CN114164414A - 一种化学气相沉积装置的反应腔室及化学气相沉积装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种化学气相沉积装置的反应腔室及化学气相沉积装置，反应腔室包括：反应腔本体；晶片托盘，位于所述反应腔本体内，其上表面用于放置待处理的晶片，所述晶片托盘的周向外侧边沿设有弧形圆角；托盘支撑轴，位于晶片托盘的下方，托盘支撑轴与所述晶片托盘互相配合，以使托盘支撑轴带动所述晶片托盘旋转；加热组件，位于托盘的下方，且加热组件环绕在所述托盘支撑轴的外周；反射盘，位于所述加热组件的下方；遮蔽件，位于反应腔本体内，所述遮蔽件套置在晶片托盘、加热组件以及反射盘的外侧，且所述遮蔽件可升降运动；内反射环，位于遮蔽件内侧，且内反射环套置在晶片托盘的至少部分周向外表面外侧，内反射环与所述遮蔽件同步升降运动。

Description

一种化学气相沉积装置的反应腔室及化学气相沉积装置

技术领域

本发明涉及半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积装置的反应腔室及化学气相沉积装置。

背景技术

在半导体晶片的制造工艺过程中，需将晶片承载在晶片托盘上完成。利用化学气相沉积（CVD，Chemical Vapor Deposition）工艺来制造晶片，具有生长易控制、可生长纯度很高的材料、外延层大面积均匀性良好等优点，因而化学气相沉积装置逐渐用于大规模制造高亮度LED芯片及电力电子器件中。

在CVD装置的反应腔室内一般需设置有加热件，从而使得原料气体分解后沉积在晶片托盘上的晶圆表面。现有的化学气相沉积装置为了保证晶片工艺结果的稳定性，托盘通常需要高速旋转以匀化气流场，同时对托盘的加热需要尽可能均匀化。但为了保证环境及操作人员安全，目前业内的CVD反应腔室大多为冷壁式，例如在腔室壁中通入冷却水降温到小于100℃以保证环境及人员安全。但低温的腔室壁及遮蔽件（Shutter）会大量吸收腔室内部件的热量，造成腔室内部件的中心部分与边缘部分的温度梯度过大，过大的温度梯度会影响沉积腔室的利用率，造成资源浪费，同时也会使得部件由于温度梯度较大而导致开裂现象的发生。例如，对于CVD装置的晶片托盘，虽然晶片托盘中心大部分区域可以保证预期温差以满足工艺需求，但托盘边缘的温度会迅速下降，托盘边缘与中心的温差可以达到70℃以上；这样一是会导致托盘可利用面积减小，造成资源浪费；二是由于托盘边缘与中心的温度梯度过大，容易造成托盘的开裂。因此，如何减小晶片托盘中心区域与边缘区域的温差是亟待解决的技术问题。

发明内容

为了解决和缓解现有技术的上述问题，本申请提出了一种化学气相沉积装置的反应腔室及化学气相沉积装置。

根据本申请的一个方面，提出了一种化学气相沉积装置的反应腔室，所述反应腔室包括：

反应腔本体；

晶片托盘，位于所述反应腔本体内，其上表面用于放置待处理的晶片，所述晶片托盘的周向外侧边沿设有弧形圆角；

托盘支撑轴，位于所述晶片托盘的下方，所述托盘支撑轴与所述晶片托盘互相配合，以使所述托盘支撑轴带动所述晶片托盘旋转；

加热组件，位于所述晶片托盘的下方，且所述加热组件环绕在所述托盘支撑轴的外周；

反射盘，位于所述加热组件的下方，用于将所述加热组件产生的热量反射至所述晶片托盘及所述托盘支撑轴；

遮蔽件，位于所述反应腔本体内，所述遮蔽件套置在所述晶片托盘、加热组件以及反射盘的外侧，且所述遮蔽件可升降运动；以及，

内反射环，位于所述遮蔽件内侧，且所述内反射环套置在所述晶片托盘的至少部分周向外表面外侧，所述内反射环与所述遮蔽件同步升降运动。

在本发明的一些实施例中，所述遮蔽件与所述反应腔本体的内壁之间填充有保温材料。

在本发明的一些实施例中，所述保温材料为发泡石英。

在本发明的一些实施例中，所述弧形圆角的半径范围为3mm~11mm。

在本发明的一些实施例中，所述遮蔽件包括柱形筒以及与所述柱形筒顶端相接的圆台筒，所述柱形筒及圆台筒均为顶部和底部敞口的筒状结构，所述柱形筒的顶端与所述圆台筒的底端相接，且所述内反射环与所述柱形筒固定连接。

在本发明的一些实施例中，所述反应腔室还包括多个沿所述遮蔽件的内表面周向均匀分布的连接梁，所述连接梁用于连接所述遮蔽件及内反射环；和/或，

所述加热组件为环形加热丝或环形加热片。

在本发明的一些实施例中，所述晶片托盘的底部中心位置具有沉槽，所述托盘支撑轴的顶端具有与所述沉槽相适配的轴段。

在本发明的一些实施例中，所述内反射环的材料为纯钼、钼铜合金、钛钼合金或锆钼合金材料中的一种。

在本发明的一些实施例中，晶片托盘的位于所述内反射环顶端上方的高度和顶端下方的高度的比值范围为1：1~1：4；或所述内反射环与所述晶片托盘之间的空隙范围是1-6mm。

根据本发明的另一方面，还公开了一种化学气相沉积装置，所述化学气相沉积装置包括如上任一实施例所述的化学气相沉积装置的反应腔室。

上述实施例所公开的化学气相沉积装置的反应腔室，其通过在遮蔽件与晶片托盘之间设置内反射环，有效的提升了晶片托盘边缘位置处的温度，从而减小了晶片托盘中心位置与边缘位置处的温差，避免了晶片托盘开裂现象的发生；并增加了晶片托盘的有效使用面积，从而提高了产能。另外，在晶片托盘的外侧边沿设置弧形圆角，进一步的提高了晶片托盘边缘位置处的温度，并进一步的减小了晶片托盘中心区域与边缘区域之间的温差。

本发明的附加优点、目的，以及特征将在下面的描述中将部分地加以阐述，且将对于本领域普通技术人员在研究下文后部分地变得明显，或者可以根据本发明的实践而获知。本发明的目的和其它优点可以通过在书面说明及其权利要求书以及附图中具体指出的结构实现到并获得。

本领域技术人员将会理解的是，能够用本发明实现的目的和优点不限于以上具体所述，并且根据以下详细说明将更清楚地理解本发明能够实现的上述和其他目的。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的限定。附图中的部件不是成比例绘制的，而只是为了示出本发明的原理。为了便于示出和描述本发明的一些部分，附图中对应部分可能被放大，即，相对于依据本发明实际制造的示例性装置中的其它部件可能变得更大。在附图中：

图1为本发明一实施例的化学气相沉积装置的反应腔室的结构示意图。

图2为本发明一实施例的内反射环的结构示意图。

图3为晶片托盘上的弧形圆角半径设为12mm时晶片托盘周边区域的气流仿真图。

图4为晶片托盘上的弧形圆角半径设为5mm时晶片托盘周边区域的气流仿真图。

图5为内反射环与晶片托盘的距离为3mm时的气流云图。

图6为内反射环与晶片托盘的距离为7mm时的气流云图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图对本发明实施例做进一步详细说明。在此，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，但并不作为对本发明的限定。

在此，需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。

应该强调，术语“包括/包含/具有/设置有”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。在此，还需要说明的是，本说明书内容中所出现的“上部”、“下部”“上下”等方位名词是相对于附图所示的位置方向。

在此，还需要说明的是，本说明书内容中所出现的方位名词是相对于附图所示的位置方向；如果没有特殊说明，术语“连接”在本文不仅可以指直接连接，也可以表示存在中间物的间接连接。直接连接为两个零部件之间不借助中间部件进行连接，间接连接为两个零部件之间借助其他零部件进行连接。

在下文中，将参考附图描述本发明的实施例。在附图中，相同的附图标记代表相同或类似的部件，或者相同或类似的步骤。

图1为本发明一实施例的化学气相沉积装置的反应腔室的结构示意图，如图1所示，该反应腔室至少包括反应腔本体90、晶片托盘10、托盘支撑轴20、加热组件30、反射盘40、遮蔽件60以及内反射环50。

反应腔本体90具体的可呈圆柱体结构，其内部具有中空腔体，晶片托盘10、托盘支撑轴20、加热组件30、反射盘40、遮蔽件60以及内反射环50均设置在反应腔本体90的中空腔体内。具体的，晶片托盘10的上表面用于放置待处理的晶片，且晶片托盘10的周向外侧边沿设有弧形圆角11，弧形圆角11的设置是为了尽可能的减小晶片托盘10边缘热量的散失，从而提高晶片托盘10边缘位置处的温度；此设置的原因是由于在其他参数一定的情况下，圆角边缘的晶片托盘10相对于直角边缘的晶片托盘10表面积更小，因而减缓了晶片托盘10上热量散失的速度。

托盘支撑轴20位于晶片托盘10的底部，其在旋转驱动部件的驱动作用下可带动晶片托盘10进行高速旋转。此时旋转驱动部件具体的可为电机，且电机的输出轴可直接或间接驱动托盘支撑轴20进行旋转；示例性的，若电机直接驱动托盘支撑轴20，则电机的输出轴可直接与托盘支撑轴20固定连接，且此时电机的输出轴与托盘支撑轴20同向且同速旋转。

加热组件30位于晶片托盘10的下方，且加热组件30环绕在托盘支撑轴20的外周；加热组件30设置在晶片托盘10的下方且环绕在托盘支撑轴20的外侧，是为了使加热组件30产生的热量被进一步的传导至晶片托盘10以及托盘支撑轴20上；而托盘支撑轴20所接收到的热量可进一步的被传递至晶片托盘10的与托盘支撑轴20相连接的区域。示例性的，加热组件30可包括加热器、电极棒、电极板以及电极，其中加热器被具体的设置在托盘底部，而电极板设置在加热器底部，电极棒的两端分别与加热器及电极板连接，电极的一端与电极板连接，而电极的另一端可被延伸至反应腔本体90外部以与外部供电设备连接。

反射盘40位于加热组件30的下方，用于将所述加热组件30产生的热量反射至所述晶片托盘10及所述托盘支撑轴20；其中反射盘40的与托盘支撑轴20对应的位置处具有托盘支撑轴20过孔，以使托盘支撑轴20穿过该反射盘40的过孔。该反射盘40整体可为环状盘，且环状盘的外径可稍大于或等于加热组件30在晶片托盘10的径向方向所铺设的尺寸，换句话说，反射盘40的外边缘可位于最外侧加热组件30的外部。

遮蔽件60被设置在晶片托盘10、加热组件30、反射盘40与反应腔本体90的内壁之间，遮蔽件60整体可为顶部和底部均敞口的筒状结构，即遮蔽件60被套置在晶片托盘10、加热组件30以及反射盘40的外侧，且该遮蔽件60可进行升降运动。遮蔽件60进一步可通过升降驱动电机驱动，例如，遮蔽件60的底部还可设置托板，而遮蔽件60被支撑在托板上，则在升降驱动电机的驱动作用下，遮蔽件60则与托板可实现同步升降运动。除上述之外，遮蔽件60的升降运动还可通过电机加齿轮齿条机构实现，具体的，齿轮与电机的输出轴同步旋转，而齿条与遮蔽件60固定连接，且齿条与齿轮啮合传动，则随着电机输出轴的旋转运动，则遮蔽件60与齿条即实现了升降运动。应是理解的是，上述所列举的遮蔽件60的升降运动的实现方式所列举的仅是部分实施方式，其也可以通过其他的结构实现升降运动。将遮蔽件60设置为顶部和底部均敞口的筒状结构，不仅有效的起到了隔热的作用，其在水平方向上所占用的腔室面积较小，从而不影响单位面积的产能。

内反射环50位于所述遮蔽件60内侧，且所述内反射环50套置在所述晶片托盘10的至少部分周向外表面外侧，所述内反射环50与所述遮蔽件60同步升降运动。内反射环50被设置在遮蔽件60与晶片托盘10之间，且内反射环50套置在所述晶片托盘10的至少部分周向外表面外侧是指内反射环50的顶端与晶片托盘10的顶端可平齐或不平齐；当内反射环50的顶端与晶片托盘10的顶端平齐时，内反射环50则被认为套置在托盘的整个周向外表面外侧；而当内反射环50的顶端与晶片托盘10的顶端不平齐时，内反射环50则被认为套置在托盘的部分周向外表面外侧。图2为本发明一实施例的内反射环50的结构示意图，如图2所示，内反射环50整体可为顶部和底部均敞口的圆柱筒体结构。

进一步的，内反射环50和晶片托盘10的周向外表面之间还预留有一定的间隙，以防止内反射环50阻碍晶片托盘10的旋转，以及便于对内反射环50进行升降。当内反射环与晶片托盘的距离大于6mm时，托盘上方的大部分工艺气体会从反射环与晶片托盘之间的空隙向下流，因气流会导走热量 ，这样会导致内反射环的保温效果减小。图5为内反射环与晶片托盘的距离为3mm时的气流云图，可见气体大体全部从内反射环的外侧向下流动，可避免导走托盘边缘的热量；图6为内反射环与晶片托盘的距离为7mm时的气流云图，可见当空隙加大时，气流大部分从反射环与晶片托盘之间的空隙向下流动，如此可导走晶片托盘边缘的热量。故优选的，内反射环50的内侧壁与晶片托盘10的外侧壁之间的间隙为1mm至6mm。

应当理解的是，将遮蔽件60以及内反射环50均设置为可升降运动的结构，是为了便于实现晶片托盘10的装卸。例如，在装卸晶片托盘10时，升降驱动部件带动遮蔽件60以及内反射环50下降至晶片托盘10的下方，而当晶片托盘10被安装到位，进一步的需要对晶片托盘10进行加工制备时，则升降驱动部件驱动遮蔽件60以及内反射环50上升至一定高度即可。

而为了确保内反射环50与遮蔽件60的同步升降，则该反应腔室还包括多个沿所述遮蔽件60的内表面周向均匀分布的连接梁80，所述连接梁80用于连接所述遮蔽件60及内反射环50。从图1中可以看出，连接梁80位于遮蔽件60与内反射环50之间，且连接梁80的两端分别与内反射环50以及遮蔽件60进行连接，连接梁80与内反射环50以及遮蔽件60之间可采用可拆卸或不可拆卸的连接方式进行连接；示例性的，当连接梁80与内反射环50以及遮蔽件60之间均采用可拆卸方式进行连接时，则连接梁80的两端与内反射环50以及遮蔽件60之间可分别采用螺钉螺栓等方式进行固定；而若连接梁80与内反射环50以及遮蔽件60之间均要求采用不可拆卸方式进行连接时，则连接梁80的两端与内反射环50以及遮蔽件60之间可分别采用粘接或焊接的方式进行连接。应当理解的是，在此处通过设置连接梁80将内反射环50以及遮蔽件60固定为一体是一种较优的选择方式，而也可采用其它方式将两个部件进行固定连接，并且连接梁80的具体数量可不做限制，其可基于内反射环50或遮蔽件60的内外径尺寸进行设定，只要能保证遮蔽件60与内反射环50在升降驱动电机的驱动作用下实现同步升降运动即可。

在本发明的一些实施例中，遮蔽件60与所述反应腔本体90的内壁之间填充有保温材料，由于反应腔本体90一般为冷腔壁，而在遮蔽件60的外侧设置保温材料，则起到一定的隔热作用，从而防止遮蔽件60上的热量被传递至反应腔本体90的腔壁上。并且遮蔽件60内部不设置冷却液体，则进一步的减小了遮蔽件60的吸热，从而使得加热组件30产生的热量被尽可能的传递至晶片托盘10以及托盘支撑轴20上。

可选的，保温材料为发泡石英，此时发泡石英被填充至遮蔽件60的外筒壁上，另外，发泡石英的被填充厚度可根据遮蔽件60实际需要的保温需求进行设定，如在一些保温要求较高的区域，可在遮蔽件60的外壁上填充较厚的石英。并且将保温材料选为发泡石英仅是一种优选示例，也可以选用其他类型的保温材料。

进一步的，遮蔽件60包括柱形筒以及与所述柱形筒顶端相接的圆台筒，所述柱形筒及圆台筒均为顶部和底部敞口的筒状结构，所述柱形筒的顶端与所述圆台筒的底端相接，且所述内反射环50与所述柱形筒固定连接。其中，圆台筒的底端为直径较大的一端，而圆台筒的顶端为直径较小的一端。在该实施例中，为了确保保温材料对遮蔽件60的有效保温，则被填充在遮蔽件60外侧壁上的发泡石英则整体形状与遮蔽件60的外形也相似，其底部一部分为柱形筒状，而顶端一部分呈圆台形筒状。在该实施例中，遮蔽件60顶端的圆台筒由于位于晶片托盘10的外侧，则该遮蔽件60顶端的截面尺寸设置为从下至上逐渐减小是为了尽可能的防止晶片托盘10上的热量被流失至外部。

由于内反射环50是与该遮蔽件60固定连接且同步升降，另由于内反射环50需套置在晶片托盘10的至少部分周向外表面的外侧，则内反射环50被设置为与遮蔽件60的柱形筒连接。当内反射环50与遮蔽件60之间通过连接梁80进行连接时，则连接梁80的一端可与遮蔽件60的柱形筒进行连接，而连接梁80的另一端与内反射环50进行连接。另外，遮蔽件60的柱形筒以及遮蔽件60的圆台筒的具体高度可基于晶片托盘10的厚度进行设定，例如，将遮蔽件60的圆台筒的高度设为大于晶片托盘10的厚度。

进一步的，加热组件30可为环形加热丝或环形加热片，此时环形加热丝或环形加热片被套置在托盘支撑轴20的外侧。而环形加热丝以及环形加热片的数量一般设为多个，且多个环形加热丝或环形加热片被水平铺设在晶片托盘10的底部。此时多个环形加热丝或环形加热片均以托盘支撑轴20的轴线为环绕轴，则位于最内圈的环形加热丝或环形加热片的直径最小，而位于最外圈的环形加热丝或环形加热片的直径最大。其中，相邻两圈的环形加热丝或环形加热片之间间隔有一定的间距，且各尺寸的晶片托盘10所采用的环形加热丝或环形加热片的数量也均不相同。另外，由于托盘支撑轴20与晶片托盘10相连接的区域无法设置环形加热丝或环形加热片，则此时会造成晶片托盘10上的与托盘支撑轴20相连接的部位的温度低于周边其他区域，为了缓解这一现象，则还将最内圈的环形加热丝或环形加热片设置为多层，多层加热丝或加热片的设置使得托盘支撑轴20上的热量被迅速提升，而又由于托盘支撑轴20与晶片托盘10之间可进行热传导，则托盘支撑轴20上的热量则进一步被传递至晶片托盘10的与托盘支撑轴20相配合的位置处，从而使得晶片托盘10上的用于与托盘支撑轴20相配合的区域的温度得到提高，以减小该区域与周边区域之间的温差，从而改善了晶片托盘10上的温度均匀性。

参考图1，晶片托盘10的底部中心位置可开设沉槽，所述托盘支撑轴20的顶端具有与所述沉槽相适配的轴段，此时将托盘支撑轴20的顶端插入至晶片托盘10底部中心的沉槽内即实现了晶片托盘10与托盘支撑轴20的相互配合。而又由于晶片托盘10与托盘支撑轴20需同步旋转，则晶片托盘10上的沉槽为自下至上横截面逐渐减小的棱台状凹槽，而相应的，托盘支撑轴20顶端的轴段则也被设置为棱台状结构，此设置是为了在旋转过程中确保晶片托盘10与托盘支撑轴20之间基于摩擦力的旋转稳定性。

进一步的，晶片托盘10的外边缘的弧形圆角11的半径范围为3mm~11mm，这是由于随着弧形圆角11的半径尺寸的增大，则晶片托盘10的边缘位置处的表面积减小，则晶片托盘10边缘位置处的温度提升越理想；但当晶片托盘10顶部边缘位置处的弧形圆角11半径过大时，会出现晶片托盘10外围湍流现象的发生，从而导致晶片内工艺结果一致性变差，其中图3为晶片托盘10上的弧形圆角11半径设为12mm时晶片托盘10周边区域的气流仿真图，而图4为晶片托盘10上的弧形圆角11半径设为5mm时晶片托盘10周边区域的气流仿真图，从图3及图4中对比可知，当弧形圆角11半径设为12mm时晶片托盘10周边区域的湍流现象较明显，而当弧形圆角11半径设为5mm时晶片托盘10周边区域的湍流现象明显得到缓解，因而本发明的晶片托盘10上的周向外侧边沿的弧形圆角11的直径可限定在3mm至11mm之间。

虽然内反射环50的设置是为了减少晶片托盘10边缘的热量散失，但内反射环50相对于晶片托盘10的高低会影响晶片托盘10边缘的气体流速，太高的气体流速会加速托盘的热量散失，仿真发现当托盘全部位于内反射环顶端之下时，相比没有内反射环时，托盘边缘外侧的气流流速增加了0.1m/s；经过对内反射环50与晶片托盘10处于不同相对位置时进行仿真实验可知，当晶片托盘10的上部分周向外表面位于内反射环50顶端之上，且晶片托盘10的下部分周向外表面位于内反射环50顶端之下时，可使内反射环既可以保持托盘温度不散失，又不至于因为增加了托盘边缘气体流速而加快热量散失。晶片托盘的位于内反射环顶端上方的高度和顶端下方的高度比值范围为1：1~1：4为合适的。

具体的，晶片托盘的位于内反射环50顶端上方的高度与位于内反射环50顶端下方的高度比值范围为1:1~1:4，且当晶片托盘的位于内反射环50顶端上方与顶端下方的高度比值为1:1时，则晶片托盘10的位于内反射环50顶端上方和下方的两部分高度相等，而当晶片托盘的位于内反射环50顶端上方与顶端下方的高度比值为1:4时，则晶片托盘10的位于内反射环50顶端下方的高度是晶片托盘10的位于内反射环50顶端上方的高度的四倍。优选的，晶片托盘10的位于内反射环50顶端下侧的高度A设为10.5mm，而内反射环50的位于晶片托盘10底端下部的高度可设为8.5mm。

为了进一步的提高内反射环50的温度反射能力，则内反射环50的材料可选用纯钼、钼铜合金、钛钼合金或锆钼合金中的一种，且将内反射环50的内壁设置为高反射率表面，从而使得晶片托盘10边缘向外散发的热量被高效的反射至晶片托盘10上，从而进一步的减小了晶片托盘10上热量的损失。

根据本发明的另一方面，还公开了一种化学气相沉积装置，该化学气相沉积装置包括如上任一实施例所述的化学气相沉积装置的反应腔室。该化学气相沉积装置的晶片托盘10上温度最高区域与晶片托盘10上温度最低区域之间的温差下降至47℃，相对于现有技术的反应腔室内的晶片托盘10上的76℃温差，得到较好的改善。

通过上述实施例可以发现，化学气相沉积装置的反应腔室，其通过在遮蔽件与晶片托盘之间设置内反射环，有效的提升了晶片托盘边缘位置处的温度，从而减小了晶片托盘中心位置与边缘位置处的温差，避免了晶片托盘开裂现象的发生；并增加了晶片托盘的有效使用面积，从而提高了产能。另外，在晶片托盘的外侧边沿设置弧形圆角，进一步的提高了晶片托盘 边缘位置处的温度，并进一步的减小了晶片托盘中心区域与边缘区域之间的温差。

本发明中，针对一个实施方式描述和/或例示的特征，可以在一个或更多个其它实施方式中以相同方式或以类似方式使用，和/或与其他实施方式的特征相结合或代替其他实施方式的特征。

但本发明不受上述实施例的限制，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下对本发明做出的修改、等同变化及修饰，均应落在本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室包括：

反应腔本体；

晶片托盘，位于所述反应腔本体内，其上表面用于放置待处理的晶片，所述晶片托盘的周向外侧边沿设有弧形圆角；

托盘支撑轴，位于所述晶片托盘的下方，所述托盘支撑轴与所述晶片托盘互相配合，以使所述托盘支撑轴带动所述晶片托盘旋转；

加热组件，位于所述晶片托盘的下方，且所述加热组件环绕在所述托盘支撑轴的外周；

反射盘，位于所述加热组件的下方，用于将所述加热组件产生的热量反射至所述晶片托盘及所述托盘支撑轴；

遮蔽件，位于所述反应腔本体内，所述遮蔽件套置在所述晶片托盘、加热组件以及反射盘的外侧，且所述遮蔽件可升降运动；以及，

内反射环，位于所述遮蔽件内侧，且所述内反射环套置在所述晶片托盘的至少部分周向外表面外侧，所述内反射环与所述遮蔽件同步升降运动。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，所述遮蔽件与所述反应腔本体的内壁之间填充有保温材料。

3.根据权利要求2所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，所述保温材料为发泡石英。

4.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，所述弧形圆角的半径范围为3mm~11mm。

5.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，所述遮蔽件包括柱形筒以及与所述柱形筒顶端相接的圆台筒，所述柱形筒及圆台筒均为顶部和底部敞口的筒状结构，所述柱形筒的顶端与所述圆台筒的底端相接，且所述内反射环与所述柱形筒固定连接。

6.根据权利要求5所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括多个沿所述遮蔽件的内表面周向均匀分布的连接梁，所述连接梁用于连接所述遮蔽件及内反射环；和/或，

所述加热组件为环形加热丝或环形加热片。

7.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，所述晶片托盘的底部中心位置具有沉槽，所述托盘支撑轴的顶端具有与所述沉槽相适配的轴段。

8. 根据权利要求1所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，所述内反射环的材料为纯钼、钼铜合金、钛钼合金或锆钼合金中的一种。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，晶片托盘的位于所述内反射环顶端上方的高度和顶端下方的高度的比值范围为1：1~1：4；或

所述内反射环与所述晶片托盘之间的空隙范围是1-6mm。

10.一种化学气相沉积装置，其特征在于，所述化学气相沉积装置包括如权利要求1至9中任意一项所述的化学气相沉积装置的反应腔室。

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