CN201473586U - 真空制程气导装置 - Google Patents

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曾子峻
林煌琦
郑祥炬
杨成杰
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Abstract

本实用新型关于一种真空制程气导装置,主要包含:一反应腔体,一气体导引柱,气体引入接头,一隔板,一挡板,一喷嘴所组成,作动程序:将外接的气体通过气体导引柱所设置的气体引入接头进入,由喷嘴喷出,形成一侧边进入前面喷出的动作,其在气体导引柱中央的U型槽设有隔板,均匀分布气体于反应腔体,形成均匀分布的电浆粒子,且在反应腔体一侧设有挡板,使得制成气体能有效集中于反应区内,完成一真空制程气导装置,由此,可达到有效均匀分布气体于反应腔体内部,完成均匀分布的电浆粒子。

Description

真空制程气导装置
技术领域
本实用新型关于一种真空制程气导装置,其目的:达到有效均匀分布气体于反应腔体内部,完成均匀分布的电浆粒子。
背景技术
真空镀膜技术中的溅镀法(Sputtering),其原理是在一真空腔体中通入工作气体(通常为Ar或N2),并以基材为阳极,以靶材为阴极,使得工作气体在高压电场作用下,会被解离呈离子与电子,及形成电浆(Plasma),而电浆中的正离子于高压电场中会加速移动并轰击靶材(Target)的表面,使靶材原子或团簇(Cluster)溅飞出并沉积、附着在目标基材(Substrare)的表面上,以形成薄膜;
现有一真空溅镀设备的进气装置,是能多组地直立设置于一真空溅镀设备的一反应腔用以将工作气体(如Ar、N2、O2...等)分路地输送入该反应腔体中;每组真空溅镀设备的进气装置是包含一直立地容置于该反应腔体中的矩条气柱,以及一自该反应腔体外部延伸至其内部中并连接该气柱的进气管;该气柱包括一中空的长柱体、一设置于该长柱体的一表面中心处且用以连接该进气管的一端的进气孔,以及多数内外相通地密布于该长柱体的相反另一表面上的出气孔;因此,工作气体会经过该进气管输送入该气柱的长柱体内部,续经该多数出气孔而扩散至该反应腔体内部;
然而,由于该气柱上只有唯一的中心进气点(即该进气孔处),相当容易造成工作气体过度集中于该气柱的中间段部,而该气柱的上、下段部处的气体量却较为稀薄、不均的现象,如此一来,不仅会连带影响到该反应腔体内部所通入工作气体的扩散均匀性,还会影响溅镀作业的品质效率,尤其所述不良现象的负面影响,将随着真空溅镀设备的尺寸规格日渐增大而更趋明显、严重。
发明内容
本实用新型提供一种真空制程气导装置,以解决上述背景技术中存在的技术问题。
本实用新型关于一种真空制程气导装置,主要包含:
一反应腔体,该反应腔体均匀分散导入的气体,使得整个反应腔体内置空间均匀分布电浆粒子;
一气体导引柱,该气体导引柱设有一个以上的气体引入接头,该气体引入接头将气体经由回路引入至反应腔体内部,形成电浆粒子;
一隔板,于腔体内设置一个以上的隔板,该隔板可因使用者的需求,调整隔板大小与置放位置,有效将电浆粒子均匀分布于反应腔体内部;
一挡板,使气体经由腔体内部回路导引致喷嘴出气,通过挡板有效集中于反应区内;
该气体导引柱上设有喷嘴,该喷嘴将气体喷入反应腔体内,该反应腔体一侧设有该挡板,该气体导引柱设有一个以上的该气体引入接头和一个以上隔板。
作动程序:将外接的气体通过气体导引柱所设置的气体引入接头进入,由喷嘴喷出,形成一侧边进入前面喷出的动作,其在气体导引柱中央的U型槽设有一个以上的隔板,可因应所引入气体的多寡,将隔板调整至适当的位置与大小,使得反应腔体均匀分布气体,形成均匀分布的电浆粒子,且在反应腔体一侧设有挡板,使得制成气体能有效集中于反应区内,其中,该喷嘴为一外接装置,可达到快速拆卸、方便维修的功效,完成一真空制程气导装置;
由此,可达到有效均匀分布气体于反应腔体内部,完成均匀分布的电浆粒子,达到了有益的技术效果。
附图说明
图1为本实用新型真空制程气导装置的结构外观组成示意图(一);
图2为本实用新型真空制程气导装置的结构外观组成示意图(二);
图3为本实用新型真空制程气导装置的隔板示意图;
图4为本实用新型真空制程气导装置的剖面气体流动示意图。
附图标记说明:
1-反应腔体;2-气体引入接头;3-喷嘴;4-隔板;5-挡板;6-气体导引柱;7-回路板;100-真空制程气导装置。
具体实施方式
请参阅图1、2,为本实用新型真空制程气导装置的结构外观组成示意图,由图可知,本实用新型真空制程气导装置100,主要包含:
一反应腔体1,该反应腔体1均匀分散导入的气体,使得整个反应腔体1内置空间均匀分布电浆粒子;
一气体导引柱6,该气体导引柱6设有一个以上的气体引入接头2,该气体引入接头2将气体引入至反应腔体1内部,形成电浆粒子;
一隔板4,可因使用者的需求,调整隔板4大小与置放位置,有效将电浆粒子均匀分布于反应腔体1内部;
一挡板5,有效集中经由气体引入接头2导引的气体,由喷嘴3喷出并集中于反应区内;
作动程序:将外接的气体通过气体导引柱6所设置的气体引入接头2进入,由喷嘴3喷出,形成一侧边进入前面喷出的动作,其在气体导引柱6中央的U型槽设有一个以上的隔板4,可因应所引入气体的多寡,将隔板4调整至适当的位置与大小,使得反应腔体1均匀分布气体,形成均匀分布的电浆粒子,且在反应腔体1一侧设有挡板5,能有效集中气体于反应区内,其中,该喷嘴3为一外接装置,可达到快速拆卸、方便维修的功效,完成一真空制程气导装置。
请参阅图3,为本实用新型真空制程气导装置的隔板示意图,由图可知,真空制程气导装置100,在该气体导引柱6设有一个以上隔板4,可因应所引入气体的多寡,将隔板4调整至适当的位置与大小,使得反应腔体均匀分布气体,形成均匀分布的电浆粒子。
请参阅图4,为本实用新型真空制程气导装置的剖面气体流动示意图,由图可知,真空制程气导装置100,由气体引入接头2将气体导引进入通过回路板7将气体有效均匀分布由喷嘴3喷出,且喷嘴3前缘有一挡板5挡住,避免气体渗出而分布不均于腔体内部,完成了气体有侧边进入前面喷出的动作。
以上对本实用新型的描述是说明性的,而非限制性的,本专业技术人员理解,在权利要求限定的精神与范围之内可对其进行许多修改、变化或等效,但是它们都将落入本实用新型的保护范围内。

Claims (2)

1.一种真空制程气导装置,其特征在于,包含:一反应腔体、一气体导引柱、气体引入接头、隔板、一挡板、一喷嘴,该气体导引柱上设有喷嘴,该喷嘴将气体喷入反应腔体内,该反应腔体一侧设有该挡板,该气体导引柱设有一个以上的气体引入接头和一个以上隔板。
2.如权利要求1所述的真空制程气导装置,其特征在于,该喷嘴为一外接装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103993263A (zh) * 2013-02-18 2014-08-20 生阳新材料科技(宁波)有限公司 用于镀膜制程的气体释出装置
CN104032262A (zh) * 2013-11-01 2014-09-10 魏海波 一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置
CN105986231A (zh) * 2015-03-23 2016-10-05 索莱尔有限公司 用于基板涂覆的溅射装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103993263A (zh) * 2013-02-18 2014-08-20 生阳新材料科技(宁波)有限公司 用于镀膜制程的气体释出装置
CN104032262A (zh) * 2013-11-01 2014-09-10 魏海波 一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置
CN104032262B (zh) * 2013-11-01 2017-02-08 辽宁装备制造职业技术学院 一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置
CN105986231A (zh) * 2015-03-23 2016-10-05 索莱尔有限公司 用于基板涂覆的溅射装置

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