传输路径的工作原理相同,以下做详细说明。
首先假设第一相时钟信号clka在初始阶段是低电平(比如电压幅值为0),第二相时钟信号clka’为高电平(比如幅值为输入电压Vdd),且所有电容两端的电压都是输入电压Vdd。在第一级电荷泵单级电路中,第二传输NMOS管Nt1’的栅源电压Vgs<开启电压Vthn,即其工作在截止区,输入电压Vdd并不能给第二传输电容Ct1’进行充电。第一级电荷泵单级电路中的第二传输PMOS管Pt1’和第二充电PMOS管Pc1’的栅源电压Vgs远大于开启电压Vthp,第二级电荷泵单级电路中的第二传输NMOS管Nt2’的栅源电压Vgs亦远大于开启电压Vthn,它们均工作在深线性区,电荷由第一级电荷泵单级电路中的第二传输电容Ct1’经第一级单级电路中的第二传输PMOS管Pt1’的源极和第二级单级电路中的第二传输NMOS管Nt2’的漏极传输至第二 级电荷泵单级电路中的第二传输电容Ct2’(或者说此刻第一级电荷泵单级电路中的第二传输电容Ct1’及第二PMOS管控制电容Cp1’,第二级电荷泵单级电路中的第二传输电容Ct2’这三个电容共享电荷,直至它们的阳极板的电势相等为止)。
与此同时,第一电荷传输路径上,第一级电荷泵单级电路中的第一传输NMOS管Nt1工作在深线性区,电荷由输入端(Vdd)传输至第一传输电容Ct1,直至第一传输电容Ct1的电压充电至输入电压Vdd为止;第一级电荷泵单级电路中的第一传输PMOS管Pt1及第一充电PMOS管Pc1,第二级电荷泵单级电路中的第一传输NMOS管Nt2均工作在截止区,电荷并不能由第一级电荷泵单级电路中的第一传输电容Ct1经第一级单级电路中的第一传输PMOS管Pt1的源极和第二级单级电路中的第一传输NMOS管Nt2的漏极传输至第二级电荷泵单级电路中的第一传输电容Ct2上。
当第一相时钟信号clka由低电平翻转为高电平,第二相时钟信号clka’由高电平翻转为低电平后,在第一级电荷泵单级电路中,第二传输NMOS管Nt1’的栅极电压增大,其工作在深线性区,电荷由输入端(Vdd)传输至第二传输电容Ct1’;第一级电荷泵单级电路中的第二传输PMOS管Pt1’和第二充电PMOS管Pc1’的栅极电压增大,两个管子工作在截止区,第二级电荷泵单级电路中的第二传输NMOS管Nt2’的栅极电压减小,亦工作在截止区,因此电荷不能由第一级电荷泵单级电路中的第二传输电容Ct1’经第一级单级电路中的第二传输PMOS管Pt1’的源极和第二级单级电路中的第二传输NMOS管Nt2’的漏极传输至第二级电荷泵单级电路中的第二传输电容Ct2’。
与此同时,第一电荷传输路径上,第一级电荷泵单级电路中的第一传输NMOS管Nt1工作在截止区,输入电压Vdd不能给第一传输电容Ct1进行充电;第一级电荷泵单级电路中的第一传输PMOS管Pt1及第一充电PMOS管Pc1,第二级电荷泵单级电路中的第一传输NMOS管Nt2工作在深线性区,电荷由第一级电荷泵单级电路中的第一传输电容Ct1经第一级单级电路中的第一传输PMOS管Pt1的源极和第二级单级电路中的第一传输NMOS管Nt2的漏极传输至第二级电荷泵单级电路中的第一传输电容Ct2上(或者说此刻第一级电荷泵单级电路中的第一传输电容Ct1及第一PMOS管控制电容Cp1, 第二级电荷泵单级电路中的第二传输电容Ct2这三个电容共享电荷,直至它们的阳极板的电势相等为止)。
这样,图5所示的电荷泵电路就完成了一个时钟周期内的电荷传输工作。在后续时钟周期,第二级,......,直至第x级的工作过程与第一级完全相同,可参考前述第一级和第二级电荷泵单级电路传递电荷的过程进行理解,此处不做赘述。
之后,随着时钟的推进,本实施例的电荷泵电路中的电荷不断的地由前级向后级转移,直到将输出电压抬高至目标值。
由上面的工作过程可知,上下两条电荷传输路径的工作过程互补,即假如在时钟的前半周期,由上面的第二电荷传输路径向输出端提供电荷,则在时钟下半周期由下面的第一电荷传输路径向输出端提供电荷,从而保证在整个时钟周期内,电荷泵的驱动能力都一样,这样就提高了工作效率,降低了电荷泵输出电压的纹波。
另外,在电荷经由PMOS管向下一级电荷泵单级电路传输时,该PMOS管的栅极电压始终保持在一个恒定的低电位,而不是随着时间的推移电位增大,这种工作方式可以确保PMOS管始终工作在深线性区,且处于一个较低的导通电阻,这样非常显著地提高了电荷的传输效率。两条电荷传输路径中的NMOS管采用了交叉耦合的结构,亦可保证它们工作在深线性区,且并不受到阈值电压的影响,提高了电荷泵的单级电压增益,改善了电荷的传输效率。
本实用新型的实施例在电荷泵单级电路中采用PMOS开关管(即第一传输PMOS管Pt1)和NMOS开关管(即第一传输NMOS管Nt1)代替传统Dickson电荷泵中的二极管,可以消除阈值电压对电荷传输效率的影响。开关管通常工作在深线性区,其栅源电压远大于其阈值电压,因此对于NMOS开关管,主要是提高它的栅极电压,而对于PMOS开关管主要是减小它的栅极电压。本实用新型实施例电荷泵的电路结构保证了在电荷传输期间PMOS开关管的栅极电压始终保持在一个恒定的低电位上,进而减小它的导通电阻。
相比现有的Dickson电荷泵,本实用新型的实施例更适合工作在低输入电压下,比如1.2伏(V)甚至更低。因为NMOS管的阈值电压是0.8伏V, 如果采用现有的Dickson电荷泵的输入电压是1.2V,则只能给第一级的传输电容充电至0.4V,且越靠近输出级,受体效应影响就越大,NMOS管的阈值电压会增大,如1.0V等等。如果阈值电压增大到1.2V,再往后就不能传输电荷,输出电压就不会增加。本实用新型的实施例克服了这一缺陷,电荷泵电路中的每一级都可以传输全部的电荷。
虽然本实用新型所揭露的实施方式如上,但所述的内容只是为了便于理解本实用新型而采用的实施方式,并非用以限定本实用新型。任何本实用新型所属技术领域内的技术人员,在不脱离本实用新型所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化,但本实用新型的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。