CN201952238U - 多晶硅还原炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种多晶硅还原炉，多晶硅还原炉，其包括有底座以及其上设置的钟罩形的炉体，其特征是，所述炉体外表面设置有多层螺旋上升的冷却水管。本实用新型的有益效果是，通过在多晶硅还原炉炉体外表面设置多层螺旋上升的冷却水管，更容易加工，且能实现对炉体外表面全覆盖，冷却效果更好，使用寿命更长。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种多晶硅的生产设备，尤其是一种用于生产多晶硅的多晶硅还原炉。
背景技术
随着科技的发展，太阳能光伏产业和半导体工业的发展也越来越迅猛。作为太阳能光伏产业以及半导体工业主要的原料的多晶硅，其工业需求也是越来越大。
目前，业界生产多晶硅的方法有多种，其中较为常见的是氢还原法。其是把提纯好的三氯氢硅和净化好的氢气作为原料，通入到反应容器内，在高温、高压环境下，两者在反应容器内发生化学反应，形成多晶硅，并沉积在反应容器内的发热体上。随着化学反应的继续，沉积在发热体上的多晶硅越来越多，逐渐的将发热体全部覆盖，变成一根外表包裹着多晶硅的棒状体，俗称硅棒。反应容器内的化学反应将继续进行，多晶硅也会继续沉积在硅棒上，使得硅棒的直径逐渐加大，直到最后达到预定的直径尺寸，停止反应容器内的化学反应。
业界通常使用多晶硅还原炉，作为实施上述化学反应的反应容器。其自身的性能好坏，对其生产的多晶硅的品质有着重大的影响。通常其包括有底座以及与底座连接的炉体。
进一步的，为了保护炉体，不会被炉体内的反应条件中的高温所损坏，以及防止反应生成的多晶硅沉积于炉体内壁表面。炉体通常为双层结构，其内夹层中会通入用于冷却炉体内壁的冷却水或冷却油。如此，通过冷却水或冷却油来带走靠近炉体内壁区域的大量热量，使得炉体内壁的温度相对低于多晶硅还原沉积温度，避免了炉体内的高温损坏炉体内壁。但是，目前多晶硅还原炉的冷却水或冷却油都是通过螺旋设置的导流板流通，而导流板在加工固定到多晶硅还原炉上时，是将其内侧焊接固定到内层炉体的外表面，外面罩上外层炉体，因为空间狭小无法将导流板的外侧焊接到外层炉体的内表面，因此在对冷却水或冷却油导流时，存在着上面的冷却水或冷却油向下串流的情况，造成了设备局部温度过高，从而影响了设备的使用寿命。
为了解决上述问题，业界采用在多晶硅还原炉的炉体外表面螺旋焊接水管进行冷却的解决方案，但是由于焊接的工艺要求，使得水管之间必须留存间隙，这就导致了多晶硅还原炉无法实现全覆盖的冷却，同样存在上述设备局部温度过高，影响了设备的使用寿命的问题。而且，这样的单进水管还存在供水压力大，管路长，冷却效果不好的问题。
因此，业界急需一种多晶硅还原炉的解决方案，来改善或解决上述的问题。
实用新型内容
为了克服现有业界使用的多晶硅还原炉冷却效果不好，寿命短的问题，本实用新型提供一种冷却效果好，寿命长的多晶硅还原炉。
本实用新型解决现有技术问题所采用的技术方案是：一种多晶硅还原炉，多晶硅还原炉，其包括有底座以及其上设置的钟罩形的炉体，其特征是，所述炉体外表面设置有多层螺旋上升的冷却水管。
优选的，包括至少一根螺旋均匀间距的设置在所述炉体外表面的基层水管。
优选的，所述基层水管与所述炉体外表面焊接。
优选的，包括至少一根高层水管螺旋均匀间距的设置在所述基层水管的外表面。
优选的，所述高层水管与所述基层水管外表面焊接。
本实用新型的有益效果是，通过在多晶硅还原炉炉体外表面设置多层螺旋上升的冷却水管，更容易加工，且能实现对炉体外表面全覆盖，冷却效果更好，使用寿命更长。
附图说明
图1是本实用新型涉及的多晶硅还原炉的炉体外表面冷却水管的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本实用新型的具体实施方式。
请参阅图1所示，本实用新型涉及的一种多晶硅还原炉10，其包括有底座12和设置于其上的钟罩形的炉体14，炉体14的外表面设置有多层螺旋上升的冷却水管。冷却水管包括螺旋均匀间距焊接在炉体14外表面的基层水管16。基层水管16可以是一根，也可以是两根或多根平行的螺旋焊接在炉体的外表面上。基层水管16的外表面20上方螺旋焊接有高层水管18，高层水管18覆盖基层水管16之间的间隙，使得整个炉体外表面被冷却水管覆盖。当然，根据本实用新型的发明构思，本领域普通技术人员很容易想到使用两根或多根高层水管平行螺旋焊接在基层水管上，达到对整个炉体外表面被冷却水管覆盖的效果。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施方式，本实用新型的保护范围并不以上述实施方式为限，但凡本领域普通技术人员根据本实用新型所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。
Claims (5)
1.一种多晶硅还原炉，其包括有底座以及其上设置的钟罩形的炉体，其特征是，所述炉体外表面设置有多层螺旋上升的冷却水管。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征是：包括至少一根螺旋均匀间距的设置在所述炉体外表面的基层水管。
3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉，其特征是：所述基层水管与所述炉体外表面焊接。
4.根据权利要求2或3所述的多晶硅还原炉，其特征是：包括至少一根高层水管螺旋均匀间距的设置在所述基层水管的外表面。
5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征是：所述高层水管与所述基层水管外表面焊接。
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|---|---|---|---|---|
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| CN108374195A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-07 | 孟静 | 稳态晶体生长装置 |
| CN108441939A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-24 | 孟静 | 稳态晶体生长方法 |
| CN110078079A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-02 | 重庆大全泰来电气有限公司 | 一种电子级高纯多晶硅还原启动设备和启动方法 |
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2010
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107685206A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-02-13 | 蒙城县众鑫电子科技有限公司 | 二极管高精度焊接炉冷却系统 |
| CN108374195A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-07 | 孟静 | 稳态晶体生长装置 |
| CN108441939A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-24 | 孟静 | 稳态晶体生长方法 |
| CN110078079A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-02 | 重庆大全泰来电气有限公司 | 一种电子级高纯多晶硅还原启动设备和启动方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20120817 Granted publication date: 20110831 |
|
| PD01 | Discharge of preservation of patent |
Date of cancellation: 20130817 Granted publication date: 20110831 |
|
| RINS | Preservation of patent right or utility model and its discharge | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110831 Termination date: 20140430 |