CN201850332U - 一种宝石的单晶体生长温场 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种宝石的单晶体生长温场，包括底座、保温桶、保温罩，底座上端两侧安装有电极，所述的电极之间安装有坩埚，电极上端、坩埚外侧安装有保温桶，保温桶上端面安装有保温罩；底座、保温桶、保温罩均采用C/C复合材料整体成型，保温桶采用内保温桶、外保温桶的双层桶体套装结构。本实用新型下层底座提供很好的隔热作用，减少热量的损失，降低功耗；中间的保温筒起到稳定温场为晶体生长提供合适的径向温梯度；上层保温罩为晶体提供了合适的轴向温梯度，起到导流的作用，稳定晶体生长的固液界面，整个温场不但升温快，保温效果好，生产的产品质量好。
Description
技术领域：
本实用新型涉及宝石加工领域，具体是一种宝石的单晶体生长温场。
背景技术：
追求高纯净，大尺寸，晶体完整性好，价格低廉的大尺寸单晶蓝宝石一直是各国研究人员的主要研究方向，也是本领域的研究目标。由于蓝宝石衬底片市场已有原先的2寸正在向4寸、6寸大尺寸方向发展。而泡生法则具有晶体生长速度快，晶体尺寸大，热稳定性好，光学性均匀，加工利用率高等优点是目前全球最主要蓝宝石衬底片、大尺寸窗口材料生产方法之一。但其生长周期长，钨钼保温材料在晶体生长过程中异变形影响温场稳定性，钨钼保温材料使用寿命短价格昂贵，制约了泡生法大尺寸晶体的大规模生产和应用。
传统的宝石的单晶体生长温场，底座通常采用多层金属层叠加铆合的方式结合在一起，至于保温桶、保温罩采用的方式同样是如此。这种温场不但升温时间长，保温效果也较差。
本实用新型通过选取新型C/C复合材料，利用其优异的保温抗烧蚀性能，低杂质含量，设计科学合理的外形整体成型，整体成型的底座、保温桶、保温罩安装成温场。不但升温快，保温效果也同样优越；通过对蓝宝石单晶片完成主要测试内容，宝石质量均达到要求。
实用新型内容：
本实用新型的目的是提供一种宝石的单晶体生长温场，采用C/C复合材料整体成型的底座、保温桶、保温罩安装成温场，可以有效地解决传统温场的升温时间长，保温效果差的缺陷。
本实用新型的技术方案如下：
一种宝石的单晶体生长温场，包括底座、保温桶、保温罩，其特征在于：所述的底座上端两侧安装有电极，所述的电极之间安装有坩埚，所述的电极上端、坩埚外侧安装有保温桶，所述的保温桶上端面安装有保温罩。
所述的宝石的单晶体生长温场，其特征在于：所述的底座、保温桶、保温罩均采用C/C复合材料整体成型，所述的保温桶采用内保温桶、外保温桶的双层桶体套装结构。
与传统的温场相比有明显的优越之处：
下层底座提供很好的隔热作用，减少热量的损失，降低功耗；中间的保温筒起到稳定温场为晶体生长提供合适的径向温梯度；上层保温罩为晶体提供了合适的轴向温梯度，起到导流的作用，稳定晶体生长的固液界面，总之，本实用新型不但升温快，保温效果好，生产的产品质量好。
附图说明：
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式：
一种宝石的单晶体生长温场，包括底座1、保温桶2、保温罩3，底座1上端两侧安装有电极4，电极4之间安装有坩埚5，电极4上端、坩埚5外侧安装有保温桶2，保温桶2上端面安装有保温罩3，底座1、保温桶2、保温罩3均采用C/C复合材料整体成型，保温桶2采用内保温桶2-1、外保温桶2-2的双层桶体套装结构。宝石加工的原料至于坩埚5内，通过电极4给底座1进行供电升温。
Claims (2)
1.一种宝石的单晶体生长温场，包括底座、保温桶、保温罩，其特征在于：所述的底座上端两侧安装有电极，所述的电极之间安装有坩埚，所述的电极上端、坩埚外侧安装有保温桶，所述的保温桶上端面安装有保温罩。
2.根据权利要求1所述的宝石的单晶体生长温场，其特征在于：所述的底座、保温桶、保温罩均采用C/C复合材料整体成型，所述的保温桶采用内保温桶、外保温桶的双层桶体套装结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2010205990147U CN201850332U (zh) | 2010-11-08 | 2010-11-08 | 一种宝石的单晶体生长温场 |
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|---|---|---|---|
| CN2010205990147U Expired - Fee Related CN201850332U (zh) | 2010-11-08 | 2010-11-08 | 一种宝石的单晶体生长温场 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102261841A (zh) * | 2011-08-11 | 2011-11-30 | 南通汉瑞实业有限公司 | 一种坩埚罩、其制造方法和装有坩埚罩的坩埚炉 |
| CN109722709A (zh) * | 2017-10-27 | 2019-05-07 | 江苏维福特科技发展股份有限公司 | 晶体生长保温罩 |
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2010
- 2010-11-08 CN CN2010205990147U patent/CN201850332U/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102261841A (zh) * | 2011-08-11 | 2011-11-30 | 南通汉瑞实业有限公司 | 一种坩埚罩、其制造方法和装有坩埚罩的坩埚炉 |
| CN102261841B (zh) * | 2011-08-11 | 2013-02-13 | 南通汉瑞实业有限公司 | 一种坩埚罩、其制造方法和装有坩埚罩的坩埚炉 |
| CN109722709A (zh) * | 2017-10-27 | 2019-05-07 | 江苏维福特科技发展股份有限公司 | 晶体生长保温罩 |
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| C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Wang Nan Inventor after: Zhao Qing Inventor after: Jia Jianguo Inventor before: Liang Zhian |
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| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: LIANG ZHIAN TO: WANG NAN ZHAO QING JIA JIANGUO |
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