CN201882919U - 一种三氯氢硅流化床 - Google Patents
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- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种三氯氢硅流化床，包括壳体，所述壳体内穿设有若干套管束，所述壳体的下端内表面还设置有分布板，壳体的下端为截去头部的锥形，该锥形的端部临近分布板。本实用新型将壳体的下端部的纵截面设置成为圆台形，氯化氢的单程转化率高，锥形壳体可使氯化氢的单程转化率比筒床提高～5％(在产能相同的前提下)；反应的选择性提高了5％。且现有技术中的三氯氢硅流化床的分布板上极易“飞温”，而本实用新型可消除底部的“飞温”，使床温易控。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种三氯氢硅流化床。
背景技术
三氯氢硅是目前生产多晶硅的重要原料，是光伏产业的原料基础，也是开发和发展新能源—绿色环保能源的原料基础。就目前来说，开发发展环保型能源是全世界的发展方向，所以三氯氢硅具有广阔的市场前景。
三氯氢硅的生产工艺如下：
1)将干燥的氯化氢和硅粉；
2)在三氯氢硅流化床中300℃的情况下反应生成三氯氢硅和少量的四氯化硅以及氢气；
3)经除尘，冷凝，尾气吸收；
4)凝液精馏得产品三氯氢硅和副产品四氯化硅。
在三氯氢硅生产过程中，三氯氢硅流化床是主要的生产设备，当前的三氯氢硅流化床，包括壳体，所述壳体内穿设有若干套管束，所述壳体的下端内表面还设置有分布板，所述壳体相应于分布板的端部为圆柱体。该结构的三氯氢硅流化床氯化氢单程转化率低，而且氯化氢进分布时极易产生飞温。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术中的不足，提供了一种结构简单的三氯氢硅流化床，该三氯氢硅流化床氯化氢单程转化率高，而且氯化氢进分布板时不易产生飞温。
为了解决上述技术问题，本实用新型通过下述技术方案得以解决：
一种三氯氢硅流化床，包括壳体，所述壳体内穿设有若干套管束，所述壳体的下端内表面还设置有分布板，壳体的下端为截去头部的锥形，该锥形的端部临近分布板。
上述技术方案中，所述锥形的锥角为7～20°。
上述技术方案中，所述锥形的锥角为9～15°。
有益效果：本实用新型与现有技术相比，具有如下有益效果：
本实用新型将壳体的下端部的纵截面设置成为圆台形，氯化氢的单程转化率高，锥形壳体可使氯化氢的单程转化率比筒床提高～5％(在产能相同的前提下)；反应的选择性提高了5％。且现有技术中的三氯氢硅流化床的分布板上极易“飞温”，而本实用新型可消除底部的“飞温”，使床温易控。
附图说明
图1为三氯氢硅流化床换热装置的结构示意图。
图2为图1中I处放大图。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述：
参见图1～2，一种三氯氢硅流化床，包括壳体1，所述壳体1穿设有若干套管束5，所述壳体1的下端端内表面还设置有分布板3，壳体1的下端的纵截面为圆台形，该锥形的端部临近分布板3。当然其也可以是其它为截去头部的锥形。
该锥形的锥角a一般在7～20°内，优选的是9～15°，作为本实用新型的一个实施例，本实用新型将其设置有成11°
本实用新型将壳体1的下端部的纵截面设置成为圆台形，氯化氢的单程转化率高，锥形壳体1可使氯化氢的单程转化率比筒床提高～5％(在产能相同的前提下)；反应的选择性提高了5％。且现有技术中的三氯氢硅流化床的分布板3上极易“飞温”，而本实用新型可消除底部的“飞温”，使床温易控。
Claims (3)
1.一种三氯氢硅流化床，包括壳体(1)，所述壳体(1)内穿设有若干套管束(5)，所述壳体(1)的下端内表面还设置有分布板(3)，其特征在于，壳体(1)的下端为截去头部的锥形，该锥形的端部临近分布板(3)。
2.如权利要求1所述的三氯氢硅流化床，其特征在于，所述锥形的锥角a为7～20°。
3.如权利要求2所述的三氯氢硅流化床，其特征在于，所述锥形的锥角a为9～15°。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010205751911U CN201882919U (zh) | 2010-10-25 | 2010-10-25 | 一种三氯氢硅流化床 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010205751911U CN201882919U (zh) | 2010-10-25 | 2010-10-25 | 一种三氯氢硅流化床 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201882919U true CN201882919U (zh) | 2011-06-29 |
Family
ID=44180457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010205751911U Expired - Fee Related CN201882919U (zh) | 2010-10-25 | 2010-10-25 | 一种三氯氢硅流化床 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201882919U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019098346A1 (ja) | 2017-11-20 | 2019-05-23 | 株式会社トクヤマ | 流動床方式反応装置及びトリクロロシランの製造方法 |
| US11071961B2 (en) | 2017-11-20 | 2021-07-27 | Tokuyama Corporation | Fluidized bed reaction container and method for producing trichlorosilane |
-
2010
- 2010-10-25 CN CN2010205751911U patent/CN201882919U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2019098346A1 (ja) | 2017-11-20 | 2019-05-23 | 株式会社トクヤマ | 流動床方式反応装置及びトリクロロシランの製造方法 |
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| US11007499B2 (en) | 2017-11-20 | 2021-05-18 | Tokuyama Corporation | Fluidized-bed-type reactor, and method for manufacturing trichlorosilane |
| US11071961B2 (en) | 2017-11-20 | 2021-07-27 | Tokuyama Corporation | Fluidized bed reaction container and method for producing trichlorosilane |
| TWI786226B (zh) * | 2017-11-20 | 2022-12-11 | 日商德山股份有限公司 | 流體化床式反應裝置及三氯矽烷的製造方法 |
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