CN202220200U

CN202220200U - 一种用于化学气相沉积工艺的反应器

Info

Publication number: CN202220200U
Application number: CN2011202319297U
Authority: CN
Inventors: 杜志游
Original assignee: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Current assignee: Medium and Micro Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.
Priority date: 2011-07-04
Filing date: 2011-07-04
Publication date: 2012-05-16
Anticipated expiration: 2021-07-04

Abstract

本实用新型提供用于化学气相沉积工艺的反应器，包括一反应腔；具有设置在所进述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架；所述晶片托架被居中地和可分离地安装在所述主轴的所述顶端上，传送所述晶片托架以装载或卸载所述一个或多个晶片；以及设置在所述晶片托架之下用于加热所述晶片托架的辐射加热元件，其用于发射辐射加热射线；其特征在于，所述晶片托架的下表面设置有一系列反射部，所述反射部可以对辐射加热射线进行多次反射。本实用新型有效利用热能，明显改善辐射加热均匀性。

Description

一种用于化学气相沉积工艺的反应器

技术领域

本实用新型涉及半导体制程设备，尤其是用于在诸如晶片之类的衬底上生长外延层的装置，具体地涉及一种用于化学气相沉积工艺的反应器。

背景技术

在半导体设备的制造过程中，通常需要使用一定的工艺程序来在固体衬底上形成薄膜层。沉积了薄膜层的衬底广泛使用于微处理器、光电器件、通讯设备以及其他的一些装置。用于在固体衬底上沉积薄膜层的工艺对于半导体工业尤为重要。例如在高温下将氮化镓(GaN)沉积到蓝宝石基片上，在沉积之后对涂层晶片进行众所周知的进一步加工，以形成半导体器件，例如激光器、晶体管、发光二极管(LED)以及多种其他器件。例如，在发光二极管的制造中，沉积在晶片上的膜薄层形成了二极管的有源元件。

在典型的化学汽相沉积过程中，通常，晶片的衬底在CVD反应器内被暴露在气体中。在晶片被加热并通常被旋转的同时，由气体运载的反应化学物以受控数量和受控速率被引到晶片上。通过将反应化学物放置在称为发泡器的装置中，然后使载带气体通过该发泡器，通常被称为前驱物的反应化学物被引入CVD反应器。载带气体获得前驱物分子以提供反应气体，该反应气体然后被输入CVD反应器的反应腔。前驱物通常由无机成分和有机成分组成，该无机成分随后在基片(例如Si、Y、Nb、Al2O3等等)表面形成外延层。通常，有机成分被用来使前驱物能够在发泡器中挥发。有机成分在加热至足够高的温度时容易分解。当反应气体到达加热了的晶片附近时，有机成分分解，在晶片表面以晶体外延层的形式沉积无机成分材料层。

CVD反应器有各种各样的设计，包括水平式反应器，该反应器中，晶片被安装成与流入的反应气体成一定角度；行星式旋转的水平式反应器，该反应器中，反应气体通过晶片；桶式反应器；以及垂直式反应器，该反应器中，当反应气体向下注入到晶片上时，晶片在反应腔里以相对较高的速度进行旋转。高速旋转的垂直式反应器为商业上最重要的CVD反应器之一。

例如，发明名称为“通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器”的中国发明专利(中国专利号：01822507.1)提出了一种无基座式反应器，其包括反应腔、可旋转主轴、用于加热晶片的加热装置以及用来支撑品片和在沉积位置和装载位置之间传送晶片的晶片托架。其中，在装载位置，晶片托架和可旋转主轴分离，晶片可以被放置在晶片托架上用于随后传送到沉积位置。装载位置可以位于反应腔之内或者反应腔之外。装载位置位于反应腔之外更为适宜。可以有一个或多个这样的装载位置。并且在沉积位置，晶片托架被可分离地安装在反应腔内可旋转的主轴上，使放置在晶片托架上的晶片能够进行化学汽相沉积。在沉积位置，晶片托架与主轴直接接触更为适宜。同样，在沉积位置时，晶片托架被居中地安装在主轴上并且仅仅由主轴支撑更为适宜。极为可取的是，晶片托架通过摩擦力保持在主轴上，意味着在沉积位置不存在独立的、用来将晶片托架保持在主轴上的保持装置。然而，本发明的设备也可以在沉积位置包括独立的、用来保持晶片托架的保持装置。该独立的保持装置可以与可旋转主轴整体成形，或者与主轴和晶片托架均分开。

通过上述发明专利，实际上已经解决了在CVD反应器中永久性安装基座的技术问题。同时，在上述发明专利中，申请人认为其一定程度上解决了热损耗问题，但在实践中却发现上述发明专利尚未有效解决热损耗问题。简单地讲，在现有技术中，在CVD反应器中的加热均匀性、能量效率以及加热丝的寿命等问题仍然急需解决，这最终取决于加热效率问题。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种用于化学气相沉积工艺的反应器。

根据本实用新型的一个方面，提供一种用于化学气相沉积工艺的反应器，其包括：一反应腔；具有设置在所述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴；用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架；所述晶片托架被居中地和可分离地安装在所述主轴的所述顶端上，传送所述晶片托架以装载或卸载所述一个或多个晶片；以及设置在所述晶片托架之下用于加热所述晶片托架的辐射加热元件，其用于发射辐射加热射线；其特征在于，所述晶片托架的下表面设置有一系列反射部，所述反射部可以对辐射加热射线进行多次反射。

根据本实用新型的另一个方面，还提供一种用于化学气相沉积工艺的反应器，其包括：一反应腔；具有设置在所述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴；用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架，设置在所述晶片托架之下用于加热所述晶片托架的辐射加热元件，其用于发射辐射加热射线；其特征在于，还包括一安装在所述旋转主轴的顶端的支撑盘，所述晶片托架安装在所述支撑盘上，所述支撑盘对应地被置于所述辐射加热元件的上方，其特征还在于，所述支撑盘的下表面设置有一系列反射部，所述反射部可以对辐射加热射线进行多次反射。

优选地，上述用于化学气相沉积工艺的反应器中，至少两个反射部的形状不相同。

优选地，所述至少一个反射部为槽或沟或波浪形的轮廓。

优选地，所述槽或沟或波浪形的轮廓的宽度大于所述辐射加热射线的一个波长。

优选地，所述反射部为一个针对所述辐射加热射线的开口，且该开口的宽度大于所述辐射加热射线的一个波长、该开口的高宽比大于1。

优选地，所述开口的宽度优选地为所述辐射加热射线的波长的5～100倍，所述开口的高宽比优选地为4～10。

优选地，所述每个反射部之间的距离均相等。

优选地，所述支撑盘可分离地安装在所述主轴顶端。

优选地，所述晶片托架边缘区域的反射部相对中心区域的反射部具有更高密度的所述槽或沟或波浪形的轮廓。

优选地，所述支撑盘边缘区域的反射部相对中心区域的反射部具有更高密度的所述槽或沟或波浪形的轮廓。

本实用新型通过在晶片托架下方增加一系列反射部，使得辐射源发出的射线被一次反射或多次反射，从而有效地利用了热能，同时还可以明显改善辐射加热的均匀性。这相比现有技术而言，均做出了本质的贡献，使得本实用新型提供的反应器具有降低能耗、加热均匀的特性。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1示出根据现有技术的用于化学气相沉积工艺反应器的示意图；

图2示出根据本实用新型的一个优选实施例的，用于化学气相沉积工艺反应器的结构示意图，其中，在所述基片托架的下表面设置有多个反射部；

图3示出了根据本实用新型的另一个优选实施例的，用于化学气相沉积工艺反应器的结构示意图，其中，所述基片托架的下方设置有一个辐射加热增强装置，该装置的下表面设置有多个反射部；

图4示出根据本实用新型的第一实施例的，所述反射部的纵截面示意图；

图5示出根据本实用新型的第二实施例的，所述反射部的纵截面示意图；

图6示出根据本实用新型的第三实施例的，所述反射部的纵截面示意图；

图7示出根据本实用新型的第四实施例的，所述反射部的纵截面示意图；

图8示出根据本实用新型的第五实施例的，所述反射部的纵截面示意图；

图9示出根据本实用新型的第六实施例的，所述反射部的纵截面示意图；

图10示出根据本实用新型的第七实施例的，所述反射部的纵截面示意图；

图11示出根据本实用新型的第八实施例的，所述反射部的纵截面示意图；

图12示出根据本实用新型的第九实施例的，所述反射部的纵截面示意图；

图13示出根据本实用新型的第十实施例的，所述反射部的纵截面示意图；以及

图14示出根据本实用新型一个实施例的，所述辐射加热射线在如图13所示反射部内被反射的路线示意图。

具体实施方式

图1示出根据现有技术的用于化学气相沉积工艺反应器的示意图，具体地，本领域技术人员理解，该现有技术主要参考发明名称为“通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器”的中国发明专利(中国专利号：01822507.1)。具体地，该反应器包括反应腔100、晶片托架110、可旋转主轴12O和加热装置170。晶片托架110在装载位置L和沉积位置D之间进行迁移。在位置L，晶片托架110与主轴120分离。在位置D，晶片托架110被安装在可旋转主轴120上。更为适宜的是，晶片托架110被安装在主轴120的顶端180上。其中，晶片托架110被直接安装在主轴120上，也就是在位置D，在晶片托架110和主轴120之间形成直接的接触。本发明不排除中间元件可以存在于主轴120和晶片托架110之间的可能性，例如使晶片托架110便于保持在主轴120上的元件，例如圆环、固定器等等，只要这些中间元件在反应器操作的正常过程中不妨碍晶片托架从位置D移开或者分离。而在位置L，晶片130在晶片托架110和晶片130迁移到反应腔100之前被装载在晶片托架110上。装载位置L可以位于反应腔110之内或者之外。虽然只有一个位置L示于图1中，但实际上可以有一个或多个这样的位置。

图2示出根据本实用新型的一个优选实施例的，用于化学气相沉积工艺反应器的结构示意图。本领域技术人员理解，优选地，图1以及图2所示反应器可以被理解为一种无基座反应器，而下面所描述的图3所示反应器可以被理解为一种有基座反应器。在本实施例中，在所述基片托架的下表面设置有多个反射部，其中标号3所示部位标识出所述反射部的一部分。进一步地，本领域技术人员理解，这些反射部分用于将辐射加热射线进行一次或多次反射，例如当所述辐射加热射线从图1所示辐射加热元件170向上射到所述基片托架111的下表面时，由于在该下表面上设置有多个反射部，这些反射部上的多个沟槽或开口多次反射所述辐射加热射线使得辐射加热效率大大提高。具体地，本领域技术人员可以参考下述图4～图13所示结构对所述反射部予以理解，在此不予赘述。

图3示出了根据本实用新型的另一个优选实施例的，用于化学气相沉积工艺反应器的结构示意图。同样地，本领域技术人员理解，其中，所述基片托架的下方设置有一个支撑盘28b。具体地，参考图3所示实施例可以看出，所述支撑盘28b被置于所述晶片托架111之下并与所述晶片托架111紧密接触，其接触面优选地为s1。相应地，所述辐射加热增强装置对应地被置于所述辐射加热元件170的上方。进一步地，参考上述图2所示实施例，本领域技术人员理解，所述支撑盘28b的下表面设置有多个反射部，其中标号3′所示部位标识出所述反射部的一部分，且该反射部的作用与结构与图2所示反射部的作用与结构相同，在此不予赘述。

进一步地，参考上述图2以及图3，本领域技术人员理解，尽管在图2的基片托架111的下表面以及图3的所述支撑盘28b的下表面仅仅表示出部分区域具有反射部，但优选地在上述两个下表面分布多个反射部。优选地，这些反射部具有相同的结构，而在一些变化例中，其中至少一个反射部可以具有不同的结构，例如下述图4～图13中任一种结构所示。优选地，这些反射部之间的间距是相等的，例如下述图4～图13中任一种结构所示；而在一个变化例中，所述间距也可以不相等，在此不予赘述。不同区域具有不同的反射部可以补偿因基片托架结构或辐射发热源不均匀产生的偏差，使得最终的化学气相沉积效果均一。比如在基片托架111边缘区域温度相对中心区域偏低，则在一个实施例中可以优选地只在热辐射线接收面的边缘区域添加本实用新型的反射部，开挖一些沟、槽或波浪状轮廓；或者也可以在另一个实施例中优选地在边缘区域设置具有高密度的沟、槽或波浪状轮廓，在中心区域设置具有较低密度的沟、槽或波浪状轮廓。

进一步地，图4示出根据本实用新型的第一实施例的，所述反射部的纵截面示意图。优选地，本领域技术人员理解，所述图2所示实施例以及图3所示实施例的反射部均可以采用图4以及下述图5～图13所示实施例以及其他实施例、变化例的结构。

具体地，在本实施例中，所述反射部优选地为矩形槽40，或者优选地为圆柱形槽，或者称之为矩形沟等等。在本实施例中，为了描述清楚，仅仅画出了4个矩形槽，每两个矩形槽之间由例如实心部分(虚线所指代的部位，下同)的间隔41所分割，即在图4中在这4个矩形槽40之间，一共包括3个间隔41。进一步地，本领域技术人员理解，这些反射部位于图2所示基片托架的下表面或图3所示支撑盘28b的下表面，且优选地存在多个这样的反射部，即在图4所示实施例的基础上，所述矩形槽40存在多个，从而构成一系列的反射部，在此不予赘述。

进一步地，在图4所示实施例中，优选地，所述矩形槽40的宽度表示为M₁，高度(或称之为“深度”，下同)表示为H₁。优选地，所述基片托架111的下表面或者所述支撑盘28b的下表面均包括多个反射部，两个反射部之间的距离表示为D₁。

进一步地，本领域技术人员理解，优选地，在本实施例中，优选地，任两个反射部之间的距离D₁都是相等的，如图4所示。而在一个变化例中，至少一个距离D₁与其他反射部之间的距离是不等的，例如该距离D₁为其他反射部之间距离的0.5，又例如图13所述不同间距的组合。具体地，本领域技术人员可以根据具体实施要求而确定各反射部之间的距离，在此不予赘述。类似地，本领域技术人员理解，下述图5至图13所示实施例所示的各反射部之间的距离也可以参考这样的描述，不再重复表述。

图5示出根据本实用新型的第二实施例的，所述反射部的纵截面示意图。本实施例是与图4所示实施例类似的一个实施例。具体地，在本实施例中，所述反射部优选地为半圆锥形槽，即一个圆锥被截掉了锥顶部分。从纵截面图来看，每个反射部呈梯形状，该梯形的上边宽度未标号、下边宽度表示为M₆，该梯形的高度(深度)表示为H₆，在此不予赘述。

图6示出根据本实用新型的第三实施例的，所述反射部的纵截面示意图。本实施例是与图4所示实施例类似的一个实施例。具体地，在本实施例中，所述反射部优选地为圆锥形槽。从纵截面图来看，每个反射部呈三角形状，该三角形的宽度表示为M₄，高度(深度)表示为H₄，两个反射部之间的距离表示为D₄。在此不予赘述。

图7示出根据本实用新型的第四实施例的，所述反射部的纵截面示意图。本实施例是与图5所示实施例类似的一个实施例。具体地，在本实施例中，所述反射部优选地为半圆锥形槽，即一个圆锥被截掉了锥顶部分。从纵截面图来看，每个反射部呈梯形状，该梯形的上边宽度未标号、下边宽度表示为M₅，该梯形的高度(深度)表示为H₅。与图5所示实施例不同的，本实施例中两个反射部之间存在距离，该距离表示为D₅。在此不予赘述。

图8示出根据本实用新型的第五实施例的，所述反射部的纵截面示意图。本实施例是与图6所示实施例类似的一个实施例。具体地，在本实施例中，所述反射部优选地为圆锥形槽。从纵截面图来看，每个反射部呈三角形状，该三角形的宽度表示为M₁₀，高度(深度)表示为H₁₀，在此不予赘述。与图6所示实施例不同的是，任两个反射部之间为紧密连接的，不存在距离。

图9示出根据本实用新型的第六实施例的，所述反射部的纵截面示意图。具体地，在本实施例中，所述反射部优选地为穹顶状槽。从纵截面图来看，每个反射部呈一弧顶状，或者称之为准梯形状，该弧顶的底边宽度表示为M₂，高度(深度)表示为H₂，在此不予赘述。本实施例中两个反射部之间存在距离，该距离表示为D₂。

进一步地，图10示出根据本实用新型的第七实施例的，所述反射部的纵截面示意图。与图9所示实施例相类似，在本实施例中，所述反射部优选地仍然为穹顶状槽，但其高度较图9所示穹顶状槽的高度低，其高度(深度)表示为H₃，该弧顶的底边宽度表示为M₃，在此不予赘述。类似地，在本实施例中两个反射部之间存在距离，该距离表示为D₃。

进一步地，图11示出根据本实用新型的第八实施例的，所述反射部的纵截面示意图。在本实施例可以作为图10所示实施例的一个变化例，所述反射部优选地仍然为穹顶状槽，其高度(深度)表示为 H₉，该弧顶的底边宽度表示为M₉。与图10所示实施例不同的是，任两个反射部之间为紧密连接的，不存在距离。

进一步地，图12示出根据本实用新型的第九实施例的，所述反射部的纵截面示意图。在本实施例可以作为图9所示实施例的一个变化例，所述反射部优选地仍然为穹顶状槽。从纵截面图来看，每个反射部呈一弧顶状，该弧顶可以被理解为由两部分组成，下部为一个矩形，该矩形的高度表示为H₈，该弧顶的上部为一个圆弧，圆弧的高度表示为H₁₁，该弧顶的底边宽度表示为M₈，在此不予赘述。本实施例中两个反射部之间存在距离，该距离表示为D₈。

进一步地，本领域技术人员理解，在图12所示实施例中，所述该弧顶的上部可以是一个半圆，也可以是一个椭圆状，这并不影响本实用新型的实质内容，在此不予赘述。

图13示出根据本实用新型的第十实施例的，所述反射部的纵截面示意图。本实施例是与图5、图7所示实施例类似的一个实施例。具体地，在本实施例中，所述反射部优选地为半圆锥形槽，即一个圆锥被截掉了锥顶部分。从纵截面图来看，每个反射部呈梯形状，该梯形的上边宽度未标号、下边宽度表示为M₇，该梯形的高度(深度)表示为H₇。与图5、图7所示实施例不同的，本实施例中部分反射部之间存在距离，该距离表示为D₇，部分反射部直接不存在距离。在此不予赘述。

进一步地，参考上述图4至图12，本领域技术人员理解，在上述实施例的一个变化例中，所述部分反射部之间可以存在距离，而部分反射部直接不存在距离，例如图13所示的发射部直接的间距，在此不予赘述。

进一步地，参考上述图4至图13所示实施例，本领域技术人员理解，在这些实施例的变化例中，所述反射部的内部还可以用于吸收辐射加热射线的装置。例如，在图5所示半圆锥形槽内设置了辐射加热射线吸附涂层(图5中未示出)或其他材料，用于吸收这些射线，使得所述射线的反射率发生变化，从而产生不同的加热特性，例如使得加热效果更加均匀。

进一步地，在上述实施例的另一个变化例中，所述反射部的内部还可以是不平坦的，例如包括一些微小的槽或沟或波浪状的轮廓(上述图中均未示出)，从而可以对射入所述反射部内部的辐射加热射线予以不规则的反射，从而与图14所示实施例产生不同的反射效果，在此不予赘述。

更进一步地，在上述图4至图13所示实施例的变化例中，所述反射部由不同材料构成的不同层组成，例如，反射部的上部由第一材料层组成，所述发射部的下部由第二材料层组成。本领域技术人员理解，优选地，所述不同层采用不同的材料，例如图2所示实施例中所述基片托架111由不同材料构成的不同层组成。在这样的情况下，由于反射部的内部的材料不同，所以其对于所射入其表面的辐射加热射线予以不同方式的反射，在此不予赘述。

参考上述图4～图13，本领域技术人员理解，上述所有反射部的宽度(例如图4所示M₁)大于所述辐射加热射线的波长，例如优选地为该波长的5～100倍。

图14示出根据本实用新型的一个实施例的，所述辐射加热射线在如图13所示反射部内被反射的路线示意图。本领域技术人员理解，当所述辐射加热射线射入到不同形状的反射部后，会产生不同的反射路线，从而导致加热效果的不同。例如，在本实施例中，所述辐射加热射线L₁射入所述反射部，首先经过所述反射部的右侧内壁反射至所述反射部的左侧内壁，然后再反射至所述反射部的顶部，再次反射到所述反射部的右侧内壁，然后再反射至所述反射部的左侧内壁后反射出所述反射部，表示为射线L₂。该辐射加热射线在所述反射部内一共经历了5次反射。相应地，当所述辐射加热射线射到实心部分时，则优选地被反射一次，例如射入射线表示为L3，被反射的射线表示为L4。本领域技术人员理解，由于射入所述反射部的射线与射至上述虚线所示的实心部分的射线被以不同方式反射，从而可以明显改善辐射加热的均匀性，在此不予赘述。

以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本实用新型的实质内容。

Claims

1.一种用于化学气相沉积工艺的反应器，其包括：

一反应腔；

具有设置在所述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴；

用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架；所述晶片托架被居中地和可分离地安装在所述主轴的所述顶端上，传送所述晶片托架以装载或卸载所述一个或多个晶片；以及

设置在所述晶片托架之下用于加热所述晶片托架的辐射加热元件，其用于发射辐射加热射线；

其特征在于，所述晶片托架的下表面设置有一系列反射部，所述反射部可以对辐射加热射线进行多次反射。

2.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，所述至少两个反射部的形状不相同。

3.根据权利要求1或2所述的反应器，其特征在于，所述至少一个反射部为槽或沟或波浪形的轮廓。

4.根据权利要求3所述的反应器，其特征在于，所述槽或沟或波浪形的轮廓的宽度大于所述辐射加热射线的一个波长。

5.根据权利要求3所述的反应器，其特征在于，所述反射部为一个针对所述辐射加热射线的开口，且该开口的宽度大于所述辐射加热射线的一个波长、该开口的高宽比大于1。

6.根据权利要求5所述的反应器，其特征在于，所述开口的宽度优选地为所述辐射加热射线的波长的5～100倍，所述开口的高宽比优选地为4～10。

7.根据权利要求1、2、4、5或6所述的反应器，其特征在于，所述每个反射部之间的距离均相等。

8.根据权利要求3所述的反应器，其特征在于，所述晶片托架边缘区域的反射部相对中心区域的反射部具有更高密度的所述槽或沟或波浪形的轮廓。

9.一种用于化学气相沉积工艺的反应器，其包括：

一反应腔；

具有设置在所述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴；

用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架，设置在所述晶片托架之下用于加热所述晶片托架的辐射加热元件，其用于发射辐射加热射线；

其特征在于，还包括一安装在所述旋转主轴的顶端的支撑盘，所述晶片托架安装在所述支撑盘上，所述支撑盘对应地被置于所述辐射加热元件的上方，其特征还在于，所述支撑盘的下表面设置有一系列反射部，所述反射部可以对辐射加热射线进行多次反射。

10.根据权利要求9所述的反应器，其特征在于，所述至少两个反射部的形状不相同。

11.根据权利要求9或10所述的反应器，其特征在于，所述至少一个反射部为槽或沟或波浪形的轮廓。

12.根据权利要求11所述的反应器，其特征在于，所述槽或沟或波浪形的轮廓的宽度大于所述辐射加热射线的一个波长。

13.根据权利要求11所述的反应器，其特征在于，所述反射部为一个针对所述辐射加热射线的开口，且该开口的宽度大于所述辐射加热射线的一个波长、该开口的高宽比大于1。

14.根据权利要求13所述的反应器，其特征在于，所述开口的宽度优选地为所述辐射加热射线的波长的5～100倍，所述开口的高宽比优选地为4～10。

15.根据权利要求9、10、12、13或14所述的反应器，其特征在于，所述每个反射部之间的距离均相等。

16.根据权利要求9所述的反应器，其特征在于，所述支撑盘可分离地安装在所述主轴顶端。

17.根据权利要求11所述的反应器，其特征在于，所述支撑盘边缘区域的反射部相对中心区域的反射部具有更高密度的所述槽或沟或波浪形的轮廓。