CN201656326U - 光纤互感器在三相共箱gis中的安装结构 - Google Patents
光纤互感器在三相共箱gis中的安装结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种检测三相共箱GIS一次电流的技术领域，具体地说是一种光纤互感器在三相共箱GIS的安装结构，包括环状的光纤互感器和绝缘垫筒，绝缘垫筒从环状的光纤互感器内部穿过并与两侧GIS壳体相连接，实现内部高压气体的密封；在光纤互感器的外围、两侧壳体之间连接有金属块，光纤互感器两侧的壳体及金属块通过螺栓进行连接，实现结构固定及金属导通。光纤互感器有三个，设置在同一平面上。本实用新型具有结构合理、使用方便，既能有效避免短路匝与开路匝的存在，又能避免绝缘闪络的现象。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种检测三相共箱GIS一次电流的技术领域，具体地说是一种光纤互感器在三相共箱GIS的安装结构。
背景技术
光纤互感器是目前国际先进的互感器，将替代传统的电磁感应互感器，成为今后互感器发展的方向。光纤互感器由于采用一根完整的光纤作为传感头，无法内置于GIS内部气室中，只能将该环形传感头套装在GIS外壳外部。由于GIS外壳为金属材质，且穿越环形传感头内部，这部分金属通过接地点构成对互感器的传感头环形截面的短路匝，从而影响互感器的检测精度。目前解决方案为：在GIS外壳上增加一个绝缘子，将穿过互感器传感头的GIS金属外壳分成两部分，在绝缘子的外侧设置绝缘垫筒，通过连接螺栓将绝缘垫筒和绝缘子与其中一个壳体进行连接，从而达到将上述短路匝断开的目的，保证互感器的检测精度。但在实际应用中，该方案在GIS上的隔离开关关合对另一端导体充电时，会产生特高频干扰电磁波，该电磁波在沿两部分壳体两个不同的路径传输到绝缘垫筒两侧时，会形成超过10kV的电压差，导致连接螺栓沿绝缘垫筒对与其连接的壳体发生闪络的现象，在该绝缘不闪络时，另一壳体因穿过传感头形成开路匝，均对设备的安全可靠运行构成隐患。
发明内容
为了克服上述缺陷，本实用新型提供了一种光纤互感器在三相共箱GIS的安装结构，具有结构合理、使用方便，既能有效避免短路匝与开路匝的存在，又能避免绝缘闪络的现象。
本实用新型采用的技术方案是：一种光纤互感器在三相共箱GIS的安装结构，包括环状的光纤互感器和绝缘垫筒，绝缘垫筒从环状的光纤互感器内部穿过并与两侧GIS壳体相连接，在光纤互感器的外围、两侧壳体之间连接有金属块。
所述光纤互感器两侧的壳体及金属块通过螺栓进行连接。
光纤互感器有三个，设置在同一平面上。
由于本实用新型是利用绝缘垫筒从环状的互感器内部穿过，然后与互感器两侧的壳体连接，在互感器外围、两壳体之间通过金属块连接，这样一方面保证了无金属短路匝穿越光纤互感器传感头环形截面，另一方面保证GIS金属外壳导电接触的连续，避免开路匝的存在；另外，互感器两侧的金属壳体中间通过金属块导电连接，形成等电位，因此消除了电压差，也就避免了绝缘闪络；将三个互感器设置在同一平面，可保证互感器准确度的前提下，简化了本实用新型结构尺寸，提高了整体外观质量。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图
图2为图1右视图
具体实施方式
现结合附图对本实用新型作进一步描述，图1为本实用新型的一种实施例，主要包括环状的光纤互感器2和绝缘垫筒1，光纤互感器2两侧间隔设置有GIS金属壳体3，两壳体3之间内部通过绝缘垫筒1连接、外圆处通过金属块4连接。所述的绝缘垫筒1从环状的光纤互感器2内部穿过与两侧GIS金属壳体3相连接。本实施例的光纤互感器2有三个，两侧的GIS金属壳体3同时将三个互感器罩住，三个互感器设置在同一平面上，每个互感器内部均有绝缘垫筒1穿过。在三个光纤互感器2的外围、两侧壳体3之间连接有金属块4，本实施例中光纤互感器2两侧的壳体3及金属块4是通过螺栓进行连接的。本实用新型两壳体3之间的金属块4可以是若干个小金属块4，也可以是一个外圆与GIS壳体3相应的金属圆环。
由此可见，本实用新型具有结构合理、使用方便，既能有效避免短路匝与开路匝的存在，又能避免绝缘闪络的现象。
Claims (3)
1.一种光纤互感器在三相共箱GIS的安装结构，包括环状的光纤互感器和绝缘垫筒，其特征是：绝缘垫筒从环状的光纤互感器内部穿过并与两侧GIS壳体相连接，在光纤互感器的外围、两侧壳体之间连接有金属块。
2.根据权利要求1所述的光纤互感器在三相共箱GIS的安装结构，其特征是：所述光纤互感器两侧的壳体及金属块通过螺栓进行连接。
3.根据权利要求1所述的光纤互感器在三相共箱GIS的安装结构，其特征是：光纤互感器有三个，设置在同一平面上。
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| CN2010201712053U CN201656326U (zh) | 2010-04-22 | 2010-04-22 | 光纤互感器在三相共箱gis中的安装结构 |
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Publications (1)
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| CN201656326U true CN201656326U (zh) | 2010-11-24 |
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| CN (1) | CN201656326U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103376170A (zh) * | 2012-04-17 | 2013-10-30 | 陈津 | 一种高电压gis内置温度传感器的结构 |
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2010
- 2010-04-22 CN CN2010201712053U patent/CN201656326U/zh not_active Expired - Fee Related
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