CN104032262A - 一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置 - Google Patents
一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104032262A CN104032262A CN201310536230.5A CN201310536230A CN104032262A CN 104032262 A CN104032262 A CN 104032262A CN 201310536230 A CN201310536230 A CN 201310536230A CN 104032262 A CN104032262 A CN 104032262A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chamber
- coating
- solar heat
- collection plate
- coating apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 44
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 15
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003245 working effect Effects 0.000 description 3
- 229910018509 Al—N Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004992 fission Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 description 1
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N molecular nitrogen;molecular oxygen Chemical compound N#N.O=O DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，包括有依次连接的上片台、防尘加热室、进片区、镀膜区、出片区、下片台、抽空系统和传动机构；所述镀膜区由多个镀膜室组成，每个镀膜室内设有多个间隔板，通过间隔板在镀膜室内形成多个镀膜腔、通过间隔板于镀膜室内两端镀膜腔的外侧分别形成第一排气腔和第二排气腔；在同一镀膜室内第一排气腔或第二排气腔的外侧形成隔离腔；每个镀膜腔设有两个靶极和等离子体光谱检测装置。所述间隔板上与靶极对应侧对称设有两个水冷结构的“L”型调节挡板；并在两个“L”型调节挡板折弯处设有进气管，且两个进气管的进气方向相反。本发明涂层均匀、理化性能好、寿命长，生产效率，生产成本低，不会产生污染。
Description
技术领域
本发明属于太阳能集热板和真空镀膜的技术领域，具体地说是一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，是在太阳能集热板整板芯片衬底上沉积太阳能光热选择性吸收涂层。
背景技术
随着新能源的推广及普及，以及科技的进步和发展，太阳能与建筑一体化对太阳能热水器技术要求越来越高，市场需求越来越迫切。在城市建筑物中真空管产品在安装高度、公共安全、管道、质量以及市容建设等方面遇到的瓶颈问题日益突出。平板集热器具有承压性、双循环系统、易于与建筑结合，提供更多的生活热水等自身优势。因此，在太阳能系统工程中，分体式太阳能热水器和对太阳能与建筑一体化有要求的场所，平板集热器比全玻璃真空集热管在系统使用寿命、系统维护等方面具有明显优势。这为平板集热器的发展带来了机遇。
世界各国都力图将太阳能与建筑密切结合，寻求外形美观，布局合理，管理规范的太阳能与建筑一体化的设计。因此，国外发达国家（北美、北欧及夏威夷地区）平板太阳能占市场的90%以上，把平板集热器作为建筑材料实现太阳能利用与建筑一体化。目前，国内太阳能集热市场正逐渐接受这一理念，这促进了太阳能热水器、太阳能空调等光热产品的广泛使用，而光热产品种类和使用范围的扩大，又将促进对太阳能光谱选择性吸收涂层集热板芯的需求。
太阳能集热板（芯片）是平板太阳能热水器的核心部件，它的光谱选择性吸收性能（αs-吸收率，ε-发射率）决定平板太阳能热水器的热效率。在平板集热器中，集热器板芯与玻璃盖板间的气体对流换热是该集热器的主要热损之一。为了提高平板太阳集热器的效率，唯一有效的办法是在保持最大限度地采集太阳能的同时尽可能减小其对流和辐射热损，选用优质选择性吸收涂层是满足上述要求的重要途径。同时，由于集热器板芯在大气环境中使用，要努力改善集热器板芯吸收涂层的耐候性能，提高平板集热器的使用寿命。
平板集热器板芯吸收涂层的制备工艺从简单喷涂发展到选择性的硫化铅，金属氧化处理。现有的间歇式单体真空镀膜是一炉一炉地生产，每炉生产完后必须放大气；这种生产方式生产效率低，所需工人多；更重要的是各炉之间生产的膜层色泽一致性、稳定性差。同时，生产多炉后，在真空室壁上沉积较厚的膜层，每次暴露大气时，空气中的水分子都被吸附在膜层表面上，造成后续生产抽空时间加长，降低生产效率。
另外，已经无效的中国专利申请公布号为：CN101985737A的发明专利中，公开了一种连续式太阳能集热板芯片真空磁控溅射镀膜生产线，该生产线具有促进光谱选择性吸收涂层。该专利公开了在防尘加热室内设有高效加热及温度控制装置，并未公开加热源如何布置，也未公开如何控温。公知的方法是为了提高涂层的结合力，对被镀基片进行加热烘烤，公知的方法存在当被镀基片幅面较大时，加热源设计不合理或温控偏差较大，都会造成基片受热不均匀而造成沉积的均匀性差，一致性不好，直接影响涂层的集热性能。该专利还公开了在镀膜区的隔离腔室处开有抽气口，但没有公开工作气体是如何进入镀膜区，也未公开充气管的结构；公知的方法是在镀膜区充入工作气体，公知方法中存在，由于抽气、充气动态过程容易产生靶极溅射区工作气氛不均匀（幅面大时，更为明显），造成在靶极方向上，涂层的均匀性和一致性差。这些都无法满足选择性吸收涂层的工业化批量生产。
在已公开的专利（CN201648514U）中，公开了一种生产太阳能吸热镀膜板的立式镀膜装置。该装置采用立式结构传送基片，为了使镀膜均匀，必须保证挂有基片的载片架在在立式镀膜装置各室的中央部位平稳直线行进，因此，必须设有载片架和稳定机构。
发明内容
本发明的目的是进一步完善上述装置的不足，通过采用卧式水平传送太阳能集热板整板芯片的方式、采用专有的防尘加热结构和控制、采用专用的充气管结构向镀膜腔充入工作气体和等离子体光谱检测装置、离子源表面活化装置，提高涂层生产过程中的附着力、均匀性和一致性问题，满足高品质集热板芯的需求和工业化生产。
本发明的技术方案是：
一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，包括有依次连接的上片台、防尘加热室、进片区、镀膜区、出片区、下片台、抽空系统和传动机构；
所述镀膜区由多个镀膜室组成，每个镀膜室内设有多个间隔板，通过间隔板在镀膜室内形成多个镀膜腔20、通过间隔板于镀膜室内两端镀膜腔20的外侧分别形成第一排气腔171和第二排气腔172；在同一镀膜室内第一排气腔171或第二排气腔172的外侧形成隔离腔18；
所述镀膜腔20设有两个靶极24和等离子体光谱检测装置38；
所述间隔板中间设有供太阳能集热板整板芯片通过的夹缝通道；所述镀膜腔的两个间隔板上对应靶极侧分别对称设置有水冷结构的“L”型调节挡板，并在两个“L”型调节挡板弯角处设置有进气管；两个“L”型调节挡板及进气管与镀膜室壁绝缘连接；并且两个进气管的进气口反向设置；所述进气管管壁上与“L”型调节挡板弯角处对应侧设有多个散气孔；工作气体通过散气孔喷射到“L”型调节挡板上，经“L”型调节挡板反射后扩散到镀膜腔内。
所述防尘加热室内设有多个加热源，所述多个加热源呈矩阵式分布，每个加热源具有独立的测温传感器和温度控制回路，采用PID控制器来控制加热源启/停。
所述太阳能集热板整板芯片是：先将集热板或集热翼片与排管焊接，再与上、下集管焊接成待镀膜的吸热板；整板芯片规格：长度为50cm～360cm；宽度为50cm～250cm。
所述进气管为圆形管或者异形管。
所述进气管末端为自由调整端，可以改变散气孔与“L”型调节挡板的对应角度。
所述加热源采用远红外加热管。
所述的进片区设有离子源表面活化装置。
所述太阳能集热整板芯片的膜层由内向外依次为：高反射率的金属层、金属粒子体积比较高的吸收层及金属体积比较低的吸收层、减反射层以及耐候性保护层。
所述生产的膜层厚度为小于200nm，金属层厚度为15～25nm的铝或铜层，金属粒子体积比较高的和金属体积比较低的吸收层为AIN复合膜，吸收层厚度为50～100nm，减发射层为AIN，耐候性保护层为SiO2，减反射层和保护层的厚度为50～70nm。
本发明的优点是：
1、本发明解决了集热板镀膜连续式生产过程中基片的加热方式及工作气体的充入方式，提高产品的集热性能和成品率，满足工业化生产的要求。
2、本发明提高集热膜层在大气环境中使用的耐候性能、集热性能及膜层的均匀性和一致性；使平板集热器的热效率得到极大地提高和广泛的应用。
附图说明
图1是本发明镀膜装置整体结构示意图；
图2是本发明镀膜室结构的纵向截面剖视图之一；
图3是本发明镀膜室结构的纵向截面剖视图之二；
图4是本发明进气管结构示意图；
图5是本发明气体散气结构示意图。
具体实施方式
结合附图图1-5和实施例对本发明进一步详细说明。
一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，它包括有依次连接的上片台1、防尘加热室16、进片区6、镀膜区7、出片区9、下片台13、抽空系统和传动机构；
所述镀膜区由多个镀膜室组成，每个镀膜室内设有多个间隔板，通过间隔板在镀膜室内形成多个镀膜腔20、通过间隔板于镀膜室内两端镀膜腔20的外侧分别形成第一排气腔171和第二排气腔172；在同一镀膜室内第一排气腔171或第二排气腔172的外侧形成隔离腔18；
所述镀膜腔20设有两个靶极24和等离子体光谱检测装置38；
所述一个间隔板28为上下对称结构，于间隔板28中间形成供太阳能集热片通过的夹缝通道；
所述镀膜腔20内的间隔板28上与靶极24对应侧对称设置两个水冷结构的“L”型调节挡板23，并在两个“L”型调节挡板23折弯处设有进气管34，两个“L”调节挡板23和进气管34与镀膜室壁绝缘连接，两个进气管34的进气方向相反；所述进气管34在长度方向上与“L”型调节挡板23折弯处对应侧设有多个散气孔35；工作气体通过散气孔35喷射到“L”型调节挡板23上，经“L”型调节挡板23反射后扩散到镀膜腔20内。
所述防尘加热室16内设有多个加热源，所述多个加热源呈矩阵式分布，每个加热源具有独立的测温传感器和温度控制回路2，采用PDI控制，将每个加热源的给定温度与测量温度相比较，来控制该加热源的加热源启/停。
所述太阳能集热板整板芯片是：先将集热板或集热翼片与排管焊接，再与上、下集管焊接成待镀膜的吸热板；整板芯片规格：长度为50cm～360cm；宽度为50cm～250cm。
所述进气管34为圆形管或者异形管；所述进气管34末端为自由调整端（可以旋转角度90°），可以改变散气孔35与“L”型调节挡板23的夹角度。所述每个加热源设有方向调节装置，可以实现整个加热室为一穹顶加热结构。所述加热源采用远红外加热管。所述的进片区6设有离子源表面活化装置5。所述水冷结构“L”型调节挡板23为中空结构可以供冷媒循环通过。
实施例
本实例所生产的膜系结构为：耐候性能的保护层/减反射层/金属粒子体积比较低的吸收层/金属粒子比较高的吸收层/高反射率的金属层/基片，即SiO2/AlN/（LMVF）Al-N/（HMVF）Al-N/Al（Cu）膜层结构，其中：HMVF是金属粒子体积比较高的吸收层，而LMVF是金属粒子体积比较低的吸收层，SiO2/ALN为减反射及具有高耐候性能的最外膜层。
如图1所示，本发明的装置结构包括上片台1、防尘加热室16、进片区6、镀膜区7、出片区9、下片台13、抽空系统和贯穿整条生产线的传动机构。所述上片台1、防尘加热室16、进片区6（包括进片室601、进片过渡室602和进片缓冲室603）、镀膜区7、出片区9（包括出片缓冲室901、出片过渡室902、出片室903）、下片台13依次连接。所述镀膜区7包括沉积高反射率金属层镀膜室701、第一沉积金属含量不同的吸收层镀膜室702和第二沉积金属含量不同的吸收层镀膜室703、沉积减反射层镀膜室704、沉积保护层镀膜室705。为了提高涂层的附着力，在进片区6内设置有被镀芯片离子源表面活化装置5。
如图2所示，为所述镀膜区7的沉积高反射率金属层镀膜室701和沉积保护层镀膜室705所采用的结构，镀膜室内装有一组孪生靶极24；所述镀膜腔20的间隔板28上与靶极24对应侧对称设置有上、下可调节水冷结构的“L”型调节挡板23，保证“L”型调节挡板23与被镀芯片21之间的距离是可调的，在两个“L”型调节挡板23折弯处分别设有进气管34，“L”调节挡板23和进气管34与镀膜室体绝缘，进气管34的进气方向相反设置，如图4所示；所述进气管34在长度方向上与“L”型调节挡板23折弯处对应侧设有多个散气孔35；工作气体通过散气孔35喷射到“L”型调节挡板23上，经“L”型调节挡板23反射后扩散到镀膜腔20内，如图5所示。仅在隔离腔18及第一排气腔171、第二排气腔172两侧设有排气口，为了保证工业化批量生产膜层的一致性、重复性，在沉积保护层镀膜室705镀膜腔20内设有等离子体光谱检测装置38。沉积高反射率金属层镀膜室701内靶极24采用铜或铝及其合金沉积高反射率金属层；所述沉积保护层镀膜室705采用Si作为靶极24，氧气作为反应气体，中频溅射SiO2覆盖在吸收涂层的外表面，用它作为对吸收层起到减反射和保护作用，同时提高膜层的耐候性能，延长膜层的使用寿命。
如图3所示，为第一、第二沉积金属含量不同的吸收层镀膜室702、703，沉积减反射层镀膜室704所采用的结构；装有二组旋转孪生靶极24；通过隔板28分成两个镀膜腔20，所述镀膜腔20的间隔板28上与靶极24对应侧对称设置有上、下可调节水冷结构的“L”型调节挡板23，保证“L”型调节挡板23与被镀芯片21之间的距离是可调的，在两个镀膜腔20内，在“L”型调节挡板23折弯处分别设有进气管34，“L”调节挡板23和进气管34与镀膜室体绝缘，进气管34的进气方向相反设置，如图4所示；所述进气管34在长度方向上与“L”型调节挡板23折弯处对应侧设有多个散气孔35；工作气体通过散气孔35喷射到“L”型调节挡板23上，经“L”型调节挡板23反射后扩散到镀膜腔20内。同样仅在靶极24两侧的第一排气腔171、第二排气腔172和气体隔离腔室18开有排气口，为了保证工业化批量生产膜层的一致性、重复性。在第一、第二沉积金属含量不同的吸收层镀膜室702、703，沉积减反射层镀膜室704的镀膜腔20内设有等离子体光谱检测装置38。第一、第二沉积金属含量不同的吸收层镀膜室702、703两组靶材均采用铝及其合金或一组靶材采用铝及其合金、另一组靶材采用不锈钢；反应气体采用氮气沉积金属含量不同的太阳能选择性吸收涂层。沉积减反射层镀膜室704两组靶材均采用铝及其合金，反应气体采用氮气、氮氧混合气体，反应沉积减反射介质层。
具体工作时，把事先经过组焊、检漏、表面清洗处理好的被镀太阳能集热板整板芯片装在运送架上，然后放到上片台1，被镀芯片21在上片台1传动的作用下进入防尘加热室16，对芯片进行加热、烘烤，加热温度设定在150～180℃。该防尘加热室16内设有多个加热源，加热源呈矩阵式分布，每个加热源具有独立的测温传感器和温度控制回路2，采用PDI模糊控制，将每个加热源的给定温度与测量温度相比较，来控制该加热源的加热源启/停，确保被镀芯片表面温度均匀。当芯片接近进片阀门3时，对进片室601放气，当进片室601达到大气状态时，打开进片阀门3，被镀芯片21快速进入进片室601，关闭进片阀门3，打开低真空阀门，由机械泵14和罗茨泵10对进片室601抽低真空，当真空度达到8×10-1Pa，打开进片隔离阀4，芯片快速进入进片过渡室602，关闭进片隔离阀4，被镀芯片在进片过渡室602和进片缓冲室603行进过程中，启动离子表面活化装置5，对被镀芯片21表面进行活化处理，清除被镀芯片21表面的氧化层，提高涂层的附着力。当被镀芯片21进入镀膜区7，由扩散泵8通过排气腔18、气体隔离腔17进行抽真空，通过进气管34充入相应的工作气体（Ar、O2、N2），使工作压强维持在2.0～4.0×10-1pa，在镀膜区7内依次完成高反射率金属层、太阳能选择性吸收涂层、减反射层、保护层镀制工艺过程，在溅射过程中启动等离子体光谱检测装置38，实时监控各个镀膜室的溅射情况，确保溅射的稳定性、重复性；镀膜结束后芯片经过出片缓冲室901进入出片过渡室902，当出片室903的真空度高于8×10-1Pa时，打开出片隔离阀11，被镀芯片21快速进入出片室903，关闭出片隔离阀11，关闭出片室903真空阀门，对出片室903进行放气。当出片室903达到大气状态时，打开出片阀门12，被镀芯片21快速到达下片台13，关闭出片阀门12，对出片室903进行抽空，等待下一片的到来，在下片台13对膜层的外观进行质检并下片，完成一个周期的镀膜过程。
被镀芯片21的膜层厚度控制在200nm以下，其中高发射率的金属层控制在15～25nm，金属粒子体积比较低和金属粒子比较高组成的吸收层控制在50～100nm，减反射和保护层的厚度控制在50～70nm。经实际检测被镀芯片21涂层的吸收率为0.93，发射率为0.083。
Claims (9)
1.一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，其特征在于：主要包括有依次连接的上片台、防尘加热室、进片区、镀膜区、出片区、下片台、抽空系统和传动机构；
所述镀膜区由多个镀膜室组成，每个镀膜室内设有多个间隔板，通过间隔板在镀膜室内形成多个镀膜腔20、通过间隔板于镀膜室内两端镀膜腔20的外侧分别形成第一排气腔171和第二排气腔172；在同一镀膜室内第一排气腔171或第二排气腔172的外侧形成隔离腔18；
所述镀膜腔20设有两个靶极24和等离子体光谱检测装置38；
所述间隔板中间设有供太阳能集热板整板芯片通过的夹缝通道；
所述镀膜腔的两个间隔板上对应靶极侧分别对称设置有水冷结构的“L”型调节挡板，并在两个“L”型调节挡板弯角处设置有进气管；两个“L”型调节挡板及进气管与镀膜室壁绝缘连接；并且两个进气管的进气口反向设置；
所述进气管管壁上与“L”型调节挡板弯角处对应侧设有多个散气孔；工作气体通过散气孔喷射到“L”型调节挡板上，经“L”型调节挡板反射后扩散到镀膜腔内。
2.按权利要求1所述的卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，其特征在于：
所述防尘加热室内设有多个加热源，所述多个加热源呈矩阵式分布，每个加热源具有独立的测温传感器和温度控制回路，采用PID控制器来控制加热源启/停。
3.按权利要求1所述的卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，其特征在于：
所述太阳能集热板整板芯片是：先将集热板或集热翼片与排管焊接，再与上、下集管焊接成待镀膜的吸热板；整板芯片规格：长度为50cm～360cm；宽度为50cm～250cm。
4.按权利要求1所述的卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，其特征在于：
所述进气管为圆形管或者异形管。
5.按权利要求1所述的卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，其特征在于：
所述进气管末端为自由调整端，可以改变散气孔与“L”型调节挡板的对应角度。
6.按权利要求2所述的卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，其特征在于：
所述加热源采用远红外加热管。
7.按权利要求1所述的卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，其特征在于：
所述太阳能集热整板芯片的膜层由内向外依次为：高反射率的金属层、金属粒子体积比较高的吸收层及金属体积比较低的吸收层、减反射层以及耐候性保护层。
8.按权利要求1所述的卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，其特征在于：
所述的进片区设有离子源表面活化装置。
9.按权利要求8所述的卧式生产太阳能集热板的镀膜装置，其特征在于：
镀膜装置生产的膜层厚度为小于200nm，金属层厚度为15～25nm的铝或铜层，金属粒子体积比较高的和金属体积比较低的吸收层为AIN复合膜，吸收层厚度为50～100nm，减发射层为AIN，耐候性保护层为SiO2，减反射层和保护层的厚度为50～70nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310536230.5A CN104032262B (zh) | 2013-11-01 | 2013-11-01 | 一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310536230.5A CN104032262B (zh) | 2013-11-01 | 2013-11-01 | 一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104032262A true CN104032262A (zh) | 2014-09-10 |
| CN104032262B CN104032262B (zh) | 2017-02-08 |
Family
ID=51463251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310536230.5A Expired - Fee Related CN104032262B (zh) | 2013-11-01 | 2013-11-01 | 一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104032262B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104766814A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-07-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置及方法 |
| CN106906446A (zh) * | 2015-12-23 | 2017-06-30 | 深圳市拓日新能源科技股份有限公司 | 一种集热膜的真空镀膜方法及真空镀膜设备 |
| CN110273133A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-09-24 | 西安拉姆达电子科技有限公司 | 一种专用于晶片镀膜的磁控溅射镀膜机 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2732757Y (zh) * | 2004-07-15 | 2005-10-12 | 北京清华阳光能源开发有限责任公司 | 太阳选择性吸收涂层连续镀膜装置 |
| CN101608301A (zh) * | 2009-06-24 | 2009-12-23 | 江苏常松机械集团有限公司 | 连续真空等离子蒸发金属复合材料生产线 |
| CN201473586U (zh) * | 2009-07-15 | 2010-05-19 | 仕贯真空科技股份有限公司 | 真空制程气导装置 |
| CN101985737A (zh) * | 2010-12-07 | 2011-03-16 | 魏海波 | 连续式太阳能集热板芯片真空磁控溅射镀膜生产线系统 |
| JP2011094188A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Kobe Steel Ltd | 真空ロール搬送処理装置 |
| CN102534540A (zh) * | 2012-04-06 | 2012-07-04 | 上海千达不锈钢有限公司 | 连续式镀膜设备及生产工艺 |
| CN202595259U (zh) * | 2012-04-28 | 2012-12-12 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 磁控溅射设备 |
| CN103266307A (zh) * | 2013-05-22 | 2013-08-28 | 光垒光电科技（上海）有限公司 | 反应腔 |
| CN203559115U (zh) * | 2013-11-01 | 2014-04-23 | 魏海波 | 卧式生产太阳能集热板的镀膜装置 |
-
2013
- 2013-11-01 CN CN201310536230.5A patent/CN104032262B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2732757Y (zh) * | 2004-07-15 | 2005-10-12 | 北京清华阳光能源开发有限责任公司 | 太阳选择性吸收涂层连续镀膜装置 |
| CN101608301A (zh) * | 2009-06-24 | 2009-12-23 | 江苏常松机械集团有限公司 | 连续真空等离子蒸发金属复合材料生产线 |
| CN201473586U (zh) * | 2009-07-15 | 2010-05-19 | 仕贯真空科技股份有限公司 | 真空制程气导装置 |
| JP2011094188A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Kobe Steel Ltd | 真空ロール搬送処理装置 |
| CN101985737A (zh) * | 2010-12-07 | 2011-03-16 | 魏海波 | 连续式太阳能集热板芯片真空磁控溅射镀膜生产线系统 |
| CN102534540A (zh) * | 2012-04-06 | 2012-07-04 | 上海千达不锈钢有限公司 | 连续式镀膜设备及生产工艺 |
| CN202595259U (zh) * | 2012-04-28 | 2012-12-12 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 磁控溅射设备 |
| CN103266307A (zh) * | 2013-05-22 | 2013-08-28 | 光垒光电科技（上海）有限公司 | 反应腔 |
| CN203559115U (zh) * | 2013-11-01 | 2014-04-23 | 魏海波 | 卧式生产太阳能集热板的镀膜装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104766814A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-07-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置及方法 |
| CN106906446A (zh) * | 2015-12-23 | 2017-06-30 | 深圳市拓日新能源科技股份有限公司 | 一种集热膜的真空镀膜方法及真空镀膜设备 |
| CN106906446B (zh) * | 2015-12-23 | 2019-09-03 | 深圳市拓日新能源科技股份有限公司 | 一种集热膜的真空镀膜方法及真空镀膜设备 |
| CN110273133A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-09-24 | 西安拉姆达电子科技有限公司 | 一种专用于晶片镀膜的磁控溅射镀膜机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104032262B (zh) | 2017-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101985737A (zh) | 连续式太阳能集热板芯片真空磁控溅射镀膜生产线系统 | |
| CN101854131B (zh) | 一种耐高温的选择性太阳能吸收膜及其制备方法 | |
| CN203175090U (zh) | 恒温式醒发房 | |
| WO2010072042A1 (zh) | 浮法在线生产低辐射镀膜玻璃的成套装置 | |
| CN101086059B (zh) | 太阳能集热管真空磁控溅射连续镀膜线系统 | |
| CN104032262A (zh) | 一种卧式生产太阳能集热板的镀膜装置 | |
| CN103383155A (zh) | Ti合金氮化物选择性吸收膜系及其制备方法 | |
| Ma et al. | Developments of CPC solar evacuated glass tube collector with a novel selective coating | |
| CN203559115U (zh) | 卧式生产太阳能集热板的镀膜装置 | |
| CN105241081B (zh) | 具有白天集热和夜间辐射制冷功能的复合抛物面聚光集散热器 | |
| CN104561938A (zh) | 一种浮法在线常压化学气相沉积镀膜反应器 | |
| CN204111586U (zh) | 一种钢化炉的强化对流装置 | |
| CN103234292B (zh) | 一种太阳能光热转换薄膜的膜系结构的制备方法 | |
| CN104964523A (zh) | 新型太阳能烘干房 | |
| CN102494412A (zh) | 一种平板型太阳能集热器 | |
| CN204902450U (zh) | 高效太阳能烘干房 | |
| CN104964520A (zh) | 高保温太阳能烘干房 | |
| CN209910186U (zh) | 一种阶梯式加热太阳能空气集热器 | |
| CN201478006U (zh) | 一种漆包机热风调配室 | |
| CN207031269U (zh) | 用于生产镀膜玻璃的镀膜段 | |
| CN110923594A (zh) | 一种铝材硬化用时效炉 | |
| CN201335550Y (zh) | 一种板式太阳能持续水加热装置 | |
| CN201407712Y (zh) | 红外线光波灶 | |
| CN218763913U (zh) | 一种空调冷凝热回收装置 | |
| CN219745419U (zh) | 一种涂装生产线用烘干装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Wei Haibo Inventor after: Gong Xiaonan Inventor after: Li Dongqing Inventor before: Wei Haibo Inventor before: Gong Xiaonan |
|
| COR | Change of bibliographic data | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20160927 Address after: Yu Liaoning city of Shenyang Province Agricultural Road 110161 Huishan agricultural high tech Development Zone No. 70 Applicant after: LIAONING EQUIPMENT MANUFACTURING VOCATIONAL AND TECHNICAL College Applicant after: Wei Haibo Applicant after: Gong Xiaonan Address before: 110034 Changjiang North Street, Yuhong District, Liaoning City, Shenyang province 62-33,1-3-2 Applicant before: Wei Haibo Applicant before: Gong Xiaonan |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170208 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |