CN201708145U - 钝化保护二极管芯片 - Google Patents
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Abstract
钝化保护二极管芯片。涉及一种具有钝化保护结构的二极管芯片。在封装温度下,能可靠地保护芯片及其钝化层,进而解决封装隐患,且制作方法简单。芯片上部边缘处设有玻璃质的钝化保护层,钝化保护层外还设有一层具有弹性的缓冲保护层。本实用新型的二极管芯片,包括两层钝化层,内层(钝化保护层)直接钝化PN结,外层(缓冲保护层)保护内层,外层主要起保护内层和缓冲外界压力的作用,外层材料具有良好的耐热性能、可塑性能和绝缘性能。本实用新型通过涂布、软烤、掩膜、光照固化、烧结涂层等步骤,实现了外层与内层的牢固结合,从而能有效抵御在封装工序中,环氧树脂固化时,作用于芯片及钝化层上的机械应力。
Description
技术领域
本实用新型涉及的是一种二极管芯片,尤其涉及一种具有钝化保护结构的二极管芯片。
背景技术
现有二极管芯片普遍采用单层钝化,一般使用玻璃等较脆的绝缘材料作钝化层,这种二极管芯片在封装时,由于外层环氧树脂需要先软化,通过压模的方式将环氧树脂做成所设计的形状,在此过程中,环氧树脂还需要经过固化,即将软化的环氧树脂变成凝固状态(固化温度在175℃左右),于是环氧树脂将产生一种向二极管本体内的机械应力,此应力比较大,容易将二极管芯片之钝化层挤压碎,甚至挤碎二极管芯片,从而导致器件失效。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种在封装温度下,能可靠地保护芯片及其钝化层,进而解决封装隐患,且制作方法简单的钝化保护二极管芯片。
本实用新型的技术方案是:所述芯片上部边缘处设有玻璃质的钝化保护层,所述钝化保护层外还设有一层具有弹性的缓冲保护层。
本实用新型的二极管芯片,包括两层钝化层,内层(钝化保护层)直接钝化PN结,外层(缓冲保护层)保护内层,外层主要起保护内层和缓冲外界压力的作用,外层材料具有良好的耐热性能、可塑性能和绝缘性能,此层材料可以通过光刻工艺制作。本实用新型中缓冲保护层属于耐热性好、可塑 性好及绝缘性好的材料(如聚酰亚胺等高分子材料),二极管封装固化温度一般在175℃左右,必须要求其耐热性能良好;在封装过程中,环氧树脂由软化状态转变为固化状态时,会产生一个向芯片内的收缩力,通常叫做机械应力,此机械应力如果直接作用于芯片上玻璃质脆性的钝化层,极易导致芯片失效,所以要求外层材料的可塑性能、弹性要好;为了避免封装过程中二极管两极导通,所以要求外层材料的绝缘性能要好。本实用新型解决了上述因封装产生之机械应力导致芯片钝化层破碎的问题,在现有的钝化层外面再增加一层缓冲层,此缓冲层可以缓冲封装产生的机械应力,而保护钝化层和芯片,有效的克服了二极管因封装机械应力导致的失效。本实用新型通过涂布、软烤、掩膜、光照固化、烧结涂层等步骤,实现了外层与内层的牢固结合,从而能有效抵御在封装工序中,环氧树脂固化时,作用于芯片及钝化层上的机械应力。
附图说明
图1本实用新型的结构示意图。
图中1是钝化保护层,2是芯片,3是缓冲保护层。
具体实施方式
本实用新型如图1所示,所述芯片2上部边缘处设有玻璃质的钝化保护层1,所述钝化保护层1外还设有一层耐热、绝缘且具有弹性的缓冲保护层3。在制作时,优选聚酰亚胺等高分子材料制作缓冲保护层。
Claims (1)
1.钝化保护二极管芯片,所述芯片上部边缘处设有玻璃质的钝化保护层,其特征在于,所述钝化保护层外还设有一层具有弹性的缓冲保护层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN2010201854270U CN201708145U (zh) | 2010-05-11 | 2010-05-11 | 钝化保护二极管芯片 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010201854270U CN201708145U (zh) | 2010-05-11 | 2010-05-11 | 钝化保护二极管芯片 |
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CN201708145U true CN201708145U (zh) | 2011-01-12 |
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---|---|---|---|
CN2010201854270U Expired - Fee Related CN201708145U (zh) | 2010-05-11 | 2010-05-11 | 钝化保护二极管芯片 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN201708145U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102315177A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-01-11 | 扬州杰利半导体有限公司 | 一种耐高压钝化保护二极管芯片及其加工方法 |
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CN102315177A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-01-11 | 扬州杰利半导体有限公司 | 一种耐高压钝化保护二极管芯片及其加工方法 |
CN102315177B (zh) * | 2011-10-12 | 2013-01-30 | 扬州杰利半导体有限公司 | 一种耐高压钝化保护二极管芯片的加工方法 |
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