CN201910408U - 一种8英寸晶圆切口氧化膜去除装置 - Google Patents

一种8英寸晶圆切口氧化膜去除装置 Download PDF

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徐继平
籍小兵
刘斌
边永智
宁永铎
孙洪波
张静
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YOUYAN NEW MATERIAL CO., LTD.
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Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals
Grinm Semiconductor Materials Co Ltd
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Abstract

本实用新型提供一种8英寸晶圆切口氧化膜去除装置，它包括一个氮气保护罩，一个底部开孔的升降槽，升降槽内置锥形腐蚀块，一个HF酸液槽，一个作用于升降槽的电机丝杠组合，一个带有排风孔的外壳箱体。利用锥形腐蚀块与8英寸切口的接触，达到去除切口氧化膜的目的。本实用新型的优点是：装置结构简单，操作方便，工艺成本低。

Description

一种8英寸晶圆切口氧化膜去除装置
技术领域
本实用新型涉及一种8英寸晶圆切口氧化膜去除装置。
背景技术
随着国内集成电路产业的迅速发展，硅衬底材料的需求量也越来越大，质量要求越来越严格，为了防止重掺杂硅片在外延生产过程中引起杂质的外扩散和自掺杂，通常需要对重掺杂硅片进行背封处理，即在衬底片的背面生长一层SiO2薄膜，由于杂质在SiO2中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此可以对衬底片中的杂质进行有效封堵。随之而来的问题是：硅片背面生长SiO2薄膜的同时，硅片边缘也同样生长了SiO2薄膜，而边缘的这一层SiO2薄膜，对硅片正面的外延层质量会产生较大的影响，因此必须去除边缘氧化膜。
目前国内采取的去边方式主要有贴膜去边和滚轮去边两种，贴膜去边采取硅片背面贴PTFE蓝膜的方式，对背面氧化膜进行保护，将边缘以及切口氧化膜去除，该工艺采用的设备和原材料成本较高，且生产工艺复杂，操作困难。
滚轮去边针对6英寸以下的背封片，去边技术已经比较完善，但是硅片尺寸上升到8英寸以后，采用切口代替了参考面，原有的滚轮去边技术遇到了难以解决的问题，就是无法将切口氧化膜去除，因此有必要提供一种新型的装置，用于去除切口氧化膜。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种8英寸晶圆切口氧化膜去除装置，该装置简单，操作方便，工作效率高，工艺成本较低，与贴膜去边相比，工艺成本仅仅为其万分之几。
为实现上述目的，本实用新型采取以下设计方案：
这种8英寸晶圆切口氧化膜去除装置，它包括一个氮气保护罩，一个底部开孔的升降槽，升降槽内置锥形腐蚀块，一个HF酸液槽，一个作用于升降槽的电机丝杠组合，一个带有排风孔的外壳箱体。
这种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法包括以下几个步骤：将理片机理好的8英寸硅片放置于花篮卡槽上，此时切口垂直向下，盖好氮气保护罩，开动电机，带动升降槽匀速上升，直至锥形腐蚀块与硅片切口接触后停止上升，携带的HF 酸与切口氧化膜发生反应，完成氧化膜去除后，电机带动升降槽降至HF酸液槽内，打开氮气保护罩，取出硅片进行检验。
附图说明
图1：去除切口氧化膜的工艺流程图；
图2：本装置的主视图；
图3：图2的左视图；
图4：图2的俯视图；
图5：装置核心示意图；
图6：锥形腐蚀块示意图。
具体实施方式
图2、图3、图4中，1为外壳箱体，2为氮气保护罩，3为内置腐蚀块的升降槽，4为HF酸液槽，5为电机丝杠组合。
它包括一个氮气保护罩2，一个底部开孔的升降槽3，升降槽内置锥形腐蚀块，一个HF酸液槽4，一个作用于升降槽的电机丝杠组合5，一个带有排风孔的外壳箱体1。升降槽底部为开圆孔结构，圆孔直径10-25mm，所述腐蚀块材料为四氟，且锥形尖位置粘贴了易于浸润和存储HF酸的布，其中锥形腐蚀块的锥形尖曲率半径r为0.8-1.0mm，锥形面长度a为0.5-2cm，两锥形面夹角90°，腐蚀块高度b为5-15cm，锥形尖位置粘贴的布，厚度0.1-0.3mm。

Claims (5)

1.一种8英寸晶圆切口氧化膜去除装置，其特征在于：它包括一个氮气保护罩，一个底部开孔的升降槽，升降槽内置锥形腐蚀块，一个HF酸液槽，一个作用于升降槽的电机丝杠组合，一个带有排风孔的外壳箱体。
2.根据权利要求1所述8英寸晶圆切口氧化膜去除装置，其特征在于：所述升降槽底部为开圆孔结构，圆孔直径10-25mm。
3.根据权利要求1所述8英寸晶圆切口氧化膜去除装置，其特征在于：所述腐蚀块材料为四氟，且锥形尖位置粘贴了易于浸润和存储HF酸的布。
4.根据权利要求1或3所述8英寸晶圆切口氧化膜去除装置，其特征在于：锥形腐蚀块的锥形尖曲率半径r为0.8-1.0mm，锥形面长度a为0.5-2cm，两锥形面夹角90°，腐蚀块高度b为5-15cm。
5.根据权利要求3所述8英寸晶圆切口氧化膜去除装置，其特征在于，锥形尖位置粘贴的布，厚度0.1-0.3mm。
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