CN202274956U - 压力传感器及半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种压力传感器和半导体装置，其用于由微机电技术制作的压力传感器，所述压力传感器具备：内部形成有基准压室的基板；埋入以贯通所述基板的表面与所述基准压室之间的方式而形成于所述基板的贯通孔，且密闭所述基准压室的闭塞体；在所述基板的表面与所述基准压室之间设置于所述基板内，且根据所述基板的应变变形而电阻变化的应变计。根据该结构，在基板内形成密闭的基准压力室。因而，不需要通过贴合两片基板来形成基准压室，因此能够降低成本。此外，由形成在基板内的应变计来检测基板的表面和基准压室之间的部分(受压部)所受到的压力。因而，能够使传感器小型化。

Description

压力传感器及半导体装置
技术领域
本实用新型涉及压力传感器及其制造方法。 
背景技术
利用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电)技术制作的压力传感器例如用于工业机械等所具备的压力传感器、压力开关等用途。 
此种压力传感器例如具备将硅晶片局部减薄加工而形成的隔板作为受压部，并检测隔板受到来自外部的压力而变形时产生的应力和变位。为了将隔板受到的压力作为相对于基准压力的相对大小来进行检测，此种压力传感器上设有用于产生基准压力的空洞。 
例如已知有如下压力传感器：利用蚀刻来局部减薄加工而形成隔板的硅基板与玻璃基板(例如派热克斯(注册商标)玻璃)阳极接合，由此设有由隔板及玻璃基板形成的空洞(基准压室)。 
但是，在现有的压力传感器中，除了硅基板以外还需要玻璃基板，因此成本升高。此外，硅基板及玻璃基板的至少两片基板贴合而成的立体构造的体积大，因此压力传感器整体的体积变大。 
进而，在形成空洞时，在蚀刻硅基板而形成隔板之后，为了将该隔板上的凹空间密闭而形成空洞，需要将玻璃基板与硅基板精密地对位并阳极接合。因此，传感器的制造工序变得复杂。 
参照附图，由如下记载的实施方式的说明来明确本实用新型的上述或其他的目的、特征及效果。 
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种压力传感器，其通过将作为基准压室的空洞设置在基板的内部，从而能够实现低成本化且小型化的压力传感器。 
此外，本实用新型的另一目的在于提供一种压力传感器的制造方法，其将作为基准压室的空洞设置于基板的内部，且能够简单地制造低成本且小型的压力传感器。 
本实用新型的一方面涉及的压力传感器，具备：基板，其在内部形成有基准压室；闭塞体，其埋入形成于所述基板的贯通孔，并密闭所述基准压室，所述贯通孔将所述基板的表面与所述基准压室之间贯通；应变计，其在所述基板的表面与所述基准压室之间设置于所述基板内，并根据所述基板的应变变形而使电阻变化。 
根据该结构，在基板内形成密闭的基准压力室。因而，不需要通过贴合两片基板来形成基准压室，因此能够降低成本。 
此外，由形成在基板内的应变计来检测基板的表面和基准压室之间的部分(受压部)所受到的压力。因而，能够使传感器小型化。 
优选所述基板由硅构成。硅为低价的材料，因此能够降低基板所需的成本。 
此外，在基板由硅构成的情况下，优选应变计包括形成在所述基板的表层部的压电电阻。由此，不会使应变计(压电电阻)向基板的表面的外侧伸出，能够在基板内部形成杂质扩散的扩散电阻。其结果，能够使压力传感器的构造简单，实现更小型化。 
此外，优选所述基准压室内为真空。若基准压室内为真空，则能够防止外部环境的温度变化导致基准压室内的压力变化。其结果，能够使传感器的压力检测精度提高。 
此外，优选所述闭塞体由铝构成。铝不是特别高价的材料，此外，能够利用溅射法或CVD法等简单的方法来简单地被覆基板。因而，若闭塞体为铝，则能够抑制压力传感器的材料成本的上升，进而，能够使制造工序简化并提高制造效率。 
此外，优选所述贯通孔具有0.2μm～0.5μm的直径。若贯通孔的尺寸在该范围内，则利用溅射法或CVD法，能够将铝简单地埋入贯通孔而形成闭塞体。 
此外，在所述贯通孔的侧面与所述闭塞体之间也可设置保护膜，也可使该保护膜由氧化硅构成。 
此外，也可形成有多个所述贯通孔。在该情况下，优选多个所述贯通孔形成为相互大小相同的俯视圆形(即，贯通孔为圆柱状)，且在俯视下以均等分布的方式来排列。由此，能够与贯通孔的形状相对应地将闭塞体形成为俯视圆形(圆柱状)。因此，当贯通孔在俯视下以均等分布的方式排列时，闭塞体的重心也必然均等地分布，因此能够抑制受压部的重心的不均匀。 
此外，在所述压力传感器中，也可使所述基准压室的面积比所述贯通孔所占的区域的总面积更大。 
此外，本实用新型的一方面涉及的压力传感器的制造方法包括：通过选择性地向由硅构成的基板的表层部添加杂质而形成压电电阻的工序；在包括形成有所述压电电阻的区域的规定区域中，形成从所述基板的表面深挖到厚度方向的中途部为止的多个凹部的工序；在所述多个凹部的各自的内表面上形成由氧化硅构成的保护膜的工序；从所述多个凹部的各自的底面上选择性地除去所述保护膜的工序；利用各向异性蚀刻将所述多个凹部分别深挖之后，利用各向同性蚀刻将所述多个凹部的下方部相互连接而形成基准压室的工序；在所述多个凹部中，在所述基板的表面与所述基准压室之间埋入闭塞体，并密闭所述基准压室的工序。 
根据该方法，为了在基板内形成基准压室，利用各向异性蚀刻及各向同性蚀刻而使硅基板的内部空洞化，且用于密闭该空洞的闭塞体被埋入将基板表面与空洞之间贯通的贯通孔(凹部)内。即，在基准压室的形成时，只需要对硅基板实施蚀刻或闭塞体的形成等加工即可。因而，不需要另外准备用于与硅基板接合的玻璃基板并将该玻璃基板与硅基板接合。 
而且，利用该方法制造的压力传感器中，在一片基板的内部具有基准压室，因此，能够防止使用其他的基板而导致成本上升，此外，基准压室及压电电阻(应变计)集成在一片基板上，因而小型。因而，根据该方法，能够简单地制造低成本且小型的压力传感器。 
优选在真空中进行所述闭塞体的埋入。若在真空中进行闭塞体的埋入，则能够防止闭塞体形成时硅的氧化。 
此外，优选所述闭塞体是在利用溅射法使所述凹部的内表面被覆铝之后，通过进行回流而形成的。根据该方法，利用溅射后的回流，使由溅射 法被覆在贯通孔的内面的铝热膨胀，从而可以利用铝来闭塞凹部(贯通孔)。由此，能够密闭基准压室。如此，能够利用溅射法及回流这样简单的方法来密闭基准压室，因此能够使压力传感器的制造工序更简单，并能够提高制造效率。 
此外，也可使所述闭塞体通过CVD法在所述凹部的内表面填充铝而形成的。根据该方法，利用由CVD法形成的铝的填充，能够闭塞凹部(贯通孔)。由此，能够密闭基准压室。如此，能够利用由CVD法进行的填充工序这一工序来密闭基准压室，因此能够使压力传感器的制造工序更简单，能够提高制造效率。 
此外，本实用新型的另一方面涉及的半导体装置，具备：半导体基板，其在内部形成有空间；贯通孔，其将所述半导体基板的表面与所述空间之间贯通，所述空间比所述贯通孔大。 
此外，优选上述的半导体装置还包括闭塞体，所述闭塞体埋入所述贯通孔，并将所述空间密闭。 
此外，优选上述的半导体装置形成有多个所述贯通孔，所述空间形成为使多个所述贯通孔的下端相连。 
此外，优选上述的半导体装置还包括应变计，该应变计在所述半导体基板的表面与所述空间之间设置在所述半导体基板内，根据所述半导体基板的应变变形而使电阻变化。 
此外，优选所述应变计包括形成在所述半导体基板的表层部的压电电阻。 
此外，优选所述闭塞体由铝构成。 
附图说明
图1是本实用新型的一实施方式涉及的压力传感器的概略俯视图。 
图2是图1所示的压力传感器的放大俯视图。 
图3是图2所示的压力传感器的主要部分剖视图，且为图2的剖切线III-III处的剖视图。 
图4是利用金属配线及压电电阻构成的桥式电路的电路图。 
图5A～图5U是表示图2及图3所示的压力传感器的制造工序的示意 剖视图。 
具体实施方式
以下，参照附图对本实用新型的实施方式进行详细的说明。 
图1是本实用新型的一实施方式涉及的压力传感器的概略俯视图。图2是图1所示的压力传感器的放大俯视图。图3是图2所示的压力传感器的主要部分剖视图，且为沿图2的剖切线III-III的剖视图。图4是利用金属配线及压电电阻构成的桥式电路的电路图。 
如图1所示，在制造过程中，在一片硅晶片2上纵横规则地排列形成多个压力传感器1。在该实施方式中，硅晶片2为P型硅基板(以下也称为“硅基板2”)。 
每个压力传感器1包括P型硅基板2。硅基板2的表面21被由氧化硅(SiO2)构成的表面绝缘膜3覆盖。另一方面，硅基板2的背面22为露出面。 
在硅基板2的内部，与各压力传感器1对应地逐一在与硅基板2的主面平行的方向上形成有平的扁平空间4(空洞)。在该实施方式中，扁平空间4形成为俯视正方形(立体为长方体状)。利用该扁平空间4，硅基板2的表面21侧中、与扁平空间4相对的部分被薄膜化而比其余部分薄。由此，硅基板2在相对于扁平空间4的表面21侧具有能够在与扁平空间4的相对方向(厚度方向)上变位的俯视正方形的隔板5。该隔板5一体地支承于硅基板2的其余部分。另外，在图3中，为了说明方便，将隔板5表示为比相对于硅基板2的扁平空间4的背面22侧的部分厚。 
在隔板5上形成有多个将硅基板2的表面21与扁平空间4之间贯通的俯视圆形的贯通孔6，且在隔板5的整体上排列成正方行列状。即，在俯视下，在比隔板5的轮廓靠内侧的区域中，在沿隔板5的一边的行方向及沿与该一边正交的另一边的列方向的各方向上，贯通孔6排列成空开相等间隔的行列状。此外，全部的贯通孔6也贯通隔板5上的表面绝缘膜3。在该实施方式中，各贯通孔6的直径例如为0.2μm～0.5μm(优选0.4μm)。此外，在该实施方式中，各贯通孔6的深度例如 此外，在俯视中，贯通孔6在比隔板5的轮廓靠内侧的区域中形成为行列状，因 此在俯视中，扁平空间4的平面面积比贯通孔6所占的区域的总面积(全部的贯通孔6的平面面积的和)大。 
贯通孔6的侧面被由氧化硅(SiO2)构成的保护薄膜7覆盖。对于全部的贯通孔6来说，在保护薄膜7的内侧填充埋入有铝(Al)。由此，全部的贯通孔6由铝填充体8来闭塞，贯通孔6的下方的扁平空间4被密闭为其内部压力作为压力检测时的基准的基准压室。在该实施方式中，扁平空间4保持为真空或负压状态(例如，10-5Torr)。此外，在形成扁平空间4的硅基板2的多个内壁中、与隔板5相对的底壁9上，在与贯通孔6相对的部分散布有铝(Al)膜片10。 
各个压力传感器1还包括：作为应变计的压电电阻R1～R4、金属端子11～14、金属配线15～18。 
压电电阻R1～R4是通过向硅基板2导入N型杂质而形成的扩散电阻，且在硅基板2的表层部以俯视下跨隔板5内外的方式而形成的。在该实施方式中，压电电阻R1～R4形成为俯视长方形，在隔板5的各边的中央位置分别设置一个，总计四个。 
金属端子11～14包括：接地端子11(GND)、负侧电压输出端子12(Vout-)、电压施加用端子13(Vdd)、正侧电压输出端子14(Vout+)。上述四个金属端子11～14形成在表面绝缘膜3上，且在俯视下沿隔板5的一边排列配置。此外，在该实施方式中，金属端子11～14由铝(Al)构成。 
金属配线15～18是用于将压电电阻R1～R4配置成桥状而形成桥式电路(惠斯登桥)的配线。具体来说，包括：接地用配线15，其将压电电阻R1与压电电阻R4在隔板5外连接且其与接地端子11连接；负侧输出配线16，其将压电电阻R2与压电电阻R4在隔板5外连接且其与负侧电压输出端子12连接；电压施加用配线17，其将压电电阻R2与压电电阻R3在隔板5外连接且其与电压施加用端子13连接；正侧输出配线18，其将压电电阻R1与压电电阻R3在隔板5外连接且其与正侧电压输出端子14连接。在该实施方式中，上述金属配线15～18由铝(Al)构成，并形成在表面绝缘膜3上。 
如此，在利用金属配线15～18及压电电阻R1～R4构成的桥式电路(参 照图4)中，压电电阻R1与压电电阻R2成对并在电路上相对配置，压电电阻R3与压电电阻R4成对并在电路上相对配置。 
金属端子11～14及金属配线15～18被由氮化硅(SiN)构成的钝化膜19覆盖。在钝化膜19上形成有将金属端子分别作为焊盘露出的开口23～26(图3中，使负侧电压输出端子12露出的开口24)。 
在该压力传感器1中，当隔板5受到来自硅基板2的表面21侧的压力(例如气体压力)时，在扁平空间4的内部与外部之间产生差压，从而隔板5在硅基板2的厚度方向上变位，由于该变位，构成压电电阻R1～R4的硅结晶应变，从而电阻值变化。当对电压施加用端子13施加一定的偏置电压时，根据压电电阻R1～R4的电阻值的变化，输出端子12、14间的电压变化。因而，根据该电压变化，能够检测压力传感器1所产生的压力的大小。 
图5A～图5U是表示图2及图3所示的压力传感器的制造工序的示意剖视图。 
为了制造压力传感器1，首先，例如如图5A所示，准备硅基板2(晶片)。接着，如图5B所示，在硅基板2的表层部隔着规定图案的掩模(未图示)而注入(implantation)N型杂质(例如、P(磷))。然后，进行驱入扩散处理。利用该驱入扩散处理，注入到硅基板2的N型杂质的离子扩散，在硅基板2上形成压电电阻R1～R4(图5B～图5U中仅表示压电电阻R2)。 
接着，如图5C所示，利用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：等离子化学气相成长)法，在硅基板2的表面21上形成由氧化硅(SiO2)构成的表面绝缘膜3。 
接着，如图5D所示，利用光刻，在表面绝缘膜3上形成抗蚀剂图案27。抗蚀剂图案27具有与多个贯通孔6对应的多个开口。形成有该开口的区域与压电电阻R1～R4的各形成区域局部重合。 
接着，如图5E所示，利用将抗蚀剂图案27作为掩模的等离子蚀刻，选择性地除去表面绝缘膜3。 
接着，如图5F所示，利用将抗蚀剂图案27作为掩模的各向异性的Deep RIE(Deep Reactive Ion Etching：深反应性离子蚀刻)，具体来说， 利用博施法深挖硅基板2。由此，在硅基板2上形成俯视排列成正方行列状的多个圆柱凹部28。在博施法中，交替重复进行使用SF6(六氟化硫)来蚀刻硅基板2的工序、和使用C4F8(八氟环丁烷)而在蚀刻面上形成保护膜的工序。由此，能够以高的纵横尺寸比来蚀刻硅基板2，但在蚀刻面(圆柱凹部28的内周面)形成被称为扇贝的波状的凹凸。在圆柱凹部28的形成后，如图5G所示，剥离抗蚀剂图案27。 
接着，如图5H所示，利用热氧化法或PECVD法，在圆柱凹部28的内面全部区域(即，圆柱凹部28的内周面及底面)上形成由氧化硅(SiO2)构成的保护薄膜7。 
接着，如图5I所示，利用背蚀刻，除去保护薄膜7中圆柱凹部28的底面上的部分。由此，圆柱凹部28的底面呈露出的状态。 
接着，如图5J所示，利用将表面绝缘膜3作为掩模的各向异性的Deep RIE，圆柱凹部28的底面被进一步深挖。由此，在圆柱凹部28的底部形成硅基板2的结晶面露出的露出空间29。在该各向异性的Deep RIE之后，如图5K所示，利用各向同性的RIE，向圆柱凹部28的露出空间29供给反应性离子及蚀刻气体。而且，利用该反应性离子等的作用，以各露出空间29为起点，硅基板2在硅基板2的厚度方向上被蚀刻，并且在与硅基板2平行的方向上被蚀刻。由此，相互相邻的全部的露出空间29被一体化，在硅基板2的内部形成扁平空间4，并且在相对于该扁平空间4的表面21侧形成隔板5。此外，各圆柱凹部28作为贯通孔6。 
接着，如图5L所示，利用溅射法，在表面绝缘膜3上覆盖作为铝填充体8的材料的铝。由此，形成通过贯通孔6来保持扁平空间4的内外的连通状态且覆盖表面绝缘膜3及保护薄膜7的表面全部区域的铝被覆膜30。此外，此时，铝的一部分进入扁平空间4，从而在扁平空间4的底壁9上散布铝膜片10。 
接着，如图5M所示，通过在真空中进行回流(例如，350℃～450℃)，使各贯通孔6内的铝被覆膜30热膨胀，由铝填满并闭塞贯通孔6。由此，在贯通孔6中形成铝填充体8，并且将扁平空间4闭塞而作为真空状态的基准压室。 
接着，如图5N所示，在表面绝缘膜3上的铝被覆膜30的全部区域上 涂敷光致抗蚀剂31。 
接着，如图5O所示，利用背蚀刻，将光致抗蚀剂31及铝被覆膜30中表面绝缘膜3上的部分一并除去。由此，表面绝缘膜3成为露出的状态。 
接着，如图5P所示，利用光刻，在表面绝缘膜3上形成抗蚀剂图案32。 
接着，如图5Q所示，利用将抗蚀剂图案32作为掩模的等离子蚀刻，选择性地除去表面绝缘膜3。然后，剥离抗蚀剂图案32。 
接着，如图5R所示，利用溅射法，在表面绝缘膜3上堆积铝。如此，形成在表面绝缘膜3上的铝堆积膜33隔着表面绝缘膜3而与压电电阻R1～R4连接。 
接着，如图5S所示，利用光刻，在铝堆积膜33上形成抗蚀剂图案34。 
接着，如图5T所示，利用将抗蚀剂图案34作为掩模的等离子蚀刻，选择性地除去铝堆积膜33。由此，同时形成金属端子11～14及金属配线15～18。然后，剥离抗蚀剂图案34。 
接着，如图5U所示，利用CVD法，在表面绝缘膜3上形成钝化膜19。然后，利用光刻及蚀刻，在钝化膜19上形成使金属端子11～14分别作为焊盘露出的开口23～26(图5U中，使负侧电压输出端子12露出的开口24)，从而得到图2及图3所示的压力传感器1。 
根据以上的方法，在利用各向异性的Deep RIE而在硅基板2上形成圆柱凹部28之后(图5I)，连续进行各向异性的Deep RIE及各向同性的RIE(图5J～图5K)，从而能够在硅基板2内部形成扁平空间4，并形成隔板5。而且，在利用各向同性的RIE形成的贯通孔6的内侧被覆铝被覆膜30，进而，将铝被覆膜30回流而使其热膨胀，由此能够闭塞全部的贯通孔6。其结果，能够以保持为对压力进行检测时的基准压力(真空)的状态来密闭扁平空间4。 
即，根据该实施方式的制造方法，在形成作为基准压室的扁平空间4时，仅对硅基板2实施Deep RIE、Al溅射及回流等各种处理即可，不需要另外准备用于与硅基板2接合的玻璃基板并将该玻璃基板与硅基板2接合等工序。 
而且，对于利用该方法制造的压力传感器1，由于在一片硅基板2的 内部具有基准压室，因此能够防止使用其他的基板(例如玻璃基板)而导致成本上升。除此以外，基准压室及压电电阻R1～R4集成在一片硅基板2上，故而小型。因而，在该实施方式中，能够简单地制造低成本且小型的压力传感器1。并且，使用的基板为称为硅基板2的低价的材料，因此能够进一步降低基板所需的成本。此外，用于密闭扁平空间4的铝也不是特别高价的材料，因此能够进一步抑制压力传感器1的材料成本的上升。 
此外，利用博施法(Bosch process)来形成圆柱凹部28(贯通孔6)，在圆柱凹部28的内周面形成被称作扇贝的波状的凹凸，因此能够使保护薄膜7及铝被覆膜30覆盖良好地被覆于圆柱凹部28(贯通孔6)的内周面。 
此外，用于使铝被覆膜30热膨胀的回流在真空中进行，因此能够防止回流时硅的氧化。即，能够抑制形成扁平空间4的硅基板2的内壁上氧化膜的形成。而且，如此形成的基准压室(扁平空间4)内保持为真空，因此能够防止外部环境的温度变化导致的扁平空间4内的压力变化。其结果，能够使压力传感器1的压力检测精度提高。 
此外，根据该压力传感器1，用于检测压力的应变计为向硅基板2的表层部扩散的压电电阻(扩散电阻)R1～R4。因此，能够不使应变计向硅基板2的表面21的外侧伸出，而是形成在硅基板2的内部。其结果，能够使压力传感器1的构造简单，实现更小型化。 
此外，多个贯通孔6形成为相互相同大小的俯视圆形(即，贯通孔为圆柱状)，且排列成在隔板5的全体上规则且均等地分布成正方行列状。因此，即使在贯通孔6内填充与隔板5的材料(硅)不同的铝填充体8，铝填充体8的重心也必然均等地分布，因此由铝填充体8产生的重量均等地施加于隔板5整体。因而，能够将隔板5的重心维持在俯视下隔板5的中心(对角线的交点)。其结果，当压力作用于隔板5时，能够使隔板5整体均等地变位。 
此外，由于各贯通孔6的尺寸为0.2μm～0.5μm(优选0.4μm)，因此利用溅射及回流，能够将铝简单地埋入贯通孔6而形成铝填充体8。 
此外，可以在请求保护的范围所记载的特征的范围内实施各种设计变更。 
例如，在上述实施方式中，以在一片硅基板2(硅晶片2)上制作压力传感器1为例，但作为用于制作压力传感器1的基材的基板例如也可是SOI(Silicon On Insulator：绝缘体上硅结构)基板等。在该情况下，压力传感器1可以形成在SOI基板的活性层。 
此外，作为基准压室密闭的空间不需要在与硅基板2的主面平行的方向上为平的扁平状。 
此外，为了密闭扁平空间4而填充到贯通孔6中的填充体并不限于铝填充体8，例如也可是钨(W)填充体、氧化硅(SiO2)填充体。 
此外，在上述的实施方式中，利用各向同性的RIE使相互相邻的全部的露出空间29一体化，但例如也可通过向圆柱凹部28的露出空间29供给蚀刻液，利用该蚀刻液的作用来一体化。 
此外，在上述的实施方式中，在利用溅射法形成覆盖保护薄膜7的表面全部区域的铝被覆膜30之后(参照图5L)，利用回流，使该铝被覆膜30热膨胀而形成铝填充体8(参照图5M)，但例如也可利用CVD法在贯通孔6内填充铝来形成。在该情况下，能够利用CVD法进行的填充工序这一个工序来密闭扁平空间4，因此能够使压力传感器1的制造工序更简单，并能够提高制造效率。 
对本实用新型的实施方式详细地进行了说明，但这些只不过是用于理解本实用新型的技术内容的具体例子，本实用新型并不限定解释为这些具体例子，本实用新型的思想及范围仅由权利要求来限定。 
本申请与2010年3月11日向日本国专利厅提出的特愿2010-54496号对应，且该申请全部公开的内容通过引用而引入于此。 

Claims (17)

1.一种压力传感器，其特征在于，具备：
基板，其在内部形成有基准压室；
闭塞体，其埋入形成于所述基板的贯通孔，并密闭所述基准压室，所述贯通孔将所述基板的表面与所述基准压室之间贯通；
应变计，其在所述基板的表面与所述基准压室之间设置于所述基板内，并根据所述基板的应变变形而使电阻变化。
2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，
所述基板由硅构成。
3.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于，
所述应变计包括形成在所述基板的表层部的压电电阻。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的压力传感器，其特征在于，
所述基准压室内为真空。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的压力传感器，其特征在于，
所述闭塞体由铝构成。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的压力传感器，其特征在于，
所述贯通孔具有0.2μm～0.5μm的直径。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的压力传感器，其特征在于，
在所述贯通孔的侧面和所述闭塞体之间设有保护膜。
8.根据权利要求7所述的压力传感器，其特征在于，
所述保护膜由氧化硅构成。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的压力传感器，其特征在于，
所述压力传感器中形成有多个所述贯通孔。
10.根据权利要求9所述的压力传感器，其特征在于，
多个所述贯通孔形成为相互大小相同的俯视圆形，且在俯视下以均等分布的方式来排列多个所述贯通孔。
11.根据权利要求1～3中任一项所述的压力传感器，其特征在于，
在俯视下，所述基准压室的面积比所述贯通孔所占的区域的总面积更大。 
12.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体基板，其在内部形成有空间；
贯通孔，其将所述半导体基板的表面与所述空间之间贯通，
所述空间比所述贯通孔大。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
还包括闭塞体，所述闭塞体埋入所述贯通孔，并将所述空间密闭。
14.根据权利要求12或13所述的半导体装置，其特征在于，
形成有多个所述贯通孔，
所述空间形成为使多个所述贯通孔的下端相连。
15.根据权利要求12或13所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置还包括应变计，该应变计在所述半导体基板的表面与所述空间之间设置在所述半导体基板内，根据所述半导体基板的应变变形而使电阻变化。
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，
所述应变计包括形成在所述半导体基板的表层部的压电电阻。
17.根据权利要求12或13所述的半导体装置，其特征在于，
所述闭塞体由铝构成。 
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