CN202425043U - 硅电容麦克风的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及了一种硅电容麦克风的封装结构，包括基底、固持于所述基底上并具有内腔的外壳、以及收容于所述内腔内并固持于所述基底上的电子组件，所述基底上设有至少一圈围绕所述电子组件并位于内腔内的隔离凹槽，所述隔离凹槽用于阻止胶水污染和焊液污染。在基底上设置围绕电子组件的隔离凹槽，可以防止粘接或密封电子组件的胶水流到导电层的边缘而影响外壳的焊接，同时也可以阻止焊接外壳的焊液流到电子组件而造成短路，提高了产品的良品率和硅电容麦克风的可靠性。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及一种硅电容麦克风，尤其涉及一种硅电容麦克风的封装结构。
【背景技术】
硅电容麦克风由于良好的性能，极小的体积，和适合表面贴装应用而受到广泛的关注，该类麦克风的传感器芯片部分是在硅片上采用微机电技术制作的。与微电子产品类似，该类芯片能用较低的成本获得极大的产量。为了保护易碎芯片、与外界形成物理和电学连接、减少外部干扰，一个完整的硅电容麦克风除了芯片以外必须进行封装。与传统微电子不同的是，硅电容麦克风对封装的要求比较特殊，封装技术成为制约硅电容麦克风产业化的瓶颈。
现在的硅电容麦克风由于体积非常之小，在粘接MEMS芯片时或者用胶水密封ASIC芯片时，胶水容易流到导电层上，造成焊盘污染，影响外壳焊接，同时，焊接外壳的焊液也容易流到MEMS芯片而造成短路，降低了产品的良品率和硅电容麦克风的可靠性。
因此，有必要针对上述缺点提供一种新的硅电容麦克风的封装结构。
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于解决上述硅电容麦克风在封装时候，粘接MEMS芯片时或者用胶水密封ASIC芯片时，胶水容易流到导电层上，造成焊盘污染，影响外壳焊接，同时，焊接外壳的焊液也容易流到MEMS芯片和ASIC芯片而造成短路，降低了产品的良品率和硅电容麦克风的可靠性的不足，而提供一种硅电容麦克风的封装结构。
一种硅电容麦克风的封装结构，包括基底、固持于所述基底上并具有内腔的外壳、以及收容于所述内腔内并固持于所述基底上的电子组件，所述基底上设有至少一圈围绕所述电子组件并位于内腔内的隔离凹槽，所述隔离凹槽用于阻止胶水污染和焊液污染。
优选的，所述电子组件包括MEMS芯片和ASIC芯片。
优选的，所述基底包括基材层、位于所述基材层上表面的导电层和位于所述导电层上表面的绝缘层。
优选的，所述外壳的开口面通过锡膏焊接于所述导电层。
优选的，所述隔离凹槽设置在绝缘层。
优选的，所述所述隔离凹槽设置在导电层。
优选的，所述绝缘层为绿油。
优选的，所述导电层为铜箔。
本实用新型的有益效果在于：在基底上设置围绕电子组件的隔离凹槽，可以防止粘接或密封电子组件的胶水流到导电层的边缘而影响外壳的焊接，同时也可以阻止焊接外壳的焊液流到电子组件而造成短路，提高了产品的良品率和硅电容麦克风的可靠性。
【附图说明】
图1是硅电容麦克风缺少外壳的第一主视图；
图2是图1硅电容麦克风的第一剖视图；
图3是硅电容麦克风缺少外壳的第二主视图；
图4是图3硅电容麦克风的第二剖视图。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。
如图1、图2和图3所示，本实用新型提供一种硅电容麦克风的封装结构，基底10、固持于所述基底10上并具有内腔的外壳11、以及收容于所述内腔内并固持于所述基底10上的电子组件12。所述基底10包括基材层13、位于所述基材层13上表面的导电层14和位于所述导电层14上表面的绝缘层15。所述电子组件12包括MEMS芯片16和ASIC芯片17，所述MEMS芯片16将外部流入的声压信号转换为电信号，所述ASIC芯片17向所述MEMS芯片16提供电源，放大所述MEMS芯片16的电信号。
所述绝缘层15优选的为绿油，所述导电层14优选的为铜箔，所述绿油直接印刷在铜箔上。所述外壳11的开口面通过锡膏焊接固持于所述导电层14。
如图2所示，所述基底10上设有至少一圈环绕所述电子组件12并位于内腔内的隔离凹槽101，所述隔离凹槽101用于阻止胶水污染和焊液污染。所述隔离凹槽101设置在绝缘层15，从而在所述绝缘层15边缘形成一隔离圈151。该隔离凹槽101可以防止粘接或密封电子组件12的胶水流到导电层14的边缘而影响外壳11的焊接，同时也可以阻止焊接外壳11的焊液流到电子组件12而造成短路，提高了产品的良品率和硅电容麦克风的可靠性。
如图4所示，所述基底10上设有至少一圈环绕所述电子组件14并位于内腔内的隔离凹槽101，所述隔离凹槽101用于阻止胶水污染和焊液污染。所述隔离凹槽101设置在导电层14。该隔离凹槽101可以防止粘接或密封电子组件12的胶水流到导电层14的边缘而影响外壳11的焊接，同时也可以阻止焊接外壳11的焊液流到电子组件12而造成短路，提高了产品的良品率和硅电容麦克风的可靠性。
以上所述的仅是本实用新型的较佳实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种硅电容麦克风的封装结构，包括基底、固持于所述基底上并具有内腔的外壳、以及收容于所述内腔内并固持于所述基底上的电子组件，其特征在于：所述基底上设有至少一圈围绕所述电子组件并位于内腔内的隔离凹槽，所述隔离凹槽用于阻止胶水污染和焊液污染。
2.根据权利要求1所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述电子组件包括MEMS芯片和ASIC芯片。
3.根据权利要求1所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述基底包括基材层、位于所述基材层上表面的导电层和位于所述导电层上表面的绝缘层。
4.根据权利要求3所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述外壳的开口面通过锡膏焊接于所述导电层。
5.根据权利要求4所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述隔离凹槽设置在绝缘层。
6.根据权利要求4所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述所述隔离凹槽设置在导电层。
7.根据权利要求1～6任意一项所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述绝缘层为绿油。
8.根据权利要求7所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述导电层为铜箔。
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|---|---|---|---|
| CN 201120546665 CN202425043U (zh) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | 硅电容麦克风的封装结构 |
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| CN 201120546665 CN202425043U (zh) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | 硅电容麦克风的封装结构 |
Publications (1)
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN106331967A (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-11 | 意法半导体股份有限公司 | 微机电麦克风、包括微机电麦克风的电子系统和制造工艺 |
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2011
- 2011-12-23 CN CN 201120546665 patent/CN202425043U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106331967A (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-11 | 意法半导体股份有限公司 | 微机电麦克风、包括微机电麦克风的电子系统和制造工艺 |
| US10225635B2 (en) | 2015-06-30 | 2019-03-05 | Stmicroelectronics S.R.L. | Microelectromechanical microphone |
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