CN101748378A - 成膜载板及太阳能电池的生产方法 - Google Patents

成膜载板及太阳能电池的生产方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101748378A
CN101748378A CN200810239693A CN200810239693A CN101748378A CN 101748378 A CN101748378 A CN 101748378A CN 200810239693 A CN200810239693 A CN 200810239693A CN 200810239693 A CN200810239693 A CN 200810239693A CN 101748378 A CN101748378 A CN 101748378A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
carrier board
forming carrier
hole
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200810239693A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101748378B (zh
Inventor
李永军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing North Microelectronics Co Ltd filed Critical Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority to CN2008102396934A priority Critical patent/CN101748378B/zh
Publication of CN101748378A publication Critical patent/CN101748378A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101748378B publication Critical patent/CN101748378B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种成膜载板及太阳能电池的生产方法,成膜载板上开有多个通孔,分纵、横多排布置,将成膜载板分割成多个区域,每个区域可以放置成膜的基片。在成膜工艺中,工艺气体可以从成膜载板的四周及通孔中均匀通过,提高气体在成膜载板上方的均匀性,从而提高成膜的均匀性。可以用在硅太阳能电池制作工艺中,在多晶硅层上沉积氮化硅减反射层,也可以用于其它的半导体加工中的薄膜制作工艺中。

Description

成膜载板及太阳能电池的生产方法
技术领域
本发明涉及一种成膜技术,尤其涉及一种成膜载板及太阳能电池的生产方法。
背景技术
在多晶硅太阳能制造设备中,PECVD(等离子增强化学气相淀积)设备用来实现多晶硅表面减反射层氮化硅的沉积,等离子能量增加了反应粒子的活性,在400℃~500℃温度下使工艺气体实现解离、反应、沉积等工艺。
如图1所示,现有技术中的PECVD设备的工艺腔室结构包括气体进入孔1、气体匀流板及上电极2、等离子体发生源3、工艺腔室4、载板5、加热板及下电极6等。
工艺气体通过气体进入孔1、气体匀流板2进入工艺腔室4,保证工艺气体均匀分布在载板5的上方,并形成等离子体,进行氮化硅薄膜沉积等成膜工艺。在PECVD成膜过程中,影响膜质量的工艺参数主要有等离子体分布均匀性,温度均匀性以及气流均匀性等,对于大尺寸设备来说,工艺参数的均匀性尤其重要。
如图2所示,现有技术中的载板5为实心平板状,载板5的上方设有多块基片7,工艺气体在载板5的上方反应成所需薄膜沉积在基片7的上方。
上述现有技术至少存在以下缺点:
由于载板5为实心平板,工艺气体由气体匀流板2运动至载板5时,会流向载板5的四周,使载板5四周的气体浓度大于载板5中心位置的气体浓度,无法在基片7的上方获得均匀的工艺气体,影响了膜的均匀性。
发明内容
本发明的目的是提供一种能使工艺气体均匀的成膜载板及太阳能电池的生产方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明的成膜载板,该成膜载板上开有多个通孔。
本发明的太阳能电池的生产方法,包括薄膜沉积工艺,将太阳能电池基片放在上述的成膜载板上,进行所述薄膜沉积工艺。
由上述本发明提供的技术方案可以看出,本发明所述的成膜载板及太阳能电池的生产方法,由于成膜载板上开有多个通孔,使工艺气体可以从成膜载板的四周及通孔中均匀通过,提高气体在成膜载板上方的均匀性,从而提高成膜的均匀性。
附图说明
图1为现有技术中的PECVD设备的的结构示意图;
图2为现有技术中的载板的结构示意图;
图3为本发明的成膜载板的具体实施例一的结构示意图;
图4为本发明的成膜载板的具体实施例二的结构示意图;
图5为本发明的成膜载板的具体实施例三的结构示意图;
图6a为本发明中的通孔的结构示意图一;
图6b为本发明中的通孔的结构示意图二;
图6c为本发明中的通孔的结构示意图三。
具体实施方式
本发明的成膜载板,其较佳的具体实施方式是,该成膜载板上开有多个通孔,多个通孔可以在成膜载板上纵向布置一排或多排,并横向布置一排或多排。纵、横布置的多排通孔将成膜载板分割成多个区域,每个区域可以放置成膜的基片。在成膜工艺中,工艺气体可以从成膜载板的四周及通孔中均匀通过,提高气体在成膜载板上方的均匀性,从而提高成膜的均匀性。
具体实施例一,如图3所示,纵向布置的一排通孔9和横向布置的一排通孔9分别设于成膜载板8的横向和纵向中心线处,将成膜载板8分割成4个区域,每个区域可以放置一块基片7。
具体实施例二,如图4所示,上例中的每个区域可以放置4块基片7。根据需要每个区域也可以放置2、3、6块等多块基片7。
具体实施例三,如图5所示,纵向布置的两排通孔9和横向布置的两排通孔9将成膜载板8分割成9个区域,每个区域可以放置一块基片7。同样,根据需要,每个区域也可以放置多块基片7.
多个通孔9的布置方式及基片7的布置方式不限于上述三个实施例中的布置方式,也可以采用其它的布置方式。
如图6a、6b、6c所示,通孔9的形状根据需要可以为圆孔、方孔或喇叭形孔等,也可以是其它形状的孔。
通孔9的横向最大尺寸可以小于或等于成膜载板的厚度的两倍。用于保证等离子体不能通过通孔9。
本发明的太阳能电池的生产方法,其较佳的具体实施方式是,将太阳能电池基片放在上述的成膜载板上,进行薄膜沉积工艺。
如在硅太阳能电池的制作工艺中,可以将成膜载板用于在多晶硅层上沉积氮化硅减反射层,或其它的薄膜层等。
也可以将上述的成膜载板应用于其它的半导体加工中的薄膜制作工艺中。
本发明可以解决工艺气体在载板上方的均匀分布问题,提高成膜的均匀性。在太阳能平面气相沉积成膜设备中,膜的均匀性主要受等离子体分布和工艺气体分布均匀性影响,而对于工艺气体均匀分布的考虑,现有的结构或者技术方案主要集中在气体进入喷头的设计来提高气体在载板上方的均匀性。本发明提供了一种新型的载板设计结构,在载板内部增加气体出口,使气体在载板四周及上方均匀分布,保证气体在载板上方的均匀性,提高的薄膜均匀性,是一种全新的思路。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种成膜载板,其特征在于,该成膜载板上开有多个通孔。
2.根据权利要求1所述的成膜载板,其特征在于,所述多个通孔包括在所述成膜载板上纵向布置的一排或多排通孔和横向布置的一排或多排通孔。
3.根据权利要求2所述的成膜载板,其特征在于,所述纵向布置的一排通孔和横向布置的一排通孔分别设于所述成膜载板的横向和纵向中心线处。
4.根据权利要求1、2或3所述的成膜载板,其特征在于,所述通孔为圆孔、方孔或喇叭形孔。
5.根据权利要求1、2或3所述的成膜载板,其特征在于,所述通孔的横向最大尺寸小于或等于所述成膜载板的厚度的两倍。
6.一种太阳能电池的生产方法,包括薄膜沉积工艺,其特征在于,将太阳能电池基片放在权利要求1至5任一项所述的成膜载板上,进行所述薄膜沉积工艺。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的生产方法,其特征在于,所述基片放在所述成膜载板上纵向布置的一排或多排通孔和横向布置的一排或多排通孔分割形成的多个区域中,每个区域中放置一块或多块基片。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池的生产方法,其特征在于,所述太阳能电池为硅太阳能电池,所述基片包括多晶硅层。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的生产方法,其特征在于,所述薄膜沉积工艺包括在所述多晶硅层上沉积减反射层。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池的生产方法,其特征在于,所述减反射层为氮化硅层。
CN2008102396934A 2008-12-15 2008-12-15 成膜载板及太阳能电池的生产方法 Active CN101748378B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008102396934A CN101748378B (zh) 2008-12-15 2008-12-15 成膜载板及太阳能电池的生产方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008102396934A CN101748378B (zh) 2008-12-15 2008-12-15 成膜载板及太阳能电池的生产方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101748378A true CN101748378A (zh) 2010-06-23
CN101748378B CN101748378B (zh) 2011-12-07

Family

ID=42475986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008102396934A Active CN101748378B (zh) 2008-12-15 2008-12-15 成膜载板及太阳能电池的生产方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101748378B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102031498A (zh) * 2010-12-17 2011-04-27 中微半导体设备(上海)有限公司 用于iii-v族薄膜生长反应室的基片支撑座、其反应室及工艺处理方法
CN102610698A (zh) * 2012-03-29 2012-07-25 常州比太科技有限公司 太阳能硅片制造工艺用传输载板
WO2019148724A1 (zh) * 2018-01-31 2019-08-08 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 用于薄膜电池制备的承载件及薄膜电池的制备方法
WO2019245809A1 (en) * 2018-06-21 2019-12-26 Corning Incorporated Stiffened thin substrates and articles formed therefrom
CN115961265A (zh) * 2023-02-01 2023-04-14 常州捷佳创精密机械有限公司 一种大面积卧式cat-cvd镀膜腔室及设备

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100238629B1 (ko) * 1992-12-17 2000-01-15 히가시 데쓰로 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치
CN100338734C (zh) * 2001-11-30 2007-09-19 信越半导体株式会社 基座、气相生长装置、外延晶片的制造装置、外延晶片的制造方法和外延晶片

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102031498A (zh) * 2010-12-17 2011-04-27 中微半导体设备(上海)有限公司 用于iii-v族薄膜生长反应室的基片支撑座、其反应室及工艺处理方法
CN102031498B (zh) * 2010-12-17 2016-05-18 中微半导体设备(上海)有限公司 用于iii-v族薄膜生长反应室的基片支撑座、其反应室及工艺处理方法
CN102610698A (zh) * 2012-03-29 2012-07-25 常州比太科技有限公司 太阳能硅片制造工艺用传输载板
WO2019148724A1 (zh) * 2018-01-31 2019-08-08 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 用于薄膜电池制备的承载件及薄膜电池的制备方法
WO2019245809A1 (en) * 2018-06-21 2019-12-26 Corning Incorporated Stiffened thin substrates and articles formed therefrom
CN115961265A (zh) * 2023-02-01 2023-04-14 常州捷佳创精密机械有限公司 一种大面积卧式cat-cvd镀膜腔室及设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN101748378B (zh) 2011-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10858737B2 (en) Showerhead assembly and components thereof
CN101748378B (zh) 成膜载板及太阳能电池的生产方法
KR20080113043A (ko) 미세결정 실리콘막 형성 방법 및 태양전지
CN102959125A (zh) 真空处理装置及等离子体处理方法
KR20080075111A (ko) 가스 헤드 및 박막제조장치
CN102312212B (zh) 扫描镀膜装置及扫描镀膜组件
KR20080105617A (ko) 화학기상증착장치 및 플라즈마강화 화학기상증착장치
CN101445918A (zh) 一种原子层沉积装置
EP2759520B1 (en) Polycrystalline silicon manufacturing apparatus and polycrystalline silicon manufacturing method
KR101349266B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 마이크로 크리스탈 실리콘의 성막 방법
CN105900215A (zh) 原子层沉积装置及方法
KR101147658B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 방법
KR100980397B1 (ko) 유기금속가스의 농도분포조절이 가능한 화학기상증착반응기
KR101046910B1 (ko) 진공처리장치
US9297075B2 (en) Plasma deposition apparatus and plasma deposition method
KR20120016955A (ko) 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치
KR100944186B1 (ko) 화학기상증착 반응기의 가스분사장치
CN105420686A (zh) 一种化学气相沉积炉用石墨沉积装置
JP2013541641A (ja) 真空プロセス機器用のガス供給装置
CN210012901U (zh) 一种平板式pecvd设备微波离子源工艺气体喷气装置
TWI585232B (zh) 線性電漿輔助化學氣相沈積設備
JP5308733B2 (ja) 非一体型カソード電極及びプラズマcvd装置
TWI400739B (zh) 陰極放電裝置
CN103103500B (zh) 一种用于pecvd多点进气多区可调装置
US20110247559A1 (en) Gas distribution shower module and film deposition apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, Wenchang Road, No. 8, No.

Patentee after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd

Address before: 100016, building 2, block M5, No. 1 East Jiuxianqiao Road, Beijing, Chaoyang District

Patentee before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing

CP03 Change of name, title or address