CN202193843U - 气体分配装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种气体分配装置。采用的技术方案是：支架Ⅰ固定挡板，挡板上端至少安装三层隔板，每层隔板上设有若干通气孔，隔板用支架Ⅱ固定。设在不同层的隔板上的通气孔的直径相同或不同。采用本实用新型，可以降低进入CVD法沉降室内的气体流速，并保证沉降室内反应气体的均匀分布，从而保证镀层质量。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种主要用于化学气相沉积法中，反应室内的气体分配装置。
背景技术
化学气相沉积（CVD）是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，是在相当高的温度下，混合气体与基体表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。因此混合气体的流速及在沉降室中的均匀分散度，直接影响着镀层的质量。而现有技术中，进入沉降室的混合气体流速难以控制，气体在沉降室中分配不均，因此易出现次品，造成浪费。
发明内容
为了解决以上问题，本实用新型提供一种可以降低气体流速，使混合气体均匀进入沉降室，从而保证镀层质量的气体分配装置。
本实用新型采用的技术方案是：一种气体分配装置，支架Ⅰ固定挡板，挡板上端至少安装三层隔板，每层隔板上设有若干通气孔，隔板用支架Ⅱ固定。
上述的气体分配装置，设在不同层的隔板上的通气孔的直径相同或不同。
优选的，上述的气体分配装置，从最下层隔板向最上层隔板，每层隔板上的通气孔的直径依次增加。
本实用新型的有益效果是：由于设置了挡板，通过挡板首先分散混合气体，使混合气体从挡板的两侧向上流动，避免了混合气体中部密度大，四周密度小下进入沉降室。由于设置了多层隔板，隔板上设有通气孔，使得气体在向上流动过程中，从通气孔中穿插流动，混合气体被再次分配，进一步使混合气体分布均匀。通气孔的直径从最下层向最上层，其直径依次增加，使气体在充分混合的同时，降低流速，降低气体压力，使得沉降室的压力达到常压。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是图1的俯视图。
图3是本实用新型工作状态简图。
具体实施方式
如图1和图2所示，一种气体分配装置：支架Ⅰ（1）固定挡板（2），挡板（2）上端至少安装三层隔板（3）（本实施例安装四层隔板），每层隔板（3）上设有若干通气孔（4），隔板（3）用支架Ⅱ（5）固定。
上述的气体分配装置，设在不同层的隔板（3）上的通气孔（4）的直径相同或不同。
本实施例采用：同一隔板（3）上的通气孔（4）的直径相同，而不同层隔板（3）上的通气孔（4）的直径不同。具体为：从最下层隔板向最上层隔板，每层隔板（3）上的通气孔（4）的直径依次增加。即最下层隔板上的通气孔的直径最小，向上依次增加，最上层隔板上的通气孔的直径最大。
如图3所示，本实用新型工作时：将本实用新型置于CVD反应装置（10）的气体室（20）内。混合气体经进气管（30）和预热室（40）进入气体室（20），首先经挡板（2）阻挡，第一次分散，然后经过多层隔板（3）上的通气孔（4），第二次分散，达到进入沉降室（50）前的混合气体降低了流速和压力，气体在气体室内分散均匀，保证了沉降室内为常压和反应气体分布均匀。
Claims (3)
1.一种气体分配装置，其特征在于：支架Ⅰ（1）固定挡板（2），挡板（2）上端至少安装三层隔板（3），每层隔板（3）上设有若干通气孔（4），隔板（3）用支架Ⅱ（5）固定。
2.按照权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于：设在不同层的隔板（3）上的通气孔（4）的直径相同或不同。
3.按照权利要求2所述的气体分配装置，其特征在于：从最下层隔板向最上层隔板，每层隔板（3）上的通气孔（4）的直径依次增加。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103184433A (zh) * | 2012-05-24 | 2013-07-03 | 北京普纳森电子科技有限公司 | 气体扩散均匀化装置及使用该装置的等离子体工艺设备 |
| CN103305812A (zh) * | 2013-06-08 | 2013-09-18 | 上海和辉光电有限公司 | 一种上电极装置 |
| CN105420686A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-03-23 | 清远先导材料有限公司 | 一种化学气相沉积炉用石墨沉积装置 |
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- 2011-08-18 CN CN2011203008581U patent/CN202193843U/zh not_active Expired - Fee Related
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