CN201919171U - 加热器 - Google Patents

加热器 Download PDF

Info

Publication number
CN201919171U
CN201919171U CN2010206741654U CN201020674165U CN201919171U CN 201919171 U CN201919171 U CN 201919171U CN 2010206741654 U CN2010206741654 U CN 2010206741654U CN 201020674165 U CN201020674165 U CN 201020674165U CN 201919171 U CN201919171 U CN 201919171U
Authority
CN
China
Prior art keywords
heater
pressure vessel
outer container
inner pressure
sidewall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2010206741654U
Other languages
English (en)
Inventor
何春雷
任瑞龙
黄柏喻
潘升林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN2010206741654U priority Critical patent/CN201919171U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201919171U publication Critical patent/CN201919171U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种加热器，所述加热器包括：具有一开口的外容器和置于所述外容器内用于容置被加热物的内容器，所述外容器的侧壁表面设置有加热丝。加热过程中，当固体物质粘附于内容器壁上时，特别是在固态的三氟化铟气化过程中的固态的三氟化铟粘附于内容器壁上时，可通过更换和清洗内容器，去除内容器壁上的粘附物，由此，将不影响加热丝的加热效果，也无需更换整个加热器，提高了加热器的使用寿命，降低生产成本。

Description

加热器
技术领域
本实用新型涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种加热器。
背景技术
在半导体元器件的制造技术中，由于纯净状态下的硅的导电性能很差，因此只有在硅中加入少量的杂质，使得硅的结构和电导率发生改变，硅才能成为一种有用的半导体。上述在硅中加入少量杂质的过程称为掺杂。硅掺杂技术是制备半导体元器件的基础，而离子注入(Ion Implant)技术则是最重要的掺杂方法之一。所述离子注入技术是一种向硅衬底中引入可控制数量的杂质，从而改变其电学性能的方法。常用的注入离子有硼离子、磷离子、铟离子等。
在现有的制造工艺中，一般使用三氟化铟(InF3)气体来产生铟离子注入中的离子源。由于三氟化铟在常态下是一种固体化学物，所以就需要使用加热器来使三氟化铟固体气化。请参考图1，其为现有的加热器示意图。如图1所示，加热器1包括具有一开口的容器10，所述容器10侧壁101外表面有加热丝12。当需要将固态的三氟化铟气化时，可将固态的三氟化铟14置于容器10内，利用加热丝12对固态的三氟化铟14进行加热，通常，当温度升高至650度～750度时，固态的三氟化铟就能气化成气态的三氟化铟。
利用现有的加热器1将固态的三氟化铟加热变成气态的三氟化铟，所述加热器1的寿命一般在1～2个月之间，对于一个产能在80,000片的半导体厂，每年花费在更换加热器上的费用就超过100,000美元。发明人仔细研究了造成现有加热器1寿命比较短的原因，发现主要集中在以下几个因素上：其一，固态的三氟化铟在气化的过程中，有一部分会粘附在容器10的侧壁101的内表面上，影响到加热效果，故而加热器1在使用一段时间后需要更换；其二，只在侧壁101的外表面上有加热丝12，加热丝12的加热慢，从而需要通过加长加热时间才能达到固态的三氟化铟的气化温度(约650度～750度)，由此，降低了加热丝12的寿命，此外，当有较多的三氟化铟粘附在容器10的侧壁101的内表面上时，影响了加热效果，从而也需要加长加热时间，由此，亦降低了加热丝12的寿命。上述几个因素共同作用，导致了加热器1寿命较短。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种加热器，以解决现有的加热器寿命较短的问题。
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种加热器，所述加热器包括：具有一开口的外容器和置于所述外容器内用于容置被加热物的内容器，所述外容器的侧壁表面设置有加热丝。
可选的，所述外容器的侧壁内外表面均设置有加热丝。
可选的，所述内容器的侧壁与所述外容器的侧壁内表面的加热丝接触。
可选的，所述内容器的侧壁为波浪形曲面结构。
可选的，所述波浪形曲面结构的曲面半径为3mm～30mm。
可选的，所述内容器的侧壁的厚度为0.8mm～2mm。
可选的，所述内容器的材质为金属。
可选的，所述内容器的顶壁上设置有出气孔。
可选的，所述加热器还包括温度感应器，所述温度感应器固定于所述外容器的底壁。
本实用新型提供的加热器，包括一置于外容器内用于容置被加热物的内容器，当固体物质粘附于内容器壁上时，特别是在固态的三氟化铟气化过程中的固态的三氟化铟粘附于内容器壁上时，可通过更换和清洗内容器，去除内容器壁上的粘附物，由此，将不影响加热丝的加热效果，也无需更换整个加热器，从而提高加热器的使用寿命，降低生产成本。
特别的，当所述外容器的侧壁内外表面都设置有加热丝时，加大了加热丝的加热效果，从而可减小加热丝加热时间，提高加热丝使用寿命，最终，提高整个加热器的使用寿命，降低生产成本。
附图说明
图1是现有的加热器示意图；
图2是本实用新型的加热器示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的加热器作进一步详细说明。根据下面的说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参考图2，其为本实用新型的加热器示意图。如图2所示，加热器2包括：具有一开口的外容器20和置于所述外容器20内用于容置被加热物的内容器21，所述外容器20的侧壁201表面设置有加热丝22。
当需要将固态的三氟化铟气化时，将固态的三氟化铟24置于内容器21内，利用加热丝22对固态的三氟化铟24进行加热，通常，当温度升高至650度～750度时，固态的三氟化铟就能气化成气态的三氟化铟。
本实施例提供的加热器2，由于包括一置于外容器20内用于容置被加热物的内容器21，当固体物质粘附于内容器21壁上时，特别是在固态的三氟化铟气化过程中的固态的三氟化铟24粘附于内容器21壁上时，可通过更换和清洗内容器21，去除内容器21壁上的粘附物，由此，将不影响加热丝22的加热效果，也无需更换整个加热器2。
进一步的，所述外容器20的侧壁201内外表面均设置有加热丝22，由此加大了加热丝22的加热效果，从而可减小加热丝22加热时间，提高加热丝22使用寿命，最终，提高整个加热器2的使用寿命，降低生产成本。
进一步的，所述内容器21的侧壁211与所述外容器20的侧壁201内表面的加热丝22接触，由此，提高加热丝22的加热效果。
在本实施例中，所述内容器21的侧壁211为波浪形曲面结构。波浪形曲面结构增加了内容器21内的固体与内容器21的侧壁211的接触面积，改善加热效果。进一步的，所述波浪形曲面结构的曲面半径为3mm～30mm。当然，在本实用新型的其他实施例中，所述波浪形曲面结构的曲面半径也可以为其他值。
在本实施例中，所述内容器21的侧壁211的厚度为0.8mm～2mm。在满足一定可靠性的前提下，侧壁211的厚度越薄越易于传热，从而提高加热器2的寿命。因此，在内容器21的可靠性与传热效果的两相权衡下，所述内容器21的侧壁211的厚度可以比上述值更大，或者更小。
进一步的，所述内容器21的材质为金属，以获取较佳的导热效果。特别的，所述内容器21的材质可选择导热效果尤为好的铝金属。
在本实施例中，所述内容器21的顶壁212上设置有出气孔213，通过该出气孔213可方便的将内容器21内的三氟化铟气体输出至内容器21外。
在本实施例中，所述加热器2还包括温度感应器23，所述温度感应器23固定于所述外容器20的底壁202，通过该温度感应器23可测知加热器2内的温度，防止加热丝22过加热，由此导致加热丝22的寿命降低。
上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (9)

1.一种加热器，其特征在于，包括：具有一开口的外容器和置于所述外容器内用于容置被加热物的内容器，所述外容器的侧壁表面设置有加热丝。
2.如权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述外容器的侧壁内外表面均设置有加热丝。
3.如权利要求2所述的加热器，其特征在于，所述内容器的侧壁外表面与所述外容器的侧壁内表面的加热丝接触。
4.如权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述内容器的侧壁为波浪形曲面结构。
5.如权利要求4所述的加热器，其特征在于，所述波浪形曲面结构的曲面半径为3mm～30mm。
6.如权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述内容器的侧壁的厚度为0.8mm～2mm。
7.如权利要求1至6中的任一项所述的加热器，其特征在于，所述内容器的材质为金属。
8.如权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述内容器的顶壁上设置有出气孔。
9.如权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述加热器还包括温度感应器，所述温度感应器固定于所述外容器的底壁。
CN2010206741654U 2010-12-21 2010-12-21 加热器 Expired - Fee Related CN201919171U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010206741654U CN201919171U (zh) 2010-12-21 2010-12-21 加热器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010206741654U CN201919171U (zh) 2010-12-21 2010-12-21 加热器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201919171U true CN201919171U (zh) 2011-08-03

Family

ID=44418959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010206741654U Expired - Fee Related CN201919171U (zh) 2010-12-21 2010-12-21 加热器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201919171U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105425133A (zh) * 2015-12-10 2016-03-23 重庆凯西驿电子科技有限公司 二极管失效分析实验用反应釜

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105425133A (zh) * 2015-12-10 2016-03-23 重庆凯西驿电子科技有限公司 二极管失效分析实验用反应釜

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200746484A (en) Phase-change memory device with minimized reduction in thermal efficiency and method of manufacturing the same
WO2008093121A3 (en) Photovoltaic electrochemical cell arrays
CN205230835U (zh) 一种散热效率高的铝电解电容器底座
CO6761316A2 (es) Un sistema de generación de aerosol que tiene medios para determinar el agotamiento de un substrato liquido
TW200719435A (en) Isolated phase change memory cell and method for fabricating the same
EP1780814A3 (en) Phase change memory cell
TW200737502A (en) Phase-change memory device and methods of fabricating the same
TW200719437A (en) Method of manufacturing a pipe shaped phase change memory
WO2007126441A3 (en) Back-contact photovoltaic cells
TW200943596A (en) Phase-change memory device and method of fabricating the same
EP2411142A4 (en) PARTIALLY-PASSED FLUIDIC CONTACT TYPE STRUCTURE
WO2009060614A1 (ja) 電気化学素子用電極
TWI264087B (en) Phase change memory cell and fabricating method thereof
WO2010136381A3 (de) Vorrichtung und verfahren zum kühlen von solarzellen mittels eines strömenden kühlmediums
EP2415081A4 (en) SOLAR CELL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL DEVICE
CN201919171U (zh) 加热器
CN208765877U (zh) 一种电容式柔性压力传感器
CN103025040A (zh) 利用水电极产生大面积沿面放电的装置
CN108352497A (zh) 电极涂覆设备
WO2014132197A3 (en) Integrated photovoltaic and thermal module (pvt)
CN103193032A (zh) 双层套装后抽真空层蓄冷箱
CN201550296U (zh) 一种半导体陶瓷加热器
CN206213964U (zh) 一种食品加工机
CN202222319U (zh) 蒸汽除草机发热体
CN202380077U (zh) 一种工艺腔加热保温系统

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING

Free format text: FORMER OWNER: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) CORPORATION

Effective date: 20130328

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 100176 DAXING, BEIJING

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130328

Address after: 100176 No. 18, Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone, Beijing

Patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation

Address before: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18

Patentee before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110803

Termination date: 20181221